文章分類： 氮化鎵GaN

英諾賽科發(fā)布兩款40V VGaN新品，均采用WLCSP封裝

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 23 日 17:05 |
| 分類: 氮化鎵GaN
在消費(fèi)類電子領(lǐng)域，氮化鎵于手機(jī)、筆電快充中的應(yīng)用已大量普及，大大滿足了消費(fèi)者對移動(dòng)設(shè)備快速續(xù)航的需求。而在手機(jī)內(nèi)部，電源開關(guān)依然采用傳統(tǒng)的硅MOSFET，其體積與阻抗的限制，不僅占據(jù)了手機(jī)主板的大量空間，且在面對大功率快充時(shí)，硅MOSFET會(huì)產(chǎn)生較大的溫升與效率損耗，影響快充的穩(wěn)...  [詳內(nèi)文]

又一GaN快充芯片企業(yè)上市，小米與OPPO加持

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 21 日 17:32 |
| 分類: 氮化鎵GaN
南芯科技近期公布首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市發(fā)行安排及初步詢價(jià)公告。根據(jù)公告，此次于科創(chuàng)板IPO，南芯科技擬發(fā)行6353萬股，占發(fā)行后總股本的15%。初步詢價(jià)時(shí)間為3月21日，網(wǎng)下申購時(shí)間為3月24日，申購代碼為787484。 作為國內(nèi)電源管理芯片領(lǐng)域不可忽視的新秀，南芯科技在...  [詳內(nèi)文]

5000萬元，SAW濾波器IDM企業(yè)聲芯電子再融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 17 日 16:13 |
| 分類: 氮化鎵GaN
3月6日，蘇州聲芯電子科技有限公司（以下簡稱：聲芯電子）宣布完成五千萬元A++輪融資。 本輪融資由蘇州人才基金二期、錦泰金鴻、源禾資本、江帆實(shí)業(yè)等共同投資，老股東東證資本追加投資，資金將主要用于南通及日照聲表濾波器制造產(chǎn)線的產(chǎn)能擴(kuò)建，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)月產(chǎn)聲表濾波器超過五千萬顆。 圖片...  [詳內(nèi)文]

直擊2023亞洲充電展：英諾賽科、納微等17家三代半龍頭聚集

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 17 日 10:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月14日，為期三天的2023（春季）亞洲充電展在深圳正式開幕?，F(xiàn)場展示和發(fā)布了數(shù)千款新品，覆蓋電源芯片、功率器件、被動(dòng)器件、新能源產(chǎn)品、消費(fèi)類電源、智能化設(shè)備等領(lǐng)域。 據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導(dǎo)體市場了解到，此次展會(huì)，英諾賽科、基本半導(dǎo)體、納微半導(dǎo)體、芯塔電子、P...  [詳內(nèi)文]

愛科思達(dá)第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目簽約落地

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 16 日 15:13 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月15日，火炬工業(yè)集團(tuán)與深圳愛科思達(dá)科技有限公司（以下簡稱“愛科思達(dá)”）在舉行“智能電源設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目”簽約儀式。 圖片來源：中山火炬工業(yè)集團(tuán) 據(jù)悉，愛科思達(dá)建設(shè)打造的智能電源設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目，擬投資8億元，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)新增產(chǎn)值超10億元，稅收超5000萬元。項(xiàng)目建成...  [詳內(nèi)文]

中國半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的2022

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 15 日 17:33 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
半導(dǎo)體設(shè)備市場，又泛起了波瀾。 芯片制造實(shí)力被視為是未來全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭的核心，而半導(dǎo)體設(shè)備作為芯片制造的關(guān)鍵，是近幾年討論的熱門話題，尤其是隨著美國對華制裁的推進(jìn)，半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域更是被推上了風(fēng)口浪尖。國際設(shè)備巨頭相繼開始弱化中國市場，以期減少美國的對華出口限制的沉重負(fù)擔(dān)。 與...  [詳內(nèi)文]

羅姆確立新技術(shù)，更好地激發(fā)GaN等高速開關(guān)器件性能

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 14 日 17:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，羅姆（ROHM）宣布確立了一項(xiàng)超高速驅(qū)動(dòng)控制IC技術(shù)，利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開關(guān)器件的性能。 Source：羅姆 近年來，GaN器件因其具有高速開關(guān)的特性優(yōu)勢而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負(fù)責(zé)GaN器件的驅(qū)動(dòng)控制）的速度已成為亟需解決的課題。 在...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科氮化鎵項(xiàng)目在列，蘇州發(fā)布2023重點(diǎn)項(xiàng)目清單

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 14 日 17:13 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，蘇州發(fā)改委發(fā)布《2023年蘇州市重點(diǎn)項(xiàng)目清單》。2023年，蘇州安排市重點(diǎn)項(xiàng)目468個(gè)，其中418個(gè)實(shí)施項(xiàng)目，總投資1.27萬億元，年度計(jì)劃投資2301億元；儲備項(xiàng)目50個(gè)，總投資1732億元。 按項(xiàng)目類別看，清單共有141個(gè)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，涉及電子信息、高端裝備、新材...  [詳內(nèi)文]

西安郵電大學(xué)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 10 日 17:14 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，西安郵電大學(xué)由電子工程學(xué)院管理的新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片，這一成果標(biāo)志著我校在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展。 圖片來源：西郵新聞網(wǎng) 據(jù)陳海峰教授介紹，氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲...  [詳內(nèi)文]

傳三星將為英飛凌代工功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 10 日 17:12 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)韓媒昨日（3/10）日報(bào)道，三星晶圓代工部（Samsung Foundry）已經(jīng)從去年開始為英飛凌生產(chǎn)MOSFET，未來有望為其代工基于SiC/GaN的電源管理芯片。 韓媒表示，知情人士透露，雖然三星晶圓代工部到目前為止簽訂的代工合同主要是生產(chǎn)通用型電源管理芯片，但英飛凌正在...  [詳內(nèi)文]