近日，英諾賽科（Innoscience）公布了其2025年上半年的財(cái)務(wù)及運(yùn)營(yíng)報(bào)告。報(bào)告顯示，在全球?qū)Ω吣苄Чβ式鉀Q方案需求增長(zhǎng)的背景下，公司在營(yíng)收和盈利能力方面均取得了顯著進(jìn)展。
圖片來(lái)源：英諾賽科公告截圖
在截至2025年6月30日的六個(gè)月內(nèi)，英諾賽科實(shí)現(xiàn)銷售收入人民幣5.53億元，與去年同期相比增長(zhǎng)43.4%。同期，公司毛利率實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵性的轉(zhuǎn)變，由去年同期的-21.6%提升至6.8%，同比改善28.4個(gè)百分點(diǎn)，這是公司首次錄得毛利為正。
英諾賽科財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，其研發(fā)費(fèi)用高達(dá)1.623億元人民幣，同比增長(zhǎng)11.5%；加上行政、銷售費(fèi)等運(yùn)營(yíng)支出，導(dǎo)致公司當(dāng)期凈虧損為4.287億元。盡管虧損額仍然巨大，但這已經(jīng)比2024年同期的4.880億元凈虧損有所收窄，顯示出公司的盈利能力正在改善軌道上。2025年上半年，英諾賽科在人工智能及數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的銷售額實(shí)現(xiàn)了同比180%的爆炸性增長(zhǎng)，成為公司業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)最快的板塊之一。這一成就的頂點(diǎn)，是公司正式成為芯片巨頭英偉達(dá)800V高壓直流（HVDC）電源架構(gòu)的國(guó)內(nèi)芯片供應(yīng)商之一。雙方的合作于2025年7月31日正式公布，旨在共同推動(dòng)新一代AI數(shù)據(jù)中心電源解決方案的落地。
在新能源汽車領(lǐng)域，英諾賽科同樣取得了顯著進(jìn)展。2025年上半年，其車規(guī)級(jí)芯片的出貨量同比增長(zhǎng)了128% 。為了進(jìn)一步深化在汽車電子領(lǐng)域的布局，公司于今年7月29日宣布與行業(yè)領(lǐng)先的汽車零部件供應(yīng)商聯(lián)合汽車電子（UAES）成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，共同開發(fā)基于氮化鎵技術(shù)的新能源汽車電源系統(tǒng)解決方案 。
該合作的重點(diǎn)目標(biāo)應(yīng)用包括激光雷達(dá)（LiDAR）系統(tǒng)和車載充電機(jī)（OBC）。英諾賽科已通過(guò)IATF 16949和AEC-Q101等嚴(yán)苛的汽車行業(yè)質(zhì)量管理體系認(rèn)證，為其產(chǎn)品進(jìn)入該領(lǐng)域鋪平了道路 。在積極開拓新興市場(chǎng)的同時(shí)，英諾賽科并未放松其在傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域的地位。公司在快充、智能手機(jī)和筆記本電腦等消費(fèi)電子市場(chǎng)繼續(xù)保持著強(qiáng)大的業(yè)務(wù)基礎(chǔ) 。同時(shí)，公司正積極將產(chǎn)品應(yīng)用范圍拓展至新的消費(fèi)品類，例如通過(guò)與家電巨頭美的集團(tuán)的戰(zhàn)略合作，將氮化鎵技術(shù)引入抽油煙機(jī)、電視和音響系統(tǒng)等產(chǎn)品中 。
在工業(yè)領(lǐng)域，公司新推出的1200V高壓氮化鎵芯片正瞄準(zhǔn)更廣泛的工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景。此外，其創(chuàng)新的VGaN（低壓雙向）產(chǎn)品已成功導(dǎo)入電池管理系統(tǒng)（BMS）并實(shí)現(xiàn)大規(guī)模出貨，顯示出其在技術(shù)應(yīng)用上的廣度和深度。
這一系列舉措展現(xiàn)了英諾賽科清晰的雙軌戰(zhàn)略：一方面，利用在消費(fèi)電子領(lǐng)域積累的規(guī)模優(yōu)勢(shì)和成本控制能力，鞏固并捍衛(wèi)其市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位；另一方面，將這一規(guī)?；脚_(tái)作為跳板，向更多元化的工業(yè)和家電應(yīng)用領(lǐng)域滲透。
機(jī)器人革命：氮化鎵賦能下一代產(chǎn)品的必然性
機(jī)器人技術(shù)，特別是人形機(jī)器人的發(fā)展，正在為氮化鎵半導(dǎo)體開辟一個(gè)具有變革性意義的全新市場(chǎng)。先進(jìn)機(jī)器人，尤其是人形機(jī)器人，對(duì)功率器件的性能要求達(dá)到了前所未有的高度，這些要求恰恰是傳統(tǒng)硅基MOSFET難以滿足的物理瓶頸，而氮化鎵則提供了完美的解決方案。
首先，在功率密度方面，人形機(jī)器人的關(guān)節(jié)結(jié)構(gòu)空間極其有限。氮化鎵功率器件能夠?qū)Ⅱ?qū)動(dòng)板的體積減少約50%，整體芯片面積相較于硅基MOSFET可縮小超過(guò)50%，解決了機(jī)器人“寸土寸金”的設(shè)計(jì)難題。傳統(tǒng)硅器件的龐大體積使其根本無(wú)法被集成到緊湊的關(guān)節(jié)腔內(nèi)。
其次，在能源效率方面，傳統(tǒng)硅器件在開關(guān)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生巨大的能量損耗，占電機(jī)總功耗的23%，形成了限制機(jī)器人續(xù)航能力的“能耗黑洞”。而氮化鎵器件獨(dú)特的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)使其開關(guān)損耗比硅基器件降低了高達(dá)85%，極大地提升了能源利用效率，從而延長(zhǎng)了機(jī)器人的工作時(shí)間和續(xù)航里程。
最后，在響應(yīng)速度方面，機(jī)器人執(zhí)行精細(xì)動(dòng)作（例如在0.1秒內(nèi)將手指關(guān)節(jié)電機(jī)從靜止加速到500轉(zhuǎn)/分鐘）需要驅(qū)動(dòng)器支持極高的脈沖寬度調(diào)制（PWM）頻率。氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的開關(guān)速度遠(yuǎn)超硅基MOSFET，能夠?qū)崿F(xiàn)機(jī)器人所需的高速、精準(zhǔn)的電機(jī)控制，賦予機(jī)器人前所未有的靈活性和敏捷性。綜上所述，氮化鎵對(duì)于先進(jìn)機(jī)器人而言，并非僅僅是一種性能上的漸進(jìn)式改良，而是實(shí)現(xiàn)其設(shè)計(jì)目標(biāo)——即緊湊、高效、敏捷——的根本性前提技術(shù)。它構(gòu)成了驅(qū)動(dòng)機(jī)器人活動(dòng)的“功率神經(jīng)系統(tǒng)” 。英諾賽科與中國(guó)領(lǐng)先的具身智能公司上海智元機(jī)器人（Shanghai Agibot）的合作，是氮化鎵技術(shù)在人形機(jī)器人領(lǐng)域商業(yè)化應(yīng)用的一個(gè)里程碑事件。智元機(jī)器人已開始在其量產(chǎn)的人形機(jī)器人中集成英諾賽科的氮化鎵芯片，標(biāo)志著該技術(shù)已從理論驗(yàn)證階段邁向了規(guī)模化生產(chǎn)。
圖片來(lái)源：智元機(jī)器人
根據(jù)合作細(xì)節(jié)，氮化鎵芯片被應(yīng)用于機(jī)器人的關(guān)節(jié)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中。根據(jù)關(guān)節(jié)尺寸和負(fù)載的不同，其配置也不同：手指等小型關(guān)節(jié)需要3至6顆芯片，肘部等中型關(guān)節(jié)需要約12顆，而承載主要負(fù)荷的大型關(guān)節(jié)則需要多達(dá)24顆。據(jù)此計(jì)算，一臺(tái)基礎(chǔ)構(gòu)型的人形機(jī)器人對(duì)氮化鎵芯片的用量約為300顆。隨著未來(lái)機(jī)器人增加更多自由度（如五指靈巧手、腰部扭轉(zhuǎn)關(guān)節(jié)），單臺(tái)機(jī)器人的氮化鎵芯片用量可能將突破1000顆。
此次合作是對(duì)氮化鎵技術(shù)在機(jī)器人領(lǐng)域價(jià)值的首次大規(guī)模商業(yè)驗(yàn)證。它為英諾賽科帶來(lái)了關(guān)鍵的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，并為整個(gè)行業(yè)樹立了一個(gè)強(qiáng)有力的應(yīng)用范例。根據(jù)公開信息，今年搭載氮化鎵芯片的機(jī)器人出貨量有望達(dá)到“萬(wàn)臺(tái)級(jí)”規(guī)模，這預(yù)示著一個(gè)巨大的新市場(chǎng)正在被開啟。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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