文章分類： 氮化鎵GaN

臺(tái)積電宣布退出/調(diào)整6、8英寸產(chǎn)能，SiC、GaN受關(guān)注！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 13 日 14:09 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月12日，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電（TSMC）披露，董事會(huì)已決定在未來(lái)兩年內(nèi)逐步退出6英寸晶圓制造業(yè)務(wù)，并持續(xù)整并8英寸晶圓產(chǎn)能。此舉對(duì)第三代半導(dǎo)體的碳化硅和氮化鎵產(chǎn)生了不同程度的影響。 臺(tái)積電在聲明中指出，此項(xiàng)決定不會(huì)影響公司先前公布的財(cái)務(wù)目標(biāo)，即2025年美元營(yíng)收將增長(zhǎng)約30...  [詳內(nèi)文]

深圳在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 12 日 13:49 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
“深圳國(guó)資”官微消息，近期由市屬國(guó)企深重投集團(tuán)與深圳市科技創(chuàng)新局聯(lián)合打造的國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)（以下簡(jiǎn)稱“國(guó)創(chuàng)中心”）在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。 國(guó)創(chuàng)中心首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量氮化鋁鎵/氮化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延。這一成果...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed、英諾賽科動(dòng)態(tài)，涉及碳化硅、氮化鎵新品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 17:05 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，Wolfspeed與英諾賽科近日推出創(chuàng)新產(chǎn)品——Wolfspeed發(fā)布第四代1200V車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET，英諾賽科推出全球首款100V氮化鎵低邊驅(qū)動(dòng)IC，雙雙發(fā)力，為新能源汽車動(dòng)力系統(tǒng)與電池管理生態(tài)注入新動(dòng)能。 1、Wolfspeed推出第四代1200V車...  [詳內(nèi)文]

國(guó)際首次突破！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室攻克GaN/SiC單片集成技術(shù)瓶頸

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:52 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室官微宣布，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室近日在GaN/SiC集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，在國(guó)際上首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延。 據(jù)了解，該成果打破了大尺寸GaN與SiC材料單片集成的技術(shù)瓶頸，為GaN/SiC混合器件的發(fā)...  [詳內(nèi)文]

中芯國(guó)際：未來(lái)將配合建立SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:42 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，中芯國(guó)際聯(lián)合CEO趙海軍在業(yè)績(jī)會(huì)上表示，公司未來(lái)將根據(jù)國(guó)際客戶的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能。 這一戰(zhàn)略舉措標(biāo)志著中芯國(guó)際在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)一步拓展，旨在滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)高端半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，...  [詳內(nèi)文]

國(guó)產(chǎn)射頻新篇章，歐益睿芯6英寸GaN工藝平臺(tái)開(kāi)放

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:39 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
隨著5G/6G通信、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星互連等高頻高功率應(yīng)用場(chǎng)景的快速發(fā)展，碳化硅襯底氮化鎵（GaN on SiC）技術(shù)已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。在國(guó)際廠商主導(dǎo)的市場(chǎng)格局下，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的自主化進(jìn)程對(duì)高可靠性、高性能、低成本的本土工藝平臺(tái)需求日益迫切。 近日，合肥歐益睿芯科技有限公...  [詳內(nèi)文]

英國(guó)這家初創(chuàng)公司，憑兩大新專利進(jìn)軍GaN與SiC市場(chǎng)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:01 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
隨著寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域部分核心專利陸續(xù)到期，一場(chǎng)技術(shù)創(chuàng)新的浪潮正悄然興起。英國(guó)初創(chuàng)公司#柵源漏半導(dǎo)體（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住這一歷史機(jī)遇，正專注于研發(fā)新一代的專利保護(hù)型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件。該公司計(jì)劃在未來(lái)2-3年內(nèi)，推出垂直...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體透露碳化硅、氮化鎵業(yè)務(wù)進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 06 日 14:12 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，納微半導(dǎo)體公布2025年第二季度財(cái)報(bào)，同時(shí)該公司在財(cái)報(bào)會(huì)議中透露了碳化硅與氮化鎵業(yè)務(wù)進(jìn)展。 圖片來(lái)源：納微半導(dǎo)體官網(wǎng)新聞稿截圖 據(jù)悉，英偉達(dá)已經(jīng)與納微半導(dǎo)體進(jìn)行開(kāi)發(fā)合作，以支持下一代 800V 數(shù)據(jù)中心。納微半導(dǎo)體將在固態(tài)變壓器（SST）、800V DC/DC以及48V...  [詳內(nèi)文]

月產(chǎn)2億顆芯片，SiC/GaN封裝工廠正式投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 04 日 14:25 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)濱海發(fā)布消息，8月1日，伯芯微電子（天津）有限公司（簡(jiǎn)稱“伯芯微電子”）在天津經(jīng)開(kāi)區(qū)微電子創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園正式投產(chǎn)。 圖片來(lái)源：濱海發(fā)布 根據(jù)預(yù)測(cè)，該項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)月封裝芯片產(chǎn)能在2億顆以上，年收入將達(dá)到2億元以上。 公開(kāi)資料顯示，伯芯微電子成立于2022年，由中科院微電子研究所...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科登榜，英偉達(dá)最新800V架構(gòu)供應(yīng)商名單！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 01 日 14:07 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
8月1日，英偉達(dá)官網(wǎng)更新800V直流電源架構(gòu)合作商名錄，氮化鎵龍頭企業(yè)英諾賽科上榜，為英偉達(dá)Kyber機(jī)架系統(tǒng)提供全鏈路氮化鎵電源解決方案，這也是名單中唯一的中國(guó)芯片企業(yè)。 據(jù)悉，英偉達(dá)與英諾賽科此次合作將推動(dòng)800V直流（800 VDC）電源架構(gòu)在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)?；瘧?yīng)用，并將...  [詳內(nèi)文]