文章分類： 氮化鎵GaN

3大射頻/碳化硅相關項目落地、開工、投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 23 日 18:15 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
今年以來，國內各地第三代半導體相關項目建設如火如荼，與終端市場需求的蒸蒸日上遙相呼應。近日，又有3大項目落地、開工、投產(chǎn)，涉及射頻及SiC碳化硅等領域。 漢天下14億元射頻模塊項目簽約落戶浙江湖州 據(jù)報道，5月18日，浙江省“415X”先進制造業(yè)專項基金群啟動暨簽約儀式舉行。會上...  [詳內文]

ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 22 日 18:59 |
| 分類: 氮化鎵GaN
全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT “GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。 據(jù)悉，電源和電機的用電量占全世界...  [詳內文]

金剛石功率器件要來了！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 18 日 18:28 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
外媒15日消息，日本精密零部件制造商Orbray與車載半導體研究公司Mirise Technologies（日本電裝與豐田合成于2020年聯(lián)合成立的合資公司）已經(jīng)達成戰(zhàn)略合作關系，將聯(lián)合開發(fā)垂直結構金剛石功率器件。 據(jù)悉，合作項目為期3年，Orbray和Mirise將利用各自在...  [詳內文]

直擊深圳國際半導體展：30+三代半廠商亮相！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 18 日 11:36 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
5月16日，為期三天的SEMI-e第五屆深圳國際半導體技術暨應用展覽會在深圳國際會展中心（寶安新館）盛大開幕。 本屆展會以“芯機會 智未來〞為主題，涵蓋6大特色展區(qū)，包括電子元器件、IC設計&芯片、晶圓制造及封裝、半導體設備、半導體材料、第三代半導體，為各領域的行業(yè)人士...  [詳內文]

【會議預告】華燦光電：GaN功率器件創(chuàng)新應用市場前景分析

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 15 日 17:40 |
| 分類: 氮化鎵GaN
GaN功率器件具有良好的耐熱性、導電性和散熱性。與硅元件相比，GaN功率器件具有更高的電流密度和遷移率。 基于GaN功率器件的電能轉換技術作為電力電子領域的核心技術之一，廣泛應用于消費電子、數(shù)據(jù)中心等諸多領域，是推進電能高效利用的關鍵技術，也是節(jié)能減排的重要技術。 華燦光電十五年...  [詳內文]

納微半導體發(fā)布全新GeneSiC SiCPAK?模塊

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 12 日 11:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，納微半導體宣布其采用了全新SiCPAK?模塊和裸片的領先碳化硅功率產(chǎn)品已擴展到更高功率市場，包括鐵路、電動汽車、工業(yè)、太陽能、風能和能量儲存等領域。 Source：納微半導體 目標應用領域涵蓋集中式和組串式太陽能逆變器、能量儲存系統(tǒng)（ESS）、工業(yè)運動控制，電動汽車（EV...  [詳內文]

英諾賽科進軍高壓高功率市場，最新成果發(fā)布！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 11 日 17:29 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，海內外諸多SiC、GaN廠商發(fā)布新品新技術。據(jù)化合物半導體市場不完全統(tǒng)計，安森美、英飛凌、安世半導體、英諾賽科、納微半導體、Transphorm、EPC、CGD等都發(fā)布了GaN或SiC最新開發(fā)成果，性能升級，應用范圍也進一步拓寬。其中，英諾賽科便發(fā)布了聯(lián)合研究成果，為進軍高...  [詳內文]

三安、英諾賽科、納微等云集，PCIM 2023亮點搶先看！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 11 日 16:11 | | 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
5月9日，聚焦電力電子、智能運動、可再生能源及能源管理的2023德國紐倫堡電力電子展PCIM Europe開幕（5/9-11），海內外SiC/GaN第三代半導體廠商匯聚一堂，以最新的技術和產(chǎn)品，向市場展示了SiC、GaN在電動汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏儲能、通信基站、工業(yè)自動化等高壓高...  [詳內文]

【英諾賽科】GaN芯片出貨量全球第一！助力綠色能源高速發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 09 日 17:50 |
| 分類: 氮化鎵GaN
GaN正由當前的低功率消費電子市場轉向高功率數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、通信電源等市場，這些應用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源，而GaN正是降低功耗和提高效率的關鍵一步。 英諾賽科作為全球領先的GaN IDM企業(yè)，致力于GaN功率器件性能及應...  [詳內文]

GaN/SiC收入占64%！三代半設備廠商愛思強Q1業(yè)績出爐

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 09 日 17:50 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨日，國際MOCVD設備廠商愛思強公布了2023年第一季度業(yè)績報告，營收為7720萬歐元，環(huán)比下降58%，同比下降13%。 這主要是由于出口許可證發(fā)放的延遲，導致價值7000萬歐元的成品設備出貨量無法在本季度完成。 據(jù)了解，在總收入中，73%的業(yè)績來自設備銷售，27%來自售后服務...  [詳內文]