近日,英國布里斯托大學研究團隊在《自然·電子學》(Nature Electronics)期刊發(fā)表突破性研究,首次揭示了氮化鎵(GaN)多通道晶體管中鎖存效應(yīng)的物理機制,并成功開發(fā)出超晶格城堡場效應(yīng)晶體管(SLCFET)技術(shù)。
圖片來源:《自然·電子學》期刊截圖
該研究通過設(shè)計超...  [詳內(nèi)文]
布里斯托大學團隊實現(xiàn) GaN 突破 |
作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 06 月 03 日 9:24 | 分類 氮化鎵GaN |