文章分類： 氮化鎵GaN

三家企業(yè)推進 GaN/SiC 技術(shù)新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 18 日 14:33 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，功率半導(dǎo)體行業(yè)迎來重要技術(shù)進展，英飛凌、GE Aerospace和SemiQ Inc三家企業(yè)分別在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)領(lǐng)域取得新進展。 01、英飛凌推出首款100V車規(guī)級GaN晶體管 11月6日，英飛凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車...  [詳內(nèi)文]

1億美元，氮化鎵大廠推進融資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 12 日 13:51 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近期，納微半導(dǎo)體在官網(wǎng)宣布，公司已就購買和出售合計1481.4813萬股A類普通股簽訂最終證券購買協(xié)議，每股購買價格為6.75美元。本次私募發(fā)行扣除應(yīng)付的承銷商傭金及發(fā)行費用后，私募發(fā)行預(yù)計將帶來約1億美元總募集資金。 納微半導(dǎo)體計劃將本次發(fā)行凈收益用于營運資金及其他一般公司用途...  [詳內(nèi)文]

格芯/英偉達兩大半導(dǎo)體巨頭“瞄準”氮化鎵

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 11 日 14:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN
11月10日，格芯（GlobalFoundries）宣布與臺積電（TSMC）簽署技術(shù)授權(quán)協(xié)議，獲準使用臺積電的650?V與80?V氮化鎵（GaN）技術(shù)。該授權(quán)旨在幫助格芯加速在美國本土推出面向數(shù)據(jù)中心、工業(yè)以及汽車市場的全新GaN電源產(chǎn)品組合，開發(fā)時間定于2026年初，生產(chǎn)將于今...  [詳內(nèi)文]

SDI/英飛凌戰(zhàn)略結(jié)盟：共推AI與SiC/GaN導(dǎo)線架技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 10 日 14:36 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
導(dǎo)線架解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商順德工業(yè)股份有限公司（以下簡稱“SDI”）于11月6日宣布，已與全球功率半導(dǎo)體巨擘德國英飛凌科技簽署了產(chǎn)品優(yōu)先開發(fā)權(quán)（Right of First Offer, ROFO）合作協(xié)議。這項戰(zhàn)略合作協(xié)議旨在共同推進AI加速器所需的關(guān)鍵導(dǎo)線架技術(shù)開發(fā)，并攜手布局包...  [詳內(nèi)文]

政策加碼，河北聚焦碳化硅、氮化鎵等領(lǐng)域

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 10 日 14:32 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，河北省工業(yè)和信息化廳發(fā)布《關(guān)于2025年第三代半導(dǎo)體、新型顯示產(chǎn)業(yè)擬支持項目的公示》，重點聚焦碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等高端材料領(lǐng)域，通過財政補貼、產(chǎn)能扶持與產(chǎn)學(xué)研協(xié)同等方式，推動國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 公示的名單中，涉及碳化硅/氮化鎵領(lǐng)域的企業(yè)如下： 河北同...  [詳內(nèi)文]

國博電子：硅基氮化鎵功放芯片成功量產(chǎn)應(yīng)用

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 04 日 15:02 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN
10月30日，國博電子公告稱，公司與國內(nèi)頭部終端廠商共同研發(fā)的硅基氮化鎵功放芯片，在手機等終端中成功量產(chǎn)應(yīng)用，累計交付數(shù)量超100萬只。 圖片來源：國博電子公告截圖 國博電子表示，公司與國內(nèi)頭部終端廠商共同研發(fā)的硅基氮化鎵功放芯片，針對手機等終端應(yīng)用進行設(shè)計優(yōu)化，填補了業(yè)內(nèi)硅基...  [詳內(nèi)文]

這家功率大廠宣布推出垂直GaN半導(dǎo)體！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 03 日 14:57 |
| 分類: 氮化鎵GaN
10月31日，安森美官微宣布推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。該技術(shù)在安森美紐約錫拉丘茲的工廠研發(fā)和制造，并已獲得涵蓋垂直GaN技術(shù)的基礎(chǔ)工藝、器件設(shè)計、制造以及系統(tǒng)創(chuàng)新的130多項全球?qū)＠? 圖片來源：安森美 據(jù)介紹，安森美的...  [詳內(nèi)文]

英飛凌攜手海信推出氮化鎵電視適配器

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 31 日 14:38 |
| 分類: 氮化鎵GaN
氮化鎵憑借高頻、高效、高功率密度等特性，在消費電子領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從快充普及到多場景滲透的跨越式發(fā)展。近期，電視電源領(lǐng)域，氮化鎵應(yīng)用傳出新進展。 功率半導(dǎo)體大廠英飛凌宣布，其高性能氮化鎵功率器件IGD70R270D2S已成功應(yīng)用于海信最新推出的43R7Q電視適配器。 海信43R7Q適配...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)12英寸氮化鎵達成一起新合作

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 21 日 14:06 |
| 分類: 氮化鎵GaN
10月20日，蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“東微半導(dǎo)體”）官微消息，其與蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“晶湛半導(dǎo)體”）雙方已達成戰(zhàn)略合作，共同推進12英寸氮化鎵技術(shù)與產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用。 圖片來源：蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司 資料顯示，東微半導(dǎo)體成立于2008年，產(chǎn)品覆...  [詳內(nèi)文]

垂直GaN新秀獲1100萬美元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 17 日 10:40 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
硅谷AI硬件基礎(chǔ)設(shè)施迎來一家極具潛力的初創(chuàng)公司。由麻省理工學(xué)院（MIT）分拆成立的Vertical Semiconductor Inc.（以下簡稱“Vertical”）10月15日宣布，已成功完成1100萬美元種子輪融資。本輪融資由知名風(fēng)投機構(gòu)Playground Global領(lǐng)...  [詳內(nèi)文]