近日，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域融資熱度持續(xù)攀升，杭州創(chuàng)銳光譜科技集團(tuán)有限公司（下稱“創(chuàng)銳光譜”）完成超億元A輪融資，蘇州鎵耀半導(dǎo)體科技有限公司（下稱“蘇州鎵耀半導(dǎo)體”）正式完成近億元A輪融資，山東晶鎵半導(dǎo)體有限公司（下稱“山東晶鎵半導(dǎo)體”）順利完成Pre-A輪融資。
1、山東晶鎵半導(dǎo)體超億元Pre-A輪融資落地
近日，山東晶鎵半導(dǎo)體已順利完成Pre-A輪融資，本輪投資方包括山東省新動能、興橙資本、源創(chuàng)多盈、歷城財(cái)金、北京芯啟航等知名新晉投資機(jī)構(gòu)重磅加盟，濟(jì)南市產(chǎn)發(fā)科創(chuàng)投、深圳合創(chuàng)、濟(jì)南產(chǎn)發(fā)集成電路三家老股東持續(xù)跟投。
資金主要用于氮化鎵襯底產(chǎn)線擴(kuò)建及技術(shù)迭代，助力企業(yè)擴(kuò)大產(chǎn)能、突破核心技術(shù)瓶頸，推動氮化鎵材料的國產(chǎn)化替代與商業(yè)化普及。
圖片來源：晶鎵半導(dǎo)體
山東晶鎵半導(dǎo)體成立于2023年8月，是依托山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室技術(shù)成果孵化而成的高科技企業(yè)，專注于氮化鎵（第三代半導(dǎo)體核心材料）單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。
該公司2025年6月完成GaN襯底產(chǎn)線通線，目前已實(shí)現(xiàn)2英寸氮化鎵襯底量產(chǎn)，同時突破4英寸襯底技術(shù)，是國內(nèi)少數(shù)具備2-4英寸量產(chǎn)能力的企業(yè)，助力國內(nèi)大尺寸高質(zhì)量襯底快速打破國際壟斷。
2、蘇州鎵耀半導(dǎo)體獲近億元A輪融資
近日，鎵耀半導(dǎo)體正式完成A輪近億元融資，蘇州資管等投資。融資資金將重點(diǎn)投入氧化鎵外延片及關(guān)鍵CVD設(shè)備的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，推動第三代半導(dǎo)體核心材料的國產(chǎn)替代進(jìn)程。
據(jù)官網(wǎng)介紹，蘇州鎵耀半導(dǎo)體成立于2022年，位于張家港保稅區(qū)，是一家專注于氧化鎵外延片及關(guān)鍵CVD設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的高科技企業(yè)。
公司以金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)為核心，開發(fā)出原子層沉積(ALD)MistCVD等多種真空薄膜沉積技術(shù)，專注于第三代及第四代化合物半導(dǎo)體材料外延生長設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。主要產(chǎn)品有氧化鎵MOCVD，氧化鎵MistCVD，氮化鎵MOCVD，ALD設(shè)備，二維材料CVD等薄膜沉積設(shè)備，為廣大科研院校和企業(yè)用戶提供全方位的薄膜生長解決方案。
3、杭州創(chuàng)銳光譜獲超億元A輪融資
據(jù)《界面新聞》報道，2026年3月18日，創(chuàng)銳光譜正式完成超億元A輪融資，本輪由杭實(shí)資管、海通創(chuàng)新、杭州高新金投集團(tuán)聯(lián)合領(lǐng)投，老股東君聯(lián)資本、光合創(chuàng)投持續(xù)加注，指數(shù)資本擔(dān)任獨(dú)家財(cái)務(wù)顧問，融資資金將主要用于技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能擴(kuò)容，進(jìn)一步深化第三代半導(dǎo)體檢測領(lǐng)域的布局。
創(chuàng)銳光譜創(chuàng)立于2016年，立足瞬態(tài)光譜核心技術(shù)，深耕科學(xué)儀器和半導(dǎo)體材料檢測兩大領(lǐng)域，是國內(nèi)第三代半導(dǎo)體檢測領(lǐng)域的標(biāo)桿企業(yè)，在大連、杭州、南京設(shè)有三大研發(fā)中心。
公司核心優(yōu)勢聚焦于第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）襯底缺陷檢測，其全球首創(chuàng)的SiC襯底位錯缺陷無損檢測系統(tǒng)已通過海外碳化硅行業(yè)頭部客戶驗(yàn)收，成功投入量產(chǎn)產(chǎn)線運(yùn)行，打破了高端檢測設(shè)備的進(jìn)口壟斷。
此前3月3日，創(chuàng)銳光譜官微宣布，其借助Dispec-9000碳化硅襯底位錯缺陷無損檢測設(shè)備，創(chuàng)銳光譜成功實(shí)現(xiàn)了12英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底位錯缺陷的無損檢測，這一突破性的進(jìn)展將為整個產(chǎn)業(yè)鏈的降本增效提供重要的支持。
融資熱潮下，第三代半導(dǎo)體行業(yè)未來可期
從行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀來看，第三代半導(dǎo)體（以碳化硅、氮化鎵、氧化鎵為核心）憑借耐高溫、耐高壓、低損耗等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、5G通信、光伏、儲能等高端領(lǐng)域，隨著AI算力需求爆發(fā)及全球數(shù)字化經(jīng)濟(jì)推進(jìn)，行業(yè)迎來快速發(fā)展期。
資本層面，創(chuàng)銳光譜、蘇州鎵耀半導(dǎo)體、山東晶鎵半導(dǎo)體的密集融資，折射出第三代半導(dǎo)體賽道融資熱度持續(xù)升溫，融資企業(yè)覆蓋檢測設(shè)備、核心材料等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，一方面體現(xiàn)了資本對行業(yè)發(fā)展前景的堅(jiān)定看好，另一方面也反映出行業(yè)正處于技術(shù)研發(fā)向產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵階段，核心材料、設(shè)備等“卡脖子”環(huán)節(jié)亟需資本支持。
總體而言，隨著政策支持力度加大、資本持續(xù)注入、技術(shù)不斷突破，第三代半導(dǎo)體行業(yè)將持續(xù)升溫，未來將逐步實(shí)現(xiàn)核心環(huán)節(jié)自主可控，推動我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高端化、多元化發(fā)展，為數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展提供核心支撐。
（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）
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