文章分類： 氮化鎵GaN

三代半電力領(lǐng)域“大顯身手”，安森美x英偉達(dá)、英諾賽科x聯(lián)合電子、浩思動力加速布局

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 31 日 14:53 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
在全球能源轉(zhuǎn)型與科技升級的浪潮下，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)憑借高功率密度、低能耗、小體積等卓越特性，正成為驅(qū)動各行業(yè)能效提升與技術(shù)革新的核心引擎，在AI數(shù)據(jù)中心供電、新能源汽車電力電子系統(tǒng)等關(guān)鍵領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用價值，推動著相關(guān)產(chǎn)業(yè)向更高效、更綠色的方向邁進。 ...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)又一氮化鎵項目新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 29 日 16:05 |
| 分類: 氮化鎵GaN
憑借高頻、高效、耐高壓等特性，氮化鎵在新一輪半導(dǎo)體革命浪潮中逐漸成為“寵兒”，吸引全球關(guān)注。我國氮化鎵技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化方面加速突圍，近期國內(nèi)氮化鎵相關(guān)項目傳出新進展。 “汶上縣投資促進服務(wù)中心”消息，7月28日，山東汶上縣舉行氮化鎵半導(dǎo)體智能制造項目暨芯片綜合配套項目簽約儀式。這...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)氮化鎵技術(shù)迎來新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 23 日 16:16 |
| 分類: 氮化鎵GaN
“中國科學(xué)院微電子研究所”官微消息，中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、北京大學(xué)、香港科技大學(xué)、劍橋大學(xué)、武漢大學(xué)和蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司等，首次澄清了GaN異質(zhì)外延中螺位錯和刃位錯對GaN基功率電子器件的關(guān)鍵可靠性-動態(tài)導(dǎo)通電阻退化的影...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵x機器人，中科半導(dǎo)體發(fā)布新品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 22 日 15:01 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
7月21日，中科半導(dǎo)體宣布正式發(fā)布氮化鎵機器人智能快充芯片。 據(jù)了解，本次發(fā)布的氮化鎵（GaN）ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007與CT-1901）四個型號，通過“氮化鎵ASIC芯片+GaN功率管”集成的差異設(shè)計，是為機器人定制化的快充專用芯片...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器，成功研制！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 18 日 14:48 |
| 分類: 氮化鎵GaN
據(jù)中國科學(xué)院蘇州納米所官微消息，依托中國科學(xué)院蘇州納米所建設(shè)的半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點實驗室與蘇州實驗室合作，近日研制出GaN基光子晶體面發(fā)射激光器，并實現(xiàn)了室溫電注入激射。 研究團隊首先仿真設(shè)計了GaN基PCSEL器件結(jié)構(gòu)，隨后外延生長了高質(zhì)量的GaN基激光器材料，并開發(fā)了低損...  [詳內(nèi)文]

廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 16 日 13:56 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
“廣東致能半導(dǎo)體有限公司”官微消息，近期，廣東致能創(chuàng)始人黎子蘭博士參加在瑞典舉辦的第十五屆國際氮化物半導(dǎo)體會議（ICNS-15）并作邀請報告（Invited Talk）。報告分享了團隊在硅基垂直氮化鎵功率器件（GaN HEMT）技術(shù)上的原創(chuàng)性突破及應(yīng)用前景。 廣東致能團隊全球首創(chuàng)...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科宣布，產(chǎn)能再擴張！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 15 日 13:47 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
英諾賽科（Innoscience）正通過產(chǎn)能拓展、技術(shù)創(chuàng)新及戰(zhàn)略合作強化，持續(xù)鞏固其市場地位。公司計劃在未來五年內(nèi)顯著提升晶圓產(chǎn)能，同時推出新一代產(chǎn)品平臺并積極布局車規(guī)級、AI服務(wù)器等高增長應(yīng)用市場。 產(chǎn)能布局與技術(shù)路線：聚焦8英寸，展望12英寸 英諾賽科正加速其8英寸氮化鎵晶圓...  [詳內(nèi)文]

新品爆發(fā)，英諾賽科/wolfspeed/英飛凌/羅姆等企業(yè)加速競逐

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 08 日 14:05 |
| 分類: 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN
以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料持續(xù)推動功率電子和通信領(lǐng)域的技術(shù)革新。從新能源汽車到5G基站，從工業(yè)設(shè)備到消費電子，這些寬禁帶材料正憑借高頻、高效、高功率密度的特性重塑產(chǎn)業(yè)格局。 近期，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來一輪新品爆發(fā)期，英諾賽科、Wolfspeed、...  [詳內(nèi)文]

英飛凌：12英寸GaN晶圓量產(chǎn)在即

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 04 日 14:34 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
7月3日，英飛凌在其官方網(wǎng)站宣布，其基于12英寸晶圓的可擴展氮化鎵（GaN）制造技術(shù)已取得突破性進展。這一里程碑標(biāo)志著GaN功率器件的大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一步，首批樣品預(yù)計將于2025年第四季度交付客戶。 圖片來源：英飛凌官網(wǎng)截圖 氮化鎵作為新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以其卓...  [詳內(nèi)文]

新加坡成立氮化鎵國家半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換和創(chuàng)新中心，2026年年中開啟商業(yè)運營

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 02 日 14:41 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，新加坡科學(xué)技術(shù)研究署（A*Star）成立的氮化鎵國家半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換和創(chuàng)新中心（NSTIC（GaN））舉行開幕儀式并正式啟用，計劃從2026年年中開始在本地提供商業(yè)生產(chǎn)代工服務(wù)。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代科技的核心驅(qū)動力，氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料代表，具有高電子遷移率、高擊穿電場、高熱...  [詳內(nèi)文]