相關(guān)資訊：第三代半導(dǎo)體

這家公司第三代半導(dǎo)體器件明年有望大量出貨

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 09 月 18 日 17:48 | 分類企業(yè)

9月15日，長電科技在互動平臺表示，公司封裝的第三代半導(dǎo)體器件，已經(jīng)應(yīng)用于汽車，工業(yè)儲能等領(lǐng)域并進(jìn)入產(chǎn)能擴(kuò)充階段。預(yù)計2024年起相關(guān)產(chǎn)品營收規(guī)模有望大幅增長，并在未來幾年顯著成長，將有利促進(jìn)第三代半導(dǎo)體器件在全球應(yīng)用市場上的快速上量。圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫根據(jù)Tren... [詳內(nèi)文]

總投資8億、年產(chǎn)能120萬套！這個第三代半導(dǎo)體項目獲新進(jìn)展

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 08 月 31 日 17:30 | 分類功率

近日，位于無錫錫山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)的芯動第三代半導(dǎo)體模組封測項目傳來新進(jìn)展。錫山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)消息顯示，芯動第三代半導(dǎo)體模組封測項目主體封頂，計劃10月土建竣工，12月底投產(chǎn)。據(jù)悉，芯動第三代半導(dǎo)體模組封測項目總投資8億元，用地27畝，建筑面積3.1萬平方米，建設(shè)年產(chǎn)120萬塊... [詳內(nèi)文]

這個化合物半導(dǎo)體生長設(shè)備廠獲投資

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 08 月 15 日 17:35 | 分類企業(yè)

今日，匯譽(yù)私募基金管理（湖州）有限公司（“匯譽(yù)投資”）在管基金完成對于楚赟科技(紹興)有限公司（“楚赟科技”）的投資。匯譽(yù)投資總經(jīng)理胡寅斌表示，對楚赟科技的投資進(jìn)一步完善了匯譽(yù)投資在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的生態(tài)布局，特別是在SiC、GaN等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從設(shè)備、襯底到外延等環(huán)節(jié)的延伸... [詳內(nèi)文]

直擊深圳國際半導(dǎo)體展：30+三代半廠商亮相

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 08 月 04 日 16:21 | 分類展會

5月16日，為期三天的SEMI-e第五屆深圳國際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會在深圳國際會展中心（寶安新館）盛大開幕。本屆展會以“芯機(jī)會智未來〞為主題，涵蓋6大特色展區(qū)，包括電子元器件、IC設(shè)計&芯片、晶圓制造及封裝、半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料、第三代半導(dǎo)體，為各領(lǐng)域的行業(yè)人士... [詳內(nèi)文]

【會議預(yù)告】集邦咨詢：2023全球第三代半導(dǎo)體市場機(jī)遇與挑戰(zhàn)

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 06 月 12 日 17:29 | 分類氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵被視為后摩爾時代材料創(chuàng)新的關(guān)鍵角色。近年來，汽車、光伏儲能等應(yīng)用帶動碳化硅市場迅速擴(kuò)大，氮化鎵功率元件于消費(fèi)電子市場率先放量，工業(yè)、汽車應(yīng)用潛力巨大。目前，全球能源技術(shù)革命已經(jīng)開啟，并向材料領(lǐng)域滲透，第三代半導(dǎo)體將在實現(xiàn)碳達(dá)峰、碳中和的過程中發(fā)揮怎樣的... [詳內(nèi)文]

33萬片/年！這個第三代半導(dǎo)體襯底項目封頂

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 06 月 06 日 17:24 | 分類碳化硅SiC

6月2日，青島華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項目封頂。據(jù)悉，項目總投資7億元，位于青島高新區(qū)科海路以北、華貫路以西、茂源路以東，占地面積約50畝，建筑面積6200平方米。項目共有4座單體，包括1棟辦公樓和3座廠房，預(yù)計今年年底前投入使用。項目是青島市重點工程，將建設(shè)半導(dǎo)體... [詳內(nèi)文]

總投資18億，6個第三代半導(dǎo)體項目簽約北京

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 05 月 29 日 17:27 | 分類碳化硅SiC

昨日，北京（國際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇舉辦。現(xiàn)場，國聯(lián)萬眾碳化硅功率芯片二期、晶格領(lǐng)域液相法碳化硅襯底生產(chǎn)、特思迪減薄-拋光-CMP設(shè)備生產(chǎn)二期、銘鎵半導(dǎo)體氧化鎵襯底及外延片等6個簽約落地，預(yù)計總投資近18億元。據(jù)報道，順義區(qū)規(guī)劃建設(shè)總面積約20萬平米的三代半標(biāo)廠，目前一期... [詳內(nèi)文]

【會議預(yù)告】北京大學(xué)沈波教授：中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與機(jī)遇

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 05 月 10 日 17:55 | 分類碳化硅SiC

寬禁帶半導(dǎo)體也稱第三代半導(dǎo)體，包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等，憑借其優(yōu)異的性能，成為世界范圍內(nèi)的“兵家必爭之地”。近年來，我國也高度重視第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)研發(fā)。院校研發(fā)不斷突破，企業(yè)產(chǎn)線加速量產(chǎn)，國家政策持續(xù)加碼，產(chǎn)業(yè)進(jìn)入成長期。與機(jī)遇一同迎來的是挑戰(zhàn)。如碳化硅... [詳內(nèi)文]

2023集邦咨詢第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會報名通道開啟

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 04 月 21 日 14:19 | 分類氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

關(guān)于第三代半導(dǎo)體的疑慮，這場研討會都有答案。第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點，先天性能優(yōu)越，是新能源汽車、5G、光伏等領(lǐng)域的“香餑餑”。然而，現(xiàn)實與理想之間尚有較大差距，我們對第三代半導(dǎo)體的發(fā)展仍存疑慮。為進(jìn)一步剖析第三代半導(dǎo)體的現(xiàn)... [詳內(nèi)文]