文章分類： 企業(yè)

安世半導(dǎo)體車規(guī)級碳化硅新動態(tài)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 13 日 16:06 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
在新能源汽車產(chǎn)業(yè)加速奔向“電動化+智能化”的浪潮中，碳化硅（SiC）功率器件正不斷重塑產(chǎn)業(yè)格局。作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，碳化硅憑借耐高壓、耐高溫、低損耗等特性，成為電動汽車主驅(qū)逆變器、充電樁等核心部件的“理想搭檔”。 隨著技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈成熟，車規(guī)級碳化硅市場已從概念驗(yàn)證邁入...  [詳內(nèi)文]

10億元，揚(yáng)杰科技SiC車規(guī)級功率模塊封裝項(xiàng)目開工！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 12 日 14:27 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月9日，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚(yáng)杰科技”）宣布其SiC車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目正式開工。 source：揚(yáng)杰科技 該項(xiàng)目總投資10億元人民幣，聚焦車規(guī)級框架式、塑封式IGBT模塊及SiC MOSFET模塊等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)，旨在通過技術(shù)突破實(shí)...  [詳內(nèi)文]

全球首個氮化鎵量子光源芯片發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 12 日 14:25 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月9日，電子科技大學(xué)教授、天府絳溪實(shí)驗(yàn)室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心主任周強(qiáng)，正式發(fā)布了全球首個氮化鎵量子光源芯片。這一突破性成果標(biāo)志著中國在量子科技領(lǐng)域邁出了重要一步，為量子互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展提供了關(guān)鍵硬件支撐。 source：成都市發(fā)展改革委 據(jù)悉，氮化鎵量子光源芯片的實(shí)際尺寸僅有0...  [詳內(nèi)文]

寧波材料所碳化硅纖維研究獲重大突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 12 日 14:24 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所（以下簡稱“寧波材料所”）宣布，其研發(fā)的高結(jié)晶連續(xù)碳化硅纖維（NIMTE-S13）在性能上實(shí)現(xiàn)了重大突破。經(jīng)中國合格評定國家認(rèn)可委員會（CNAS）認(rèn)證的第三方檢測機(jī)構(gòu)驗(yàn)證，NIMTE-S13的平均拉伸強(qiáng)度達(dá)到2.4 GPa，拉伸模量為440...  [詳內(nèi)文]

英飛凌公布最新財報并發(fā)布碳化硅新品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 09 日 16:15 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月8日，#英飛凌?發(fā)布2025財年第二季度的財報（截至2025年3月31日），該季度英飛凌營收為35.91億歐元，利潤為6.01億歐元，利潤率16.7%。 source：英飛凌 受國際形勢影響，英飛凌2025年的同比增速將略有下降。英飛凌預(yù)計第三財季營收37億歐元，市場預(yù)估3...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed預(yù)計2026財年收入低于預(yù)期

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 09 日 16:11 |
| 分類: 企業(yè)
碳化硅技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)#Wolfspeed?于5月8日發(fā)布預(yù)警，預(yù)計其2026財年收入將遠(yuǎn)低于華爾街預(yù)期，由此前的9.587億美元下調(diào)至8.5億美元，收入預(yù)期下調(diào)主要?dú)w因于新工廠產(chǎn)能爬坡挑戰(zhàn)、運(yùn)營成本以及聯(lián)邦補(bǔ)貼的不確定性。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 作為SiC技術(shù)的先行...  [詳內(nèi)文]

山東離子注入機(jī)迎突破，助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 09 日 16:07 | | 分類: 企業(yè)
近期，大眾日報報道#艾恩半導(dǎo)體?自主研發(fā)制造的第一代碳化硅離子注入機(jī)已經(jīng)推向市場，正由芯片制造廠商進(jìn)行驗(yàn)證。 除已推向市場的第一代碳化硅離子注入機(jī)外，艾恩半導(dǎo)體對標(biāo)國際領(lǐng)先技術(shù)水平的第二代碳化硅離子注入機(jī)目前正在緊鑼密鼓的研發(fā)過程中，有望于今年9月面市。今年6月，該公司還將推出一...  [詳內(nèi)文]

納微、天岳先進(jìn)發(fā)布Q1成績單：營收承壓，技術(shù)突圍

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 08 日 14:01 |
| 分類: 企業(yè)
近期，全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)迎來財報季關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，納微半導(dǎo)體和天岳先進(jìn)分別交出第一季度成績單。兩家企業(yè)分別作為功率器件設(shè)計與碳化硅襯底制造領(lǐng)域的標(biāo)桿，在當(dāng)前復(fù)雜的宏觀環(huán)境下，營收規(guī)模雖呈現(xiàn)階段性收縮，但均通過核心技術(shù)深耕與戰(zhàn)略市場卡位，展現(xiàn)出穿越周期的產(chǎn)業(yè)韌性。 01、納微半導(dǎo)體：營...  [詳內(nèi)文]

三家公司披露8英寸碳化硅最新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 08 日 13:59 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
在半導(dǎo)體材料革命的浪潮中，碳化硅（SiC）以其耐高壓、高頻、高溫的卓越性能，正加速滲透各個領(lǐng)域。近年，我國積極發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，在8英寸、12英寸取得了喜人成績。近期，國內(nèi)三家公司8英寸碳化硅領(lǐng)域傳出新進(jìn)展。 01、超芯星開啟8英寸碳化硅襯底量產(chǎn) 近期，南京日報深度對話超芯星聯(lián)合創(chuàng)...  [詳內(nèi)文]

半導(dǎo)體設(shè)備大廠助力磷化銦芯片擴(kuò)產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 08 日 13:56 |
| 分類: 企業(yè)
5月6日，半導(dǎo)體沉積設(shè)備愛思強(qiáng)宣布，公司最新G10-AsP系統(tǒng)已交付荷蘭磷化銦（InP）代工企業(yè)SMART Photonics。 該設(shè)備專為砷化物/磷化物應(yīng)用設(shè)計，采用創(chuàng)新的注入器和先進(jìn)溫控技術(shù)，使關(guān)鍵層的晶圓均勻性較前代產(chǎn)品提升4倍，同時，具備全自動盒到盒操作能力，并通過原位清...  [詳內(nèi)文]