文章分類： 氮化鎵GaN

2023年全球IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)綜整研析

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 01 日 17:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2023年第一季Top10 IC設(shè)計(jì)廠商營(yíng)收表現(xiàn)皆走弱，第一～三名排名出現(xiàn)變動(dòng)。 Broadcom超車NVIDIA奪下第二名位置，不過(guò)Broadcom與NVIDIA尚未公布營(yíng)收，此處采用財(cái)測(cè)數(shù)字，且差距極小，因此實(shí)際排名狀況或有不同，其他排名則略有變動(dòng)。 由于整體供應(yīng)鏈庫(kù)存持續(xù)修...  [詳內(nèi)文]

碳化硅與氮化鎵，誰(shuí)擁有更廣闊的星辰大海

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 31 日 17:23 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
當(dāng)下，低碳化和數(shù)字化齊頭并進(jìn)的發(fā)展，帶來(lái)了萬(wàn)物互聯(lián)、能源效率、未來(lái)出行等多重變革。而在這個(gè)突飛猛進(jìn)的過(guò)程中，第三代半導(dǎo)體則發(fā)揮著重要作用。 同屬第三代半導(dǎo)體，碳化硅和氮化鎵近年來(lái)不斷發(fā)光發(fā)熱，成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的“流量明星”。那么，這兩種材料，誰(shuí)的市場(chǎng)前景更大呢？ 碳化硅和氮化鎵：在...  [詳內(nèi)文]

【會(huì)議預(yù)告】國(guó)星光電：GaN的SIP封裝及其應(yīng)用

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 31 日 17:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN
SIP（系統(tǒng)級(jí)封裝）技術(shù)是通過(guò)將多個(gè)裸片及無(wú)源器件整合在單個(gè)封裝體內(nèi)的集成電路封裝技術(shù)。在后摩爾時(shí)代，SiP技術(shù)可以幫助芯片成品增加集成度、減小體積并降低功耗。 國(guó)星光電已開(kāi)發(fā)出多款使用SIP封裝的GaN-IC產(chǎn)品，可在LED驅(qū)動(dòng)電源、LED顯示器驅(qū)動(dòng)電源、墻體插座快充、移動(dòng)排插...  [詳內(nèi)文]

第一季全球新能源車銷量達(dá)265.6萬(wàn)輛，特斯拉市占回升

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 31 日 17:21 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì)，2023年第一季全球新能源車（NEV；包含純電動(dòng)車、插電混合式電動(dòng)車、氫燃料電池車）銷售總量為265.6萬(wàn)輛，年增28%。其中純電動(dòng)車（BEV）銷量為194.2萬(wàn)輛，年成長(zhǎng)26%；插電混合式電動(dòng)車（PHEV）銷量71.1萬(wàn)輛，年增34%。 ...  [詳內(nèi)文]

華燦光電完成650V GaN產(chǎn)品小批量出樣和測(cè)試

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 30 日 17:25 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，華燦光電在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)稱，公司目前已完成了650V GaN產(chǎn)品的小批量出樣和測(cè)試，650V GaN MOSFET出樣，性能可符合高頻AC/DC PD 65W快充應(yīng)用。 華燦光電表示，2022年，在自有外延方面，已啟動(dòng)6英寸藍(lán)寶石襯底研發(fā)，初步完成650VGaN on Si...  [詳內(nèi)文]

全球InP產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀淺析

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 29 日 17:26 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
作為化合物半導(dǎo)體材料，InP（磷化銦）半導(dǎo)體元件具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度較高等特性，在光通信、數(shù)據(jù)中心、新一代顯示、人工智能、無(wú)人駕駛、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 目前InP材料主要用于制造光子元件和微波射頻元件，其在光子領(lǐng)域具...  [詳內(nèi)文]

【會(huì)議預(yù)告】AIXTRON：寬禁帶半導(dǎo)體器件量產(chǎn)解決方案

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 26 日 17:31 |
| 分類: 氮化鎵GaN
隨著新能源汽車、5G、快充等產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，以碳化硅，氮化鎵為首的寬禁帶半導(dǎo)體下游領(lǐng)域需求不斷增加。加之國(guó)內(nèi)外政策的推動(dòng)，寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在爆發(fā)巨大的發(fā)展?jié)摿Α?市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，各大廠商開(kāi)始“排兵布陣”，形成量產(chǎn)，設(shè)備產(chǎn)業(yè)迎來(lái)了熱潮， 寬禁帶半導(dǎo)體器件量產(chǎn)成為了產(chǎn)業(yè)聚焦的問(wèn)題。 ...  [詳內(nèi)文]

多應(yīng)用驅(qū)動(dòng)！SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體未來(lái)可期

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 24 日 17:14 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
關(guān)于第三代半導(dǎo)體的疑慮，這場(chǎng)研討會(huì)都有答案。 第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)，先天性能優(yōu)越，是新能源汽車、5G、光伏等領(lǐng)域的“香餑餑”。然而，現(xiàn)實(shí)與理想之間尚有較大差距，我們對(duì)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展仍存疑慮。 為進(jìn)一步剖析第三代半導(dǎo)體的現(xiàn)...  [詳內(nèi)文]

發(fā)力SiC、GaN，這兩大美企又有新動(dòng)作

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 24 日 17:09 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，據(jù)外媒報(bào)道，Axcelis向歐洲、亞洲客戶交付了多臺(tái)Purion H200 SiC Power Serie離子注入系統(tǒng)；Transphorm與美國(guó)國(guó)家安全技術(shù)加速機(jī)構(gòu)簽訂協(xié)議。 1、Axcelis交付數(shù)臺(tái)離子注入機(jī) 美國(guó)離子注入設(shè)備制造商Axcelis公司日前宣布，向歐洲、...  [詳內(nèi)文]

牽頭歐洲聯(lián)合研究計(jì)劃，英飛凌再發(fā)力GaN功率半導(dǎo)體！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 23 日 18:18 |
| 分類: 氮化鎵GaN
作為國(guó)際功率半導(dǎo)體龍頭廠商之一，英飛凌的動(dòng)態(tài)備受市場(chǎng)關(guān)注，在相關(guān)行業(yè)扮演著重要的角色，尤其是SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)。 今年3月，英飛凌宣布擬收購(gòu)GaN芯片龍頭GaN Systems一事便在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域引起巨大反響，不僅將GaN再次推到聚光燈之下，傳遞著GaN將加速在...  [詳內(nèi)文]