近期,國內第三代半導體領域捷報頻傳,深圳、蘇州兩地在核心技術與關鍵工藝上相繼取得突破性進展:深圳平湖實驗室聯合高校團隊研制出具備反向導電特性的新型SiC光控晶體管,為脈沖功率領域應用提供新方向;蘇州則由科研機構與企業(yè)攜手,在大尺寸碳化硅晶錠激光隱形切割技術上實現重大突破,進一步完...  [詳內文]
深圳、蘇州兩地相繼取得SiC新突破 |
|
作者
KikiWang
|
發(fā)布日期:
2025 年 10 月 31 日 14:36
|
關鍵字:
SiC碳化硅
|
