在近期召開(kāi)的國(guó)際碳化硅及相關(guān)材料會(huì)議（ICSCRM） 上，國(guó)內(nèi)廠商天科合達(dá)全球首次公開(kāi)發(fā)布了8英寸低電阻碳化硅襯底。
圖片來(lái)源：天科合達(dá)
據(jù)悉，該低電阻襯底可將電阻率控制在7-12mΩ·cm范圍內(nèi)，僅為常規(guī)N型襯底電阻率的一半。層錯(cuò)缺陷控制是低電阻產(chǎn)品研發(fā)中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，天科合達(dá)科研團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)持續(xù)技術(shù)攻關(guān)，成功解決了低電阻率條件下層錯(cuò)缺陷密度過(guò)高的行業(yè)難題。低電阻率襯底是充分釋放碳化硅功率器件性能潛力的關(guān)鍵技術(shù)之一。
據(jù)研究人員測(cè)算，襯底電阻每降低1mΩ·cm，器件導(dǎo)通電阻可相應(yīng)降低2–4%，從而顯著減少大電流應(yīng)用中的能量損耗，為800V電驅(qū)系統(tǒng)、高壓快充、軌道交通、智能電網(wǎng)等高端應(yīng)用場(chǎng)景提供堅(jiān)實(shí)支撐。天科合達(dá)將率先在全球范圍內(nèi)推動(dòng)該低電阻襯底的送樣工作，助力客戶提升產(chǎn)品性能。
天科合達(dá)表示，公司不僅全球首發(fā)了#8英寸低電阻導(dǎo)電襯底，而且還在8英寸100微米厚外延片和12英寸晶體生長(zhǎng)技術(shù)上取得了并行突破。此外，公司碳化硅襯底累計(jì)銷量突破100萬(wàn)片，成就全球市場(chǎng)重要里程碑。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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