近日，納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）推出其第五代（Gen 5）GeneSiC?碳化硅技術(shù)平臺(tái)。這一全新平臺(tái)的發(fā)布標(biāo)志著高性能功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的一項(xiàng)重大飛躍，其核心在于引入了行業(yè)領(lǐng)先的“溝槽輔助平面網(wǎng)格”（Trench-Assisted Planar，簡稱TAP）架構(gòu)，旨在滿足AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施及工業(yè)電氣化對(duì)極高能效與系統(tǒng)可靠性的雙重需求。
圖片來源：納微半導(dǎo)體
第五代GeneSiC?平臺(tái)通過TAP架構(gòu)成功突破了傳統(tǒng)碳化硅設(shè)計(jì)的性能瓶頸。
該技術(shù)巧妙地融合了平面型結(jié)構(gòu)（Planar）固有的堅(jiān)固耐用性與溝槽型結(jié)構(gòu)（Trench）的高單元密度優(yōu)勢(shì)。在關(guān)鍵的1200V產(chǎn)品線中，新平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了顯著的參數(shù)優(yōu)化，RDS（ON）×QGD性能（FoM）相比上一代1200V技術(shù)提升了35%，這直接導(dǎo)致了傳導(dǎo)損耗與開關(guān)損耗的同步大幅降低。同時(shí)，高速開關(guān)通過QGD/QGS比值提升約25%，這種優(yōu)化后的電荷平衡使得系統(tǒng)能夠支持更高的開關(guān)頻率，從而有效縮小磁性元件的物理尺寸，大幅度提升系統(tǒng)的整體功率密度。
在系統(tǒng)集成與可靠性方面，第五代平臺(tái)展現(xiàn)出極強(qiáng)的適應(yīng)性。其內(nèi)置的“軟體二極管（Soft Body-Diode）”特性能夠顯著抑制電壓過沖并降低電磁干擾（EMI），這對(duì)于對(duì)噪聲敏感的AI電源單元（PSU）以及高功率工業(yè)驅(qū)動(dòng)器而言至關(guān)重要。
納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Gene Sheridan指出，第五代GeneSiC?不僅是性能上的演進(jìn)，更是對(duì)復(fù)雜應(yīng)用場景下高可靠性需求的深度響應(yīng)。通過大幅降低系統(tǒng)熱負(fù)擔(dān)并提升單位面積功率，該平臺(tái)為全球能源效率的提升提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐。
目前，第五代GeneSiC? 1200V系列產(chǎn)品已正式進(jìn)入樣片分發(fā)階段，并優(yōu)先面向戰(zhàn)略合作伙伴供貨。納微半導(dǎo)體計(jì)劃于2026年下半年進(jìn)一步擴(kuò)大該平臺(tái)的生產(chǎn)規(guī)模，并陸續(xù)推出覆蓋更多電壓等級(jí)的產(chǎn)品組合，以全面支持全球范圍內(nèi)的碳中和與能源轉(zhuǎn)型目標(biāo)。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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