近日，納微半導體（Navitas Semiconductor）推出其第五代（Gen 5）GeneSiC?碳化硅技術平臺。這一全新平臺的發(fā)布標志著高性能功率轉換領域的一項重大飛躍，其核心在于引入了行業(yè)領先的“溝槽輔助平面網格”（Trench-Assisted Planar，簡稱TAP）架構，旨在滿足AI數(shù)據中心、可再生能源基礎設施及工業(yè)電氣化對極高能效與系統(tǒng)可靠性的雙重需求。
圖片來源：納微半導體
第五代GeneSiC?平臺通過TAP架構成功突破了傳統(tǒng)碳化硅設計的性能瓶頸。
該技術巧妙地融合了平面型結構（Planar）固有的堅固耐用性與溝槽型結構（Trench）的高單元密度優(yōu)勢。在關鍵的1200V產品線中，新平臺實現(xiàn)了顯著的參數(shù)優(yōu)化，RDS（ON）×QGD性能（FoM）相比上一代1200V技術提升了35%，這直接導致了傳導損耗與開關損耗的同步大幅降低。同時，高速開關通過QGD/QGS比值提升約25%，這種優(yōu)化后的電荷平衡使得系統(tǒng)能夠支持更高的開關頻率，從而有效縮小磁性元件的物理尺寸，大幅度提升系統(tǒng)的整體功率密度。
在系統(tǒng)集成與可靠性方面，第五代平臺展現(xiàn)出極強的適應性。其內置的“軟體二極管（Soft Body-Diode）”特性能夠顯著抑制電壓過沖并降低電磁干擾（EMI），這對于對噪聲敏感的AI電源單元（PSU）以及高功率工業(yè)驅動器而言至關重要。
納微半導體首席執(zhí)行官Gene Sheridan指出，第五代GeneSiC?不僅是性能上的演進，更是對復雜應用場景下高可靠性需求的深度響應。通過大幅降低系統(tǒng)熱負擔并提升單位面積功率，該平臺為全球能源效率的提升提供了堅實的技術支撐。
目前，第五代GeneSiC? 1200V系列產品已正式進入樣片分發(fā)階段，并優(yōu)先面向戰(zhàn)略合作伙伴供貨。納微半導體計劃于2026年下半年進一步擴大該平臺的生產規(guī)模，并陸續(xù)推出覆蓋更多電壓等級的產品組合，以全面支持全球范圍內的碳中和與能源轉型目標。
（集邦化合物半導體整理）
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