文章分類： 企業(yè)

約10.76億元，AOS出售重慶萬國半導(dǎo)體20%股權(quán)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 18 日 14:43 |
| 分類: 企業(yè)
近日，美國功率半導(dǎo)體公司Alpha and Omega Semiconductor(AOS)宣布，與一未公開戰(zhàn)略投資者達(dá)成協(xié)議，以1.5億美元（約10.76億元）出售其在重慶萬國半導(dǎo)體20.3%的股權(quán)，該股權(quán)約占AOS在合資公司39.2%持股的一半，交易預(yù)計(jì)2025年底前完成。 ...  [詳內(nèi)文]

時(shí)代電氣、三安光電披露碳化硅業(yè)務(wù)最新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 17 日 13:46 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，時(shí)代電氣、三安光電兩家公司在投資者互動(dòng)平臺(tái)答復(fù)投資者關(guān)心的問題，涉及碳化硅產(chǎn)能、技術(shù)等新進(jìn)展。 時(shí)代電氣表示，公司擁有一條6英寸SiC芯片產(chǎn)線，當(dāng)前已具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸SiC芯片產(chǎn)能。 當(dāng)前公司SiC第四代溝槽柵產(chǎn)品已完成設(shè)計(jì)定型，達(dá)行業(yè)先進(jìn)水平，第五代SiC技術(shù)也已...  [詳內(nèi)文]

廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 16 日 13:56 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
“廣東致能半導(dǎo)體有限公司”官微消息，近期，廣東致能創(chuàng)始人黎子蘭博士參加在瑞典舉辦的第十五屆國際氮化物半導(dǎo)體會(huì)議（ICNS-15）并作邀請報(bào)告（Invited Talk）。報(bào)告分享了團(tuán)隊(duì)在硅基垂直氮化鎵功率器件（GaN HEMT）技術(shù)上的原創(chuàng)性突破及應(yīng)用前景。 廣東致能團(tuán)隊(duì)全球首創(chuàng)...  [詳內(nèi)文]

跨界聯(lián)合，天岳先進(jìn)與舜宇?yuàn)W來達(dá)成SiC戰(zhàn)略合作

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 16 日 13:52 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
7月15日，據(jù)天岳先進(jìn)官微消息，舜宇?yuàn)W來已經(jīng)于7月14日與天岳先進(jìn)達(dá)成戰(zhàn)略合作，開啟微納米光學(xué)領(lǐng)域和新材料領(lǐng)域兩家龍頭企業(yè)合作新篇章。作為行業(yè)內(nèi)的兩大重要企業(yè)，雙方的攜手將為SiC技術(shù)的應(yīng)用拓展與產(chǎn)業(yè)升級(jí)注入新的活力。 圖片來源：天岳先進(jìn) 天岳先進(jìn)成立于2010年，2022年上...  [詳內(nèi)文]

轉(zhuǎn)型半導(dǎo)體大廠聞泰科技董事會(huì)“大換血”

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 16 日 13:44 |
| 分類: 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
聞泰科技正經(jīng)歷一場從高層人事調(diào)整到核心業(yè)務(wù)重塑的全面變革。公司于7月15日發(fā)布公告，宣布董事長兼總裁張秋紅、職工代表董事兼副總裁董波濤、董事謝國聲以及董事會(huì)秘書高雨等多位核心管理人員因工作變動(dòng)原因集體辭任。 圖片來源：聞泰科技公告截圖 此次管理層的“大換血”，與公司正在積極推進(jìn)...  [詳內(nèi)文]

士蘭微最新業(yè)績預(yù)告：將實(shí)現(xiàn)扭虧為盈

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 15 日 14:01 |
| 分類: 企業(yè)
7月15日，杭州士蘭微電子股份有限公司（以下簡稱“士蘭微”）發(fā)布2025年半年度業(yè)績預(yù)告。 圖片來源：士蘭微公告截圖 公告表示，士蘭微預(yù)計(jì)2025年1-6月實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤為23,500萬元到27,500萬元，與上年同期相比，將實(shí)現(xiàn)扭虧為盈；預(yù)計(jì)2025年1-6月...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科宣布，產(chǎn)能再擴(kuò)張！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 15 日 13:47 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
英諾賽科（Innoscience）正通過產(chǎn)能拓展、技術(shù)創(chuàng)新及戰(zhàn)略合作強(qiáng)化，持續(xù)鞏固其市場地位。公司計(jì)劃在未來五年內(nèi)顯著提升晶圓產(chǎn)能，同時(shí)推出新一代產(chǎn)品平臺(tái)并積極布局車規(guī)級(jí)、AI服務(wù)器等高增長應(yīng)用市場。 產(chǎn)能布局與技術(shù)路線：聚焦8英寸，展望12英寸 英諾賽科正加速其8英寸氮化鎵晶圓...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子、珂瑪科技披露碳化硅產(chǎn)品新動(dòng)態(tài)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 14 日 15:36 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
在全球能源轉(zhuǎn)型與半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)的交匯點(diǎn)上，#碳化硅 正以技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)業(yè)化落地雙輪驅(qū)動(dòng)，重塑電力電子與高端制造的競爭格局。我國在SiC器件設(shè)計(jì)、模塊封裝及高端材料制備領(lǐng)域正不斷取得新突破。近期，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈再傳捷報(bào)：瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)百萬級(jí)量產(chǎn)交...  [詳內(nèi)文]

1.8億！賽晶半導(dǎo)體收購湖南虹安

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 14 日 15:30 |
| 分類: 企業(yè)
2025年7月13日，賽晶科技發(fā)布公告稱：7月11日，賽晶半導(dǎo)體及現(xiàn)有股東與創(chuàng)鑫云（廈門）科技投資有限公司、崇竣科技有限公司、港灣亞洲資本有限公司、協(xié)芯科技有限公司（簡稱“投資者”）正式簽署增資協(xié)議。 圖片來源：賽晶科技 根據(jù)協(xié)議，賽晶半導(dǎo)體增加注冊資本420.6136萬美元，...  [詳內(nèi)文]

銀河微電3.1億元啟動(dòng)高端分立器件新廠房建設(shè)！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 14 日 15:27 |
| 分類: 企業(yè)
7月11日，銀河微電發(fā)布公告，將以3.1億元啟動(dòng)“高端集成電路分立器件產(chǎn)業(yè)化基地一期廠房建設(shè)項(xiàng)目”，項(xiàng)目選址江蘇常州市新北區(qū)薛家鎮(zhèn)，周期30個(gè)月。這筆資金主要用于購置土地和廠房土建，為后續(xù)引進(jìn)先進(jìn)設(shè)備、打造智能化生產(chǎn)線鋪路。 圖片來源：銀河微電公告截圖 公開資料顯示，銀河微電當(dāng)...  [詳內(nèi)文]