文章分類： 企業(yè)

臺積電宣布退出/調(diào)整6、8英寸產(chǎn)能，SiC、GaN受關(guān)注！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 13 日 14:09 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月12日，全球晶圓代工龍頭臺積電（TSMC）披露，董事會已決定在未來兩年內(nèi)逐步退出6英寸晶圓制造業(yè)務(wù)，并持續(xù)整并8英寸晶圓產(chǎn)能。此舉對第三代半導(dǎo)體的碳化硅和氮化鎵產(chǎn)生了不同程度的影響。 臺積電在聲明中指出，此項(xiàng)決定不會影響公司先前公布的財務(wù)目標(biāo)，即2025年美元營收將增長約30...  [詳內(nèi)文]

天岳先進(jìn)大力擴(kuò)產(chǎn)，港股募約17.64億元！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 12 日 13:38 |
| 分類: 企業(yè)
8月11日，山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進(jìn)”）正式開啟港股招股，計(jì)劃全球發(fā)售4774.57萬股H股，其中香港發(fā)售占5%，國際發(fā)售占95%，發(fā)售價將不高于42.8港元。此次IPO引入了國能環(huán)保、未來資產(chǎn)證券、山金資產(chǎn)、和而泰等5名基石投資者，合計(jì)認(rèn)購約7.4億港元...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed、英諾賽科動態(tài)，涉及碳化硅、氮化鎵新品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 17:05 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，Wolfspeed與英諾賽科近日推出創(chuàng)新產(chǎn)品——Wolfspeed發(fā)布第四代1200V車規(guī)級碳化硅MOSFET，英諾賽科推出全球首款100V氮化鎵低邊驅(qū)動IC，雙雙發(fā)力，為新能源汽車動力系統(tǒng)與電池管理生態(tài)注入新動能。 1、Wolfspeed推出第四代1200V車...  [詳內(nèi)文]

中芯國際：未來將配合建立SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:42 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍在業(yè)績會上表示，公司未來將根據(jù)國際客戶的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能。 這一戰(zhàn)略舉措標(biāo)志著中芯國際在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)一步拓展，旨在滿足國內(nèi)市場對高端半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)射頻新篇章，歐益睿芯6英寸GaN工藝平臺開放

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:39 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
隨著5G/6G通信、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星互連等高頻高功率應(yīng)用場景的快速發(fā)展，碳化硅襯底氮化鎵（GaN on SiC）技術(shù)已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭焦點(diǎn)。在國際廠商主導(dǎo)的市場格局下，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的自主化進(jìn)程對高可靠性、高性能、低成本的本土工藝平臺需求日益迫切。 近日，合肥歐益睿芯科技有限公...  [詳內(nèi)文]

英國這家初創(chuàng)公司，憑兩大新專利進(jìn)軍GaN與SiC市場

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:01 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
隨著寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域部分核心專利陸續(xù)到期，一場技術(shù)創(chuàng)新的浪潮正悄然興起。英國初創(chuàng)公司#柵源漏半導(dǎo)體（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住這一歷史機(jī)遇，正專注于研發(fā)新一代的專利保護(hù)型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件。該公司計(jì)劃在未來2-3年內(nèi)，推出垂直...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體透露碳化硅、氮化鎵業(yè)務(wù)進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 06 日 14:12 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，納微半導(dǎo)體公布2025年第二季度財報，同時該公司在財報會議中透露了碳化硅與氮化鎵業(yè)務(wù)進(jìn)展。 圖片來源：納微半導(dǎo)體官網(wǎng)新聞稿截圖 據(jù)悉，英偉達(dá)已經(jīng)與納微半導(dǎo)體進(jìn)行開發(fā)合作，以支持下一代 800V 數(shù)據(jù)中心。納微半導(dǎo)體將在固態(tài)變壓器（SST）、800V DC/DC以及48V...  [詳內(nèi)文]

晶升股份推出SCML320A碳化硅外延爐

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 06 日 14:05 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
8月5日，晶升股份官微宣布成功開發(fā)出新一代SCML320A系列水平式8英寸碳化硅外延爐。 圖片來源：晶升股份 據(jù)了解，晶升股份SCML320A碳化硅外延爐生長速率≥60μm/h，膜厚均勻性＜1%，摻雜均勻性＜2%，指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平。此外，還支持N/P兩種摻雜類型，可以滿足不...  [詳內(nèi)文]

方正微電子、安世半導(dǎo)體發(fā)布最新碳化硅新品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 06 日 13:42 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域迎來了一系列重要新品發(fā)布，其中安世半導(dǎo)體（Nexperia）以及方正微電子均推出了各自的新產(chǎn)品。 方正微電子：高性能碳化硅 MOS 功率模塊發(fā)布 近日，深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)有限公司旗下的深圳方正微電子有限公司（以下簡稱“方正微電子”）正式推出了一款...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技+銷售易，功率半導(dǎo)體領(lǐng)域又一起合作

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 05 日 14:15 |
| 分類: 企業(yè) , 功率
近日，功率半導(dǎo)體器件龍頭揚(yáng)杰科技與騰訊旗下CRM銷售易達(dá)成合作。 銷售易將助力揚(yáng)杰科技搭建?“前端客戶連接 — 中端流程協(xié)同 — 后端數(shù)據(jù)決策” 的一體化管理體系，支撐其從 “產(chǎn)品驅(qū)動” 向 “客戶驅(qū)動” 的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型落地 。 銷售易公司指出，全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控正在成為未來國產(chǎn)半導(dǎo)體...  [詳內(nèi)文]