8月5日，晶升股份官微宣布成功開發(fā)出新一代SCML320A系列水平式8英寸碳化硅外延爐。
圖片來源：晶升股份
據(jù)了解，晶升股份SCML320A碳化硅外延爐生長速率≥60μm/h，膜厚均勻性＜1%，摻雜均勻性＜2%，指標(biāo)達到國際先進水平。此外，還支持N/P兩種摻雜類型，可以滿足不同產(chǎn)品需求；采用成熟的生長工藝，邊部參數(shù)可控，工藝可調(diào)性強；新增摻雜氣體工藝，提升生產(chǎn)穩(wěn)定性。
晶升股份成立于2012年，是一家專注于半導(dǎo)體晶體生長設(shè)備領(lǐng)域的企業(yè)，2016年首臺12英寸半導(dǎo)體級單晶硅爐研制成功，2018年首臺第三代化合物半導(dǎo)體碳化硅單晶爐正式交付客戶，2023年在上交所科創(chuàng)板上市。主要從事晶體生長設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，聚焦于半導(dǎo)體領(lǐng)域，向半導(dǎo)體材料廠商及其他材料客戶提供半導(dǎo)體級單晶硅爐、碳化硅單晶爐和其他設(shè)備等定制化產(chǎn)品。
碳化硅外延是碳化硅器件制造中承上啟下的核心環(huán)節(jié)，其質(zhì)量直接決定了器件的性能、可靠性和成本。隨著新能源汽車、光伏發(fā)電等領(lǐng)域的快速發(fā)展，碳化硅外延技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新和突破將成為推動碳化硅器件大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵驅(qū)動力。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。