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布里斯托大學團隊實現(xiàn) GaN 突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 03 日 9:24 | 分類 氮化鎵GaN
近日，英國布里斯托大學研究團隊在《自然·電子學》（Nature Electronics）期刊發(fā)表突破性研究，首次揭示了氮化鎵（GaN）多通道晶體管中鎖存效應(yīng)的物理機制，并成功開發(fā)出超晶格城堡場效應(yīng)晶體管（SLCFET）技術(shù)。 圖片來源：《自然·電子學》期刊截圖 該研究通過設(shè)計超...  [詳內(nèi)文]

蘇州固锝加碼投資中晶微電布局半導(dǎo)體領(lǐng)域
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 30 日 16:42 | 分類 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
蘇州固锝電子股份有限公司（以下簡稱“蘇州固锝”）近日宣布，擬以自有資金1,000萬元認購中晶微電（上海）半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“中晶微電”）新增注冊資本61.8776萬元，持股比例將根據(jù)交易條款確定。此次投資標志著蘇州固锝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的進一步深耕，旨在通過資本與產(chǎn)業(yè)協(xié)同，強...  [詳內(nèi)文]

牡丹江高性能碳化硅項目一期投產(chǎn)，二期劍指高端市場
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 30 日 16:41 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，牡丹江高性能碳化硅新材料陶瓷制品項目一期工程正式竣工并順利投產(chǎn)，標志著牡丹江在碳化硅產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展上邁出了堅實一步。該項目由#國家電投集團山東能源發(fā)展有限公司?與#上海億棵竹實業(yè)集團有限公司?共同投資建設(shè)，有力推動了牡丹江乃至全省碳化硅行業(yè)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)升級，并助力當?shù)亟?jīng)濟高質(zhì)量...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域又一起強強合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 30 日 16:38 | 分類 企業(yè) , 功率
近日，上海季豐電子股份有限公司（以下簡稱“季豐電子”）與上海林眾電子科技有限公司（以下簡稱“林眾電子”）、上海瞻芯電子科技股份有限公司（以下簡稱“瞻芯電子”）正式達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，三方將共建功率半導(dǎo)體領(lǐng)域聯(lián)合實驗室，聚焦技術(shù)研發(fā)、測試分析與產(chǎn)業(yè)服務(wù)，共同推動行業(yè)技術(shù)能力提升。...  [詳內(nèi)文]

超200億+50億，兩大碳化硅項目迎來重大進展！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 29 日 14:00 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月末，我國碳化硅產(chǎn)業(yè)兩個大金額項目迎來重大進展：長飛先進武漢基地首片晶圓正式下線、中導(dǎo)信力項目落戶鄂州。 01、超200億，長飛先進武漢基地首片晶圓正式下線 5月28日，長飛先進武漢基地首片6英寸碳化硅晶圓正式下線，這一事件標志著總投資超過200億元人民幣的長飛先進武漢基地正式...  [詳內(nèi)文]

兩家三代半廠商獲新融資，一家數(shù)億元，一家小米產(chǎn)投獨投
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 29 日 13:58 | 分類 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
隨著新能源汽車、5G通信、光伏等領(lǐng)域的快速發(fā)展，第三代半導(dǎo)體的市場需求持續(xù)增長。近期兩起重要融資事件——芯源新材料斬獲C輪融資與國瑞新材完成數(shù)億元B輪融資，展現(xiàn)出資本對產(chǎn)業(yè)鏈薄弱環(huán)節(jié)的重注加碼。 01、第三代半導(dǎo)體電子互連材料廠商【芯源新材料】完成C輪融資 深圳芯源新材料有限公司...  [詳內(nèi)文]

杰平方-奧斯達克成立SiC戰(zhàn)略合作中心
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 29 日 13:55 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司與深圳奧斯達克電氣技術(shù)有限公司正式簽署碳化硅（SiC）戰(zhàn)略合作協(xié)議，并共同為“杰平方-奧斯達克SiC戰(zhàn)略合作中心”揭牌。 圖片來源：杰平方半導(dǎo)體 資料顯示， 奧斯達克作為車載電源及OBC領(lǐng)域的資深供應(yīng)商，多年來深耕重卡、工程機械、新能源汽車等行...  [詳內(nèi)文]

港交所將迎中國碳化硅芯片首股，第三代半導(dǎo)體資本競速
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:20 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月27日，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“基本半導(dǎo)體”）正式向港交所遞交上市申請，中信證券、國金證券（香港）及中銀國際擔任聯(lián)席保薦人，這也是中國碳化硅功率器件第一家赴港提交上市申請的廠商。 圖片來源：基本半導(dǎo)體上市申請書截圖 基本半導(dǎo)體成立于2016年，總部位于深圳，作為國...  [詳內(nèi)文]

封頂/投產(chǎn)，國內(nèi)兩個化合物半導(dǎo)體項目新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:18 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵 , 碳化硅SiC
從氮化鎵（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）在新能源汽車中的規(guī)?；瘧?yīng)用，化合物半導(dǎo)體正加速重構(gòu)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭格局，為5G通信、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機驅(qū)動等領(lǐng)域注入新動能。隨著市場對高性能、高能效半導(dǎo)體器件需求的激增，國內(nèi)化合物半導(dǎo)體項目層出不窮。近期，兩個相關(guān)項目傳出新進展，...  [詳內(nèi)文]

羅姆首款高耐壓GaN驅(qū)動器IC量產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:16 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月27日，羅姆宣布推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關(guān)過程中實現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動，有助于電機和服務(wù)器電源等大電流應(yīng)用進一步縮減體積并提高效率。 圖片來源：羅姆半...  [詳內(nèi)文]