文章分類： 功率

鎵仁半導(dǎo)體推出2英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 10 日 13:51 |
| 分類: 功率
4月9日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布正式推出2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底，在(010)襯底的研發(fā)生產(chǎn)方面再創(chuàng)新高。 source：鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)介紹，氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、巴利加優(yōu)值大等優(yōu)點(diǎn)，使基于氧化鎵的功率器...  [詳內(nèi)文]

韓國電子通信研究院將啟動(dòng)GaN晶圓代工服務(wù)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 09 日 10:39 |
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據(jù)韓媒報(bào)道，近日，韓國電子通信研究院（ETRI）宣布將啟動(dòng)150nm氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體本土代工試點(diǎn)服務(wù)。 source：拍信網(wǎng) 4月4日，ETRI公布了根據(jù)科學(xué)與信息通信技術(shù)部”電信用化合物半導(dǎo)體研究代工廠”項(xiàng)目開發(fā)的150nm GaN微波集成電路（...  [詳內(nèi)文]

韓國釜山將新建2座8英寸化合物半導(dǎo)體工廠

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 09 日 10:37 |
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4月6日，釜山市政府宣布投資400億韓元（折合人民幣約2.14億元），在東南放射科學(xué)產(chǎn)業(yè)園區(qū)增建采用碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等新一代材料的8英寸化合物功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施，該項(xiàng)目已獲國家及市級(jí)基金資助。 source：拍信網(wǎng) 為構(gòu)建生產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體的生態(tài)系統(tǒng)，釜山市...  [詳內(nèi)文]

韓國首款2300V SiC MOSFET問世

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 03 日 14:27 |
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據(jù)韓媒ETnews報(bào)道，3月26日，半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司Power Cube Semi宣布，已在韓國首次成功開發(fā)出2300V碳化硅（SiC）MOSFET，并將于明年初量產(chǎn)。 source：Power Cube Semi 據(jù)介紹，Power Cube Semi稱，2300V SiC M...  [詳內(nèi)文]

聯(lián)合多家頭部企業(yè)，上海打造8英寸碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 29 日 17:50 |
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3月29日，據(jù)媒體報(bào)道，“聚勢(shì)芯港、引臨未來”2024上海全球投資促進(jìn)大會(huì)暨臨港新片區(qū)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈投資機(jī)遇分享會(huì)在世界會(huì)客廳舉行。據(jù)介紹，本次活動(dòng)也是上海首次舉辦的寬禁帶半導(dǎo)體推介活動(dòng)。 會(huì)上，上海市經(jīng)信委副主任張宏韜、臨港新片區(qū)黨工委副書記吳曉華共同為“寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基...  [詳內(nèi)文]

50億美元，全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 28 日 10:56 |
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3月26日，Wolfspeed旗下耗資50億美元（折合人民幣約361億元）的8吋碳化硅（SiC）制造中心宣告封頂，美國參議員湯姆·蒂利斯 (Thom Tillis) 與Wolfspeed高管一起參加了封頂儀式。 source：Wolfspeed 該工廠以該公司已故聯(lián)合創(chuàng)始人Jo...  [詳內(nèi)文]

4Q23搭載SiC功率芯片逆變器市占率達(dá)15%

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 21 日 20:48 |
| 分類: 功率
根據(jù)TrendForce集邦咨詢?nèi)螂妱?dòng)車逆變器市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2023年第四季全球電動(dòng)車逆變器裝機(jī)量達(dá)714萬套，相較2023年第三季639萬套，季增約12%，主因是去年第四季電動(dòng)車季單季銷量較第三季成長。其中，逆變器市場(chǎng)主要的推動(dòng)力來自于純電動(dòng)車（BEV）。 TrendFor...  [詳內(nèi)文]

中國SiC外延片市場(chǎng)，繁榮與挑戰(zhàn)并存

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 21 日 20:43 |
| 分類: 功率
隨著電動(dòng)汽車和新能源需求的持續(xù)擴(kuò)大，碳化硅功率半導(dǎo)體元件在各領(lǐng)域的滲透率呈現(xiàn)持續(xù)攀升之勢(shì)。對(duì)于碳化硅外延片環(huán)節(jié)，過去市場(chǎng)長期由Resonac、Wolfspeed等國際大廠主導(dǎo)，中國廠商瀚天天成與天域半導(dǎo)體歷經(jīng)10余年積累，終隨新能源浪潮迎來業(yè)務(wù)高速增長期，近年來全球市場(chǎng)份額得以迅...  [詳內(nèi)文]

發(fā)展汽車、工業(yè)領(lǐng)域，瑞能半導(dǎo)通過IPO輔導(dǎo)驗(yàn)收

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 19 日 17:24 |
| 分類: 功率
根據(jù)中國證券監(jiān)督管理委員會(huì)官網(wǎng)資料，瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡稱：瑞能半導(dǎo)）已通過輔導(dǎo)驗(yàn)收。 事實(shí)上，這并非瑞能半導(dǎo)首次申請(qǐng)上市。2020年8月，瑞能半導(dǎo)于上交所上市的申請(qǐng)獲得受理，但其最終于2021年6月申請(qǐng)撤回申請(qǐng)文件。 2023年7月，瑞能半導(dǎo)重整旗鼓，與西南證券...  [詳內(nèi)文]

英飛凌、羅姆產(chǎn)品新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 07 日 10:28 |
| 分類: 功率
近日，英飛凌和羅姆兩大SiC龍頭在產(chǎn)品端公布了新進(jìn)展。 英飛凌推出Cool SiC MOSFET G2 3月5日，英飛凌宣布，公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術(shù)產(chǎn)品，CoolSiC MOSFET G2系列產(chǎn)品。 source：英飛凌 英飛凌表示，新一代C...  [詳內(nèi)文]