文章分類： 功率

深重投國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺亮相

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 15 日 17:57 | | 分類: 功率
11月15日，深重投集團投建的國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺在中國國際高新技術(shù)成果交易會（簡稱：高交會）上，召開建成發(fā)布會。 source：高交會 據(jù)介紹，建成發(fā)布的深圳綜合平臺具備碳化硅、氮化鎵及超寬禁帶功率材料與器件研發(fā)、集成設(shè)計及試制能力。 深圳綜合平臺主要由三...  [詳內(nèi)文]

印度開發(fā)出4英寸碳化硅晶圓工藝

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 13 日 15:56 |
| 分類: 功率
據(jù)外媒報道，11月11日，印度國防研究與發(fā)展組織（DRDO）下屬的固體物理實驗室已成功開發(fā)出本土一種工藝，可以生長和制造直徑為4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他們還已制造出功率高達150W的氮化鎵（GaN）HEMT以及功率為40W的單片微波集成電路（MMIC），這些器件能夠在...  [詳內(nèi)文]

8英寸碳化硅，天科合達北京二期項目正式開工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 13 日 15:53 |
| 分類: 功率
11月12日，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）“第三代半導體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項目”開工儀式在北京順利舉行。 source：天科合達 據(jù)集邦化合物半導體此前報道，二期項目位于北京市大興區(qū)大興新城東南片區(qū)0605-022C地塊為現(xiàn)有工程東側(cè)空地；項...  [詳內(nèi)文]

MACOM牽頭碳化硅基氮化鎵項目

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 06 日 16:11 |
| 分類: 功率
11月4日，美國半導體企業(yè)MACOM宣布，將引領(lǐng)一個碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）技術(shù)開發(fā)項目，主要針對于射頻（RF）和微波應(yīng)用領(lǐng)域。 項目專注于開發(fā)氮化鎵基材料和單片微波集成電路（MMIC）的半導體制造工藝，以實現(xiàn)在高壓和毫米波（mmW）頻率下的高效運行。 圖片來源：...  [詳內(nèi)文]

長飛先進武漢碳化硅基地將提前2個月量產(chǎn)通線

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 10 月 31 日 17:14 |
| 分類: 功率
10月30日，長飛先進武漢基地相關(guān)負責人對外介紹，長飛先進武漢碳化硅基地11月設(shè)備即將進駐廠房，明年年初開始調(diào)試，預計2025年5月可以量產(chǎn)通線，隨后將開啟良率提升和產(chǎn)能爬坡。 source:光谷融媒體中心 據(jù)悉，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項目總...  [詳內(nèi)文]

臺灣地區(qū)新增一座碳化硅襯底廠

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 10 月 25 日 16:01 |
| 分類: 功率
據(jù)臺媒消息，10月22日，臺灣碳化硅長晶廠商格棋化合物半導體公司（下文簡稱“格棋”）舉行了中壢新廠落成典禮。 source：格棋 據(jù)介紹，格棋中壢新廠總投資金額達6億元新臺幣（折合人民幣約1.33億元），預計2024年第四季達到滿產(chǎn)。其中6英寸碳化硅晶片月產(chǎn)能可達5,000片，...  [詳內(nèi)文]

山東2個氮化鎵襯底項目有新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 10 月 22 日 17:50 |
| 分類: 功率
在當今快速發(fā)展的科技時代，半導體材料的創(chuàng)新和應(yīng)用正成為推動全球電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。在第三代半導體材料領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）因其卓越的電子特性和廣泛的應(yīng)用前景，正受到業(yè)界的關(guān)注。近期，山東省的濟南和臨沂兩地，在氮化鎵襯底方面取得了新進展。 濟南：新增一個氮化鎵項目 據(jù)濟南日報消...  [詳內(nèi)文]

全球有多少座8英寸碳化硅廠？

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 10 月 10 日 16:23 |
| 分類: 功率
2024年的碳化硅市場猶如一條洶涌的大河，全球各大廠家傾瀉而下、奔涌向前。我們可以看到全球各大廠在過去幾年中投資布局的8英寸碳化硅生產(chǎn)線已逐步進入落地階段，包括英飛凌在馬來西亞建設(shè)的居林新廠，安森美在韓國富川規(guī)劃的生產(chǎn)設(shè)施，三安在重慶投資的碳化硅項目等等。聚焦我國，則以碳化硅產(chǎn)業(yè)...  [詳內(nèi)文]

15億，臺灣8英寸氮化鎵功率廠投資案通過

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 10 月 09 日 17:50 |
| 分類: 功率
10月4日，中國臺灣科學園區(qū)審議會第19次會議召開，會中通過冠亞半導體股份有限公司（下文簡稱“冠亞”）投資議案。 據(jù)介紹，該案投資金額達15億元新臺幣（折合人民幣約3.29億元），主要用來生產(chǎn)氮化鎵功率元件相關(guān)產(chǎn)品。 資料顯示冠亞為臺亞半導體子公司，專注于氮化鎵（GaN）功率技術(shù)...  [詳內(nèi)文]

住友金屬將建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 29 日 17:21 |
| 分類: 功率
9月27日，住友金屬礦山株式會社（以下簡稱“住友金屬”）及其全資子公司Sicoxs Coparation宣布，將在Sicoxs的Ohkuchi工廠建設(shè)一條新的8英寸（200mm）SiCkrest大規(guī)模生產(chǎn)線，SiCkrest為直接鍵合的碳化硅（SiC）襯底。 source：...  [詳內(nèi)文]