文章分類： 氮化鎵GaN

多元化GaN設(shè)計，市場進(jìn)入高速成長期

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 04 日 16:33 |
| 分類: 氮化鎵GaN
功率半導(dǎo)體市場持續(xù)成長 GaN最具爆發(fā)力 全球電力設(shè)備數(shù)量與規(guī)格不斷提升，帶動功率半導(dǎo)體需求持續(xù)成長，且在第三類半導(dǎo)體材料導(dǎo)入下，整體市場蓬勃發(fā)展；其中，全球GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計從2021年1.1億美元成長到2025年13.2億美元，CAGR達(dá)86%。因基期較低，GaN成...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體作為西部重點，深圳發(fā)展計劃即將發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 30 日 17:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
深圳是中國重要的電子技術(shù)中心，多年來十分重視集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，旨在培育產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，打通上下游產(chǎn)業(yè)鏈，形成產(chǎn)業(yè)協(xié)同聯(lián)動效應(yīng)。其中，第三代半導(dǎo)體作為近幾年的新興技術(shù)，也已經(jīng)成為政府重點培育的產(chǎn)業(yè)之一，相關(guān)利好政策不斷出臺。 近日，深圳舉辦了2022中國（深圳）集成電路峰會，會上透露...  [詳內(nèi)文]

比亞迪投資了第三代半導(dǎo)體設(shè)備廠邑文科技

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 26 日 17:02 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
企查查官網(wǎng)顯示，12月23日，無錫邑文電子科技有限公司（以下簡稱：邑文科技）發(fā)生工商變更，新增比亞迪等新股東，注冊資本變更為1947.6655萬元。 邑文科技成立于2011年3月，專注于半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、制造，主要產(chǎn)品為刻蝕工藝設(shè)備和薄膜沉積工藝設(shè)備，應(yīng)用于半導(dǎo)體（IC及...  [詳內(nèi)文]

應(yīng)用材料將建下一代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)中心

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 23 日 17:20 |
| 分類: 氮化鎵GaN
日前，應(yīng)用材料宣布，計劃在美國的創(chuàng)新基礎(chǔ)設(shè)施上投資數(shù)十億美元，并從現(xiàn)在到2030年擴大其全球制造能力。 該公司計劃在加州森尼維爾建立下一代基礎(chǔ)半導(dǎo)體技術(shù)和工藝設(shè)備研發(fā)中心，其規(guī)模將取決于政府的支持。這項投資計劃于2023年初在硅谷啟動。 此外，該公司還在對其全球各地的基礎(chǔ)設(shè)施進(jìn)行...  [詳內(nèi)文]

55所牽頭承擔(dān)的“寬帶射頻功率放大器”項目成功獲批

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 19 日 17:24 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，國家科技部公布了2022年國家重點研發(fā)計劃立項資助名單。55所牽頭承擔(dān)的“寬帶射頻功率放大器”項目成功獲批。 “寬帶射頻功率放大器”項目基于第三代半導(dǎo)體GaN開展超寬帶射頻功率管的設(shè)計與制造研究，計劃研究一套寬頻帶射頻功率放大器，實現(xiàn)寬帶射頻功放在超高場磁共振的工程應(yīng)用，為...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科出貨量破億

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 16 日 16:41 |
| 分類: 氮化鎵GaN
據(jù)外媒報道，英諾賽科透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出貨量已突破1億。 據(jù)化合物半導(dǎo)體市場了解，英諾賽科的8英寸晶圓產(chǎn)線自2019年開始大規(guī)模生產(chǎn)，并于2021年成為全球首家實現(xiàn)8英寸硅基GaN量產(chǎn)的企業(yè)，產(chǎn)能足以支撐全球市場對GaN FETs的強勁需求。2022年，英諾賽...  [詳內(nèi)文]

銘鎵半導(dǎo)體在4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)領(lǐng)域獲突破

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 08 日 17:09 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱：銘鎵半導(dǎo)體）使用導(dǎo)模法成功制備了高質(zhì)量4英寸（001）主面氧化鎵（β-Ga2O3）單晶，完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，并且進(jìn)行了多次重復(fù)性實驗，成為國內(nèi)首個掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。 銘...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)氮化鎵外延龍頭晶湛半導(dǎo)體再獲數(shù)億元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 08 日 17:05 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元C輪融資，這是繼今年3月完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資以來的又一輪融資。 本輪增資由蔚來資本、美團龍珠領(lǐng)投，華興資本旗下華興新經(jīng)濟基金、欣柯資本等跟投，老股東歌爾微電子、三七互娛等繼續(xù)加碼。 晶湛半導(dǎo)體創(chuàng)始人、總裁程凱博士表示...  [詳內(nèi)文]

EPC公司攜手世界先進(jìn)，發(fā)力8英寸GaN功率半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 07 日 17:20 |
| 分類: 氮化鎵GaN
12月6日，GaN功率FETs及功率IC提供商EPC公司宣布與特殊芯片代工廠世界先進(jìn)（VIS）簽訂了一項GaN功率半導(dǎo)體多年生產(chǎn)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，EPC公司將從2023年初開始使用世界先進(jìn)的8英寸晶圓制造平臺，生產(chǎn)高性能GaN晶體管和GaN功率IC。 據(jù)介紹，EPC的GaN器件...  [詳內(nèi)文]

搶攻GaN功率器件市場，GaN Systems成立深圳辦事處

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 17:23 |
| 分類: 氮化鎵GaN
今日，GaN Systems 氮化鎵系統(tǒng)公司宣布成立深圳辦事處，與中國臺灣辦事處共享設(shè)計研發(fā)資源，為亞太地區(qū)客戶提供最及時且符合市場需求的GaN氮化鎵解決方案，包括65W/100W/140W/250W的手機及筆電充電器參考設(shè)計，高功率數(shù)據(jù)中心及車用PFC、DC/DC轉(zhuǎn)換器及逆變器...  [詳內(nèi)文]