據(jù)報道，近日，CEA Tech下屬研究所Leti已開發(fā)出一種與CMOS無塵室兼容的8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）工藝技術(shù)，既能保持半導(dǎo)體材料的高性能，成本又低于現(xiàn)有的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）技術(shù)。
該研究所在IEDM 2023會議的一場演講中表示，目前用于電... [詳內(nèi)文]
CEA-Leti開發(fā)兼容CMOS的8英寸GaN-on-Si射頻工藝 |
| 作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 12 月 15 日 17:49 | 分類 射頻 |