文章分類： 氮化鎵GaN

行業(yè)雙強(qiáng)聯(lián)手，啟動(dòng)8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計(jì)劃！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 02 日 13:38 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
7月1日，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）宣布，與全球領(lǐng)先的晶圓代工廠力積電（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC）達(dá)成戰(zhàn)略合作。 此次合作的核...  [詳內(nèi)文]

麻省理工學(xué)院推出氮化鎵與硅芯片3D集成新技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 24 日 14:44 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，麻省理工學(xué)院（MIT）的研究團(tuán)隊(duì)取得了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，開(kāi)發(fā)出一種創(chuàng)新的制造工藝，能夠?qū)⒏咝阅艿墸℅aN）晶體管與標(biāo)準(zhǔn)硅芯片進(jìn)行三維集成。這一成果有望顯著提升高頻應(yīng)用（如視頻通話和實(shí)時(shí)深度學(xué)習(xí)）的性能表現(xiàn)，為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展開(kāi)辟新的道路。 圖片來(lái)源：麻省理工學(xué)院新聞 ...  [詳內(nèi)文]

羅姆為英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)提供高性能電源解決方案

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 24 日 14:27 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
6月23日，羅姆宣布成為支持英偉達(dá)全新800V高壓直流（HVDC）架構(gòu)的主要硅供應(yīng)商之一。 羅姆介紹，公司不僅提供硅（Si）功率元器件，還擁有包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等#寬禁帶半導(dǎo)體?在內(nèi)的豐富產(chǎn)品陣容，可為數(shù)據(jù)中心的設(shè)計(jì)提供更優(yōu)解決方案。 羅姆的Si MOSFET...  [詳內(nèi)文]

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室GaN課題組迎新成果

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 23 日 14:29 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室的論文《肖特基型p-GaN柵HEMT中雙跨導(dǎo)峰與單跨導(dǎo)峰的演變：部分耗盡與完全耗盡p-GaN層的影響》被IEEE ISPSD確認(rèn)接收，論文第一作者為劉軒博士，通訊作者為萬(wàn)玉喜、David Zhou。 IEEE ISPSD涵蓋了功率半導(dǎo)體器件、功率集成電路、工藝...  [詳內(nèi)文]

先為科技首臺(tái)GaN MOCVD外延設(shè)備正式發(fā)貨

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 18 日 13:53 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
“先為科技”官微消息，6月16日無(wú)錫先為科技有限公司首臺(tái) GaN MOCVD BrillMO 外延設(shè)備正式發(fā)往國(guó)內(nèi)頭部的化合物半導(dǎo)體企業(yè)。 圖片來(lái)源：先為科技 先為科技表示，此次發(fā)貨的 GaN MOCVD BrillMO 外延設(shè)備，各項(xiàng)性能均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。該設(shè)備運(yùn)用特有的溫...  [詳內(nèi)文]

GaN驅(qū)動(dòng)電源革新，多款氮化鎵電源產(chǎn)品發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 13 日 17:00 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，氮化鎵（GaN）技術(shù)正以其卓越的性能，為電源領(lǐng)域帶來(lái)一場(chǎng)深刻變革。近期，MPS芯源系統(tǒng)和小米生態(tài)鏈企業(yè)酷態(tài)科，分別推出集成氮化鎵技術(shù)的新產(chǎn)品，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。 1、MPS發(fā)布集成氮化鎵的高效電源方案 6月初，MPS芯源系統(tǒng)發(fā)布兩款新品——NovoOne開(kāi)關(guān)...  [詳內(nèi)文]

又一批第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目刷新進(jìn)度：封頂、試運(yùn)行、沖刺生產(chǎn)！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 12 日 15:20 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 砷化鎵
在全球科技競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的當(dāng)下，第三代半導(dǎo)體憑借其卓越的性能，成為推動(dòng)電子信息產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。近期，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域多個(gè)項(xiàng)目取得重要進(jìn)展，為該行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。 01奧通碳素半導(dǎo)體級(jí)等靜壓石墨項(xiàng)目：設(shè)備調(diào)試收官+試生產(chǎn)并行 6月9日，據(jù)“最內(nèi)江”公眾號(hào)消息，奧通碳素（內(nèi)...  [詳內(nèi)文]

華東理科大學(xué)氮化鎵晶圓檢測(cè)研究新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:11 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，華東理科大學(xué)上海市智能感知與檢測(cè)技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室智能傳感團(tuán)隊(duì)在氮化鎵晶圓檢測(cè)研究中取得重要進(jìn)展。 圖片來(lái)源：華東理科大學(xué) 團(tuán)隊(duì)利用開(kāi)發(fā)的二維有機(jī)薄膜憶阻器實(shí)現(xiàn)了有圖案晶圓的缺陷檢測(cè)和無(wú)圖案晶圓的表面粗糙度分類。 相關(guān)研究成果以“Covalent organic framew...  [詳內(nèi)文]

穩(wěn)懋半導(dǎo)體發(fā)布基于SiC襯底的0.12μm GaN HEMT

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:56 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）技術(shù)正迎來(lái)重大突破。近日，純化合物半導(dǎo)體代工廠#穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors）推出基于SiC襯底的0.12微米柵極長(zhǎng)度D型GaN HEMT技術(shù)，預(yù)計(jì)2025年第三季度量產(chǎn)，這將顯著提升高頻射頻電路性能，加速GaN技術(shù)在5G/...  [詳內(nèi)文]

國(guó)產(chǎn)首顆機(jī)器人關(guān)節(jié)“氮化鎵驅(qū)動(dòng)器芯片”正式商用

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:49 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，中科無(wú)線半導(dǎo)體有限公司正式宣布，其基于氮化鎵（GaN）HEMT工藝的機(jī)器人關(guān)節(jié)ASIC驅(qū)動(dòng)器芯片已成功推出并投入商用。該芯片作為中科半導(dǎo)體機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片家族 “機(jī)器人關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)器芯片系列” 的重要一員，具備卓越性能，可有效滿足高功率密度場(chǎng)景需求。 圖片來(lái)源：中科半導(dǎo)體 ...  [詳內(nèi)文]