近期,信越化學(xué)宣布,比利時微電子研究中心(imec)利用QST襯底[一種300mm氮化鎵(GaN)生長襯底]制造出厚度為5μm的GaN HEMT結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了超過650V的高擊穿電壓。
資料顯示,QST襯底是由美國公司Qromis開發(fā)的專用于GaN生長的復(fù)合材料襯底。信越化學(xué)于20...  [詳內(nèi)文]
12英寸氮化鎵再傳新進(jìn)展 |
| 作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 11 月 18 日 14:38 | 分類 氮化鎵GaN |
