近期，碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域迎來了一系列重要新品發(fā)布，其中安世半導(dǎo)體（Nexperia）以及方正微電子均推出了各自的新產(chǎn)品。
方正微電子：高性能碳化硅 MOS 功率模塊發(fā)布
近日，深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團有限公司旗下的深圳方正微電子有限公司（以下簡稱“方正微電子”）正式推出了一款高性能的碳化硅（SiC）MOS功率模塊——FA120P002AA（1200V 2.1mΩ）。
圖片來源：方正微電子
該模塊采用了方正微電子自研自產(chǎn)的車規(guī)級SiC MOS芯片，并通過芯片銀燒結(jié)、DTS等先進工藝進行封裝。在內(nèi)部設(shè)計上，該模塊采用了合理緊湊的芯片布局，有效降低了電壓尖峰、電壓振蕩、開關(guān)損耗以及EMI噪聲等問題，提升了模塊的電氣性能和在復(fù)雜工況下的適應(yīng)性。
在應(yīng)用表現(xiàn)方面，F(xiàn)A120P002AA模塊已經(jīng)針對新能源汽車主驅(qū)應(yīng)用場景進行了多工況的電機臺架測試。測試結(jié)果顯示，該模塊在波形、芯片溫度、堵轉(zhuǎn)、循環(huán)工況以及老化等方面表現(xiàn)出色，能夠為新能源純電動汽車和混合電動汽車的主驅(qū)逆變器提供最優(yōu)的解決方案。
此外，該模塊還滿足國際電子元件AQG-324可靠性標(biāo)準(zhǔn)，其芯片關(guān)鍵可靠性項目可輕松通過3000小時認(rèn)證，進一步證明了其卓越的可靠性和耐用性。
安世半導(dǎo)體：1200V 20A 碳化硅肖特基二極管發(fā)布
安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布推出兩款1200V 20A SiC肖特基二極管，旨在滿足AI服務(wù)器、電信設(shè)備和太陽能逆變器應(yīng)用的電源裝置對超低功率損耗整流器的需求。
體1.png)
圖片來源：安世半導(dǎo)體
據(jù)介紹，PSC20120J和PSC20120肖特基二極管通過不受溫度影響的電容開關(guān)和零恢復(fù)特性實現(xiàn)了領(lǐng)先的性能。此外，其開關(guān)性能幾乎完全不受電流和開關(guān)速度變化的影響。
這兩款二極管具備合并式 PiN 肖特基（MPS）結(jié)構(gòu)，在抵御浪涌電流上展現(xiàn)出穩(wěn)健性，降低了對額外保護電路的要求。PSC20120J采用真雙引腳D2PAK R2P（TO-263-2）表面貼裝器件（SMD）功率塑料封裝，而PSC20120L則采用真雙引腳TO247 R2P（TO-247-2）通孔功率塑料封裝。這些特性使得安世半導(dǎo)體的SiC肖特基二極管在高性能電源應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。