據(jù)韓媒THE ELEC于2026年3月19日報(bào)道，三星的8英寸氮化鎵（GaN）生產(chǎn)線已準(zhǔn)備就緒。
三星半導(dǎo)體在2023年曾宣布其功率半導(dǎo)體晶圓廠將于2025年投產(chǎn)，但實(shí)際進(jìn)度有所滯后。據(jù)最新行業(yè)消息，三星的首條8英寸GaN生產(chǎn)線預(yù)計(jì)最快將于2026年第二季度投產(chǎn)，初期營收規(guī)模預(yù)計(jì)不超過1000億韓元。
報(bào)道稱，三星電子已構(gòu)建了除芯片設(shè)計(jì)外的GaN解決方案體系，能夠自主生產(chǎn)GaN外延晶圓。
此外，三星電子還計(jì)劃在今年內(nèi)啟動碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓代工生產(chǎn)線的運(yùn)營。三星在SiC領(lǐng)域具備包括設(shè)計(jì)在內(nèi)的全流程能力，可與GaN在不同耐壓區(qū)間形成互補(bǔ)。
此前有媒體報(bào)道，三星已投資約1000億至2000億韓元引進(jìn)先進(jìn)工藝設(shè)備，其中包括Aixtron的MOCVD設(shè)備，用于碳化硅和氮化鎵（GaN）晶圓的加工。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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