10月13日，劍橋氮化鎵器件公司（Cambridge GaN Devices, 以下簡稱“CGD”）宣布，與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商GlobalFoundries（格芯）達(dá)成重要制造合作。
此次合作將大幅增強(qiáng)CGD的供應(yīng)鏈能力，利用格芯成熟的8英寸晶圓制程，擴(kuò)大其獨(dú)有的ICeGaN?單晶片功率器件的全球供應(yīng)規(guī)模，以滿足電動汽車、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子等高增長市場對高效能、高可靠性GaN解決方案的迫切需求。
圖片來源：CGD公告截圖
合作焦點(diǎn)：鞏固Fabless戰(zhàn)略，加速規(guī)模化生產(chǎn)
此次CGD與GlobalFoundries的合作，是CGD邁向全球規(guī)模化生產(chǎn)的關(guān)鍵一步。通過與GF合作，CGD將能夠確保其核心ICeGaN?產(chǎn)品的制造能力和供應(yīng)鏈穩(wěn)定，這對于一家快速擴(kuò)張的公司至關(guān)重要。
CGD首席運(yùn)營官SimonStacey表示，此次合作將利用GF卓越的代工服務(wù)和對GaN技術(shù)的投入，能夠?qū)GD的設(shè)計流程與GF的制程設(shè)計套件（PDK）相結(jié)合，大幅加快下一代GaN功率器件的開發(fā)和上市速度。雙方將利用GlobalFoundries成熟的8英寸CMOS晶圓代工平臺，以具備競爭力的成本加速CGD單晶片GaN技術(shù)的量產(chǎn)。
公開資料顯示，CGD由Giorgia Longobardi博士和Florin Udrea教授于2016年創(chuàng)立，其技術(shù)根植于劍橋大學(xué)高壓微電子和傳感器研究組（HVMS）。公司的核心競爭力在于其ICeGaN?增強(qiáng)型氮化鎵 (HEMT) 技術(shù)，它徹底改變了GaN器件的設(shè)計方式。
ICeGaN?最顯著的特點(diǎn)是采用了獨(dú)特的單晶片集成架構(gòu)。它在同一GaN晶片上集成了GaN開關(guān)、智能介面和保護(hù)電路，與市面上大多數(shù)采用多晶片或共封裝的解決方案形成了鮮明對比。這種單晶片設(shè)計帶來了前所未有的易用性和高可靠性。
首先，ICeGaN?能夠像標(biāo)準(zhǔn)矽MOSFET一樣，直接由常用的矽MOSFET驅(qū)動器驅(qū)動，顯著簡化了客戶的設(shè)計流程，消除了使用復(fù)雜驅(qū)動電路的需求。其次，集成的保護(hù)電路提升了器件的抗雜訊能力和過壓耐受性，確保了卓越的柵極可靠性。這種整合不僅提高了GaN器件的固有優(yōu)勢——高效率和高功率密度，還解決了其在工業(yè)應(yīng)用中的易用性和可靠性挑戰(zhàn)。
除了制造端的戰(zhàn)略合作，CGD在技術(shù)應(yīng)用方面也積極布局，瞄準(zhǔn)高功率市場。公司最近推出了ComboICeGaN?技術(shù)，這是一種混合開關(guān)解決方案，將智能ICeGaNHEMTIC與IGBT（絕緣柵雙極晶體管）集成于同一模塊中。該技術(shù)旨在為電動汽車逆變器提供一種具成本效益、替代昂貴碳化矽（SiC）的解決方案，是CGD進(jìn)軍高功率汽車應(yīng)用的關(guān)鍵。
此外，CGD也與工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）簽署了合作備忘錄，共同開發(fā)先進(jìn)的高功率密度USB-PD適配器，為電動汽車、電動工具、筆記本電腦和手機(jī)等應(yīng)用提供高達(dá)140-240W的高效電源解決方案。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。