文章分類： 氮化鎵GaN

國(guó)內(nèi)12英寸氮化鎵達(dá)成一起新合作

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 21 日 14:06 |
| 分類: 氮化鎵GaN
10月20日，蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“東微半導(dǎo)體”）官微消息，其與蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“晶湛半導(dǎo)體”）雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同推進(jìn)12英寸氮化鎵技術(shù)與產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用。 圖片來(lái)源：蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司 資料顯示，東微半導(dǎo)體成立于2008年，產(chǎn)品覆...  [詳內(nèi)文]

垂直GaN新秀獲1100萬(wàn)美元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 17 日 10:40 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
硅谷AI硬件基礎(chǔ)設(shè)施迎來(lái)一家極具潛力的初創(chuàng)公司。由麻省理工學(xué)院（MIT）分拆成立的Vertical Semiconductor Inc.（以下簡(jiǎn)稱“Vertical”）10月15日宣布，已成功完成1100萬(wàn)美元種子輪融資。本輪融資由知名風(fēng)投機(jī)構(gòu)Playground Global領(lǐng)...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體大廠談氮化鎵前景

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 16 日 18:27 |
| 分類: 氮化鎵GaN
10月13日，瑞薩電子官微發(fā)文，介紹了瑞薩及其GaN（氮化鎵）技術(shù)發(fā)展征程，氮化鎵應(yīng)用情況，以及未來(lái)氮化鎵面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)會(huì)。 2024年瑞薩電子收購(gòu)GaN領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè)Transphorm，進(jìn)而完成了布局氮化鎵的關(guān)鍵一步。此次收購(gòu)，瑞薩獲得了Transphorm的GaN知識(shí)產(chǎn)權(quán)、...  [詳內(nèi)文]

CGD宣布與格芯合作，擴(kuò)大ICeGaN? 產(chǎn)能！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 14 日 17:52 |
| 分類: 氮化鎵GaN
10月13日，劍橋氮化鎵器件公司（Cambridge GaN Devices, 以下簡(jiǎn)稱“CGD”）宣布，與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商GlobalFoundries（格芯）達(dá)成重要制造合作。 此次合作將大幅增強(qiáng)CGD的供應(yīng)鏈能力，利用格芯成熟的8英寸晶圓制程，擴(kuò)大其獨(dú)有的ICeGaN...  [詳內(nèi)文]

擬募資15.5億港元，國(guó)內(nèi)氮化鎵龍頭將擴(kuò)產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 11 日 14:13 |
| 分類: 氮化鎵GaN
10月10日，英諾賽科發(fā)布公告表示，擬募資15.5億港元，約4.82億港元用于產(chǎn)能擴(kuò)充及產(chǎn)品迭代升級(jí)。 圖片來(lái)源：英諾賽科公告截圖 英諾賽科在公告中指出，公司與配售代理訂立配售協(xié)議，配售代理同意作為本公司代理盡力促使不少于六名承配人按照配售協(xié)議所載條款并在其條件規(guī)限下購(gòu)20,7...  [詳內(nèi)文]

涉及imec、英諾賽科等，氮化鎵新增兩起重磅合作！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 09 日 15:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN
在半導(dǎo)體技術(shù)不斷革新的當(dāng)下，氮化鎵憑借其卓越性能成為行業(yè)焦點(diǎn)。近期，氮化鎵領(lǐng)域動(dòng)作頻頻，比利時(shí)微電子研究中心（imec）啟動(dòng)12英寸氮化鎵項(xiàng)目并公布首批合作伙伴，英諾賽科也攜手聯(lián)合電子與納芯微，聚焦新能源汽車功率電子領(lǐng)域展開(kāi)深度合作，這些動(dòng)態(tài)為氮化鎵技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用帶來(lái)了新的契機(jī)...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵新品密集來(lái)襲，安費(fèi)諾、氮矽科技、瑞薩電子相繼發(fā)力

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 09 日 9:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN
隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)的快速迭代，氮化鎵（GaN）憑借高功率密度、低能耗、耐高溫等核心優(yōu)勢(shì)，已成為消費(fèi)電子、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域技術(shù)升級(jí)的關(guān)鍵支撐。近期，全球多家半導(dǎo)體及能源科技企業(yè)集中發(fā)力，推出多款基于氮化鎵技術(shù)的創(chuàng)新產(chǎn)品。 安費(fèi)諾推出高效氮化鎵微型逆變器，開(kāi)辟商用市場(chǎng)新機(jī)遇 ...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科亮相PCIM Asia，集中呈現(xiàn)國(guó)內(nèi)氮化鎵最新成果

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 28 日 18:48 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
9月24日至26日，PCIM Asia展會(huì)（上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)暨研討會(huì)）如火如荼召開(kāi)，全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)英諾賽科（Innoscience）呈現(xiàn)了其最新的InnoGaN產(chǎn)品系列與多行業(yè)應(yīng)用方案，吸引眾多業(yè)內(nèi)人士駐足交流。 PCIM Asia作為亞太地...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵產(chǎn)能進(jìn)一步釋放，兩家廠商迎重大進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 28 日 18:39 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，氮化鎵半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁，山東鎵數(shù)智能科技有限公司與東部高科DB HiTek分別傳來(lái)重要消息。山東鎵數(shù)氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目全面達(dá)產(chǎn)，在產(chǎn)能建設(shè)與市場(chǎng)拓展方面成果顯著；與此同時(shí)，東部高科650V GaN HEMT工藝開(kāi)發(fā)進(jìn)入最終階段，并計(jì)劃推出專屬氮化鎵多項(xiàng)目晶圓項(xiàng)目，同時(shí)...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體大廠將進(jìn)軍氮化鎵市場(chǎng)！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 25 日 13:04 |
| 分類: 功率 , 氮化鎵GaN
在全球科技加速向清潔能源與智能化轉(zhuǎn)型的浪潮中，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正迎來(lái)新一輪技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)變革。作為行業(yè)領(lǐng)軍者，東芝電子元件近期動(dòng)作頻頻，在碳化硅（SiC）、IGBT等領(lǐng)域持續(xù)深耕并取得顯著成果后，又將戰(zhàn)略目光投向了氮化鎵（GaN）這一極具潛力的新興領(lǐng)域。 東芝電子元件將進(jìn)軍氮化鎵市...  [詳內(nèi)文]