第三代半導(dǎo)體功率器件主要以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能。 其中，SiC功率器件應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車已成為其主要應(yīng)用市場之一。與硅基器件相比，SiC功率器件能更好地滿足高壓快充需求，助力新能源汽車延長續(xù)...  [詳內(nèi)文]