文章分類： 氮化鎵GaN

英諾賽科發(fā)布兩款40V VGaN新品，均采用WLCSP封裝

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 23 日 17:05 |
| 分類: 氮化鎵GaN
在消費類電子領(lǐng)域，氮化鎵于手機、筆電快充中的應(yīng)用已大量普及，大大滿足了消費者對移動設(shè)備快速續(xù)航的需求。而在手機內(nèi)部，電源開關(guān)依然采用傳統(tǒng)的硅MOSFET，其體積與阻抗的限制，不僅占據(jù)了手機主板的大量空間，且在面對大功率快充時，硅MOSFET會產(chǎn)生較大的溫升與效率損耗，影響快充的穩(wěn)...  [詳內(nèi)文]

又一GaN快充芯片企業(yè)上市，小米與OPPO加持

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 21 日 17:32 |
| 分類: 氮化鎵GaN
南芯科技近期公布首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市發(fā)行安排及初步詢價公告。根據(jù)公告，此次于科創(chuàng)板IPO，南芯科技擬發(fā)行6353萬股，占發(fā)行后總股本的15%。初步詢價時間為3月21日，網(wǎng)下申購時間為3月24日，申購代碼為787484。 作為國內(nèi)電源管理芯片領(lǐng)域不可忽視的新秀，南芯科技在...  [詳內(nèi)文]

5000萬元，SAW濾波器IDM企業(yè)聲芯電子再融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 17 日 16:13 |
| 分類: 氮化鎵GaN
3月6日，蘇州聲芯電子科技有限公司（以下簡稱：聲芯電子）宣布完成五千萬元A++輪融資。 本輪融資由蘇州人才基金二期、錦泰金鴻、源禾資本、江帆實業(yè)等共同投資，老股東東證資本追加投資，資金將主要用于南通及日照聲表濾波器制造產(chǎn)線的產(chǎn)能擴建，達產(chǎn)后預計月產(chǎn)聲表濾波器超過五千萬顆。 圖片...  [詳內(nèi)文]

直擊2023亞洲充電展：英諾賽科、納微等17家三代半龍頭聚集

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 17 日 10:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月14日，為期三天的2023（春季）亞洲充電展在深圳正式開幕?，F(xiàn)場展示和發(fā)布了數(shù)千款新品，覆蓋電源芯片、功率器件、被動器件、新能源產(chǎn)品、消費類電源、智能化設(shè)備等領(lǐng)域。 據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導體市場了解到，此次展會，英諾賽科、基本半導體、納微半導體、芯塔電子、P...  [詳內(nèi)文]

愛科思達第三代半導體設(shè)備研發(fā)制造基地項目簽約落地

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 16 日 15:13 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月15日，火炬工業(yè)集團與深圳愛科思達科技有限公司（以下簡稱“愛科思達”）在舉行“智能電源設(shè)備研發(fā)制造基地項目”簽約儀式。 圖片來源：中山火炬工業(yè)集團 據(jù)悉，愛科思達建設(shè)打造的智能電源設(shè)備研發(fā)制造基地項目，擬投資8億元，達產(chǎn)后預計新增產(chǎn)值超10億元，稅收超5000萬元。項目建成...  [詳內(nèi)文]

中國半導體設(shè)備供應(yīng)商的2022

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 15 日 17:33 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
半導體設(shè)備市場，又泛起了波瀾。 芯片制造實力被視為是未來全球半導體產(chǎn)業(yè)競爭的核心，而半導體設(shè)備作為芯片制造的關(guān)鍵，是近幾年討論的熱門話題，尤其是隨著美國對華制裁的推進，半導體設(shè)備領(lǐng)域更是被推上了風口浪尖。國際設(shè)備巨頭相繼開始弱化中國市場，以期減少美國的對華出口限制的沉重負擔。 與...  [詳內(nèi)文]

羅姆確立新技術(shù)，更好地激發(fā)GaN等高速開關(guān)器件性能

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 14 日 17:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，羅姆（ROHM）宣布確立了一項超高速驅(qū)動控制IC技術(shù)，利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開關(guān)器件的性能。 Source：羅姆 近年來，GaN器件因其具有高速開關(guān)的特性優(yōu)勢而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負責GaN器件的驅(qū)動控制）的速度已成為亟需解決的課題。 在...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科氮化鎵項目在列，蘇州發(fā)布2023重點項目清單

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 14 日 17:13 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，蘇州發(fā)改委發(fā)布《2023年蘇州市重點項目清單》。2023年，蘇州安排市重點項目468個，其中418個實施項目，總投資1.27萬億元，年度計劃投資2301億元；儲備項目50個，總投資1732億元。 按項目類別看，清單共有141個戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)項目，涉及電子信息、高端裝備、新材...  [詳內(nèi)文]

西安郵電大學成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 10 日 17:14 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，西安郵電大學由電子工程學院管理的新型半導體器件與材料重點實驗室陳海峰教授團隊成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片，這一成果標志著我校在超寬禁帶半導體研究上取得重要進展。 圖片來源：西郵新聞網(wǎng) 據(jù)陳海峰教授介紹，氧化鎵是一種超寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲...  [詳內(nèi)文]

傳三星將為英飛凌代工功率半導體產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 10 日 17:12 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)韓媒昨日（3/10）日報道，三星晶圓代工部（Samsung Foundry）已經(jīng)從去年開始為英飛凌生產(chǎn)MOSFET，未來有望為其代工基于SiC/GaN的電源管理芯片。 韓媒表示，知情人士透露，雖然三星晶圓代工部到目前為止簽訂的代工合同主要是生產(chǎn)通用型電源管理芯片，但英飛凌正在...  [詳內(nèi)文]