文章分類： 氮化鎵GaN

成都發(fā)布功率半導體產業(yè)三年行動計劃

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 14 日 16:59 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月9日，成都高新區(qū)聯(lián)合電子科技大學在成都發(fā)布了功率半導體產業(yè)三年行動計劃及產業(yè)支持政策（征求意見稿）。 近年來，功率半導體行業(yè)受新能源行業(yè)增長帶動，市場規(guī)模保持快速增長態(tài)勢，但中高端市場長期受進口品牌壟斷，國際巨頭企業(yè)占有率極高。作為新能源汽車、新能源發(fā)電及儲能、工控等領域不可...  [詳內文]

晶圓代工價格戰(zhàn)，開打

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 13 日 17:31 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
韓國科技巨擘三星傳出發(fā)動晶圓代工價格戰(zhàn)搶單，鎖定成熟制程，降價幅度高達一成，三星來勢洶洶，聯(lián)電、世界先進也開始有條件對客戶降價。隨著削價搶單大戰(zhàn)鳴槍起跑，恐打破原本臺廠預期平均單價（ASP）有撐的局面。 科技市調機構TrendForce集邦咨詢最新調查顯示，截至去年第3季底，三星...  [詳內文]

廣州發(fā)布2023重點建設項目計劃，多個三代半項目上榜

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 13 日 17:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月10日，廣州市發(fā)改委印發(fā)《廣州市2023年重點建設項目計劃》和《廣州市2023年重點建設預備項目計劃》，文件顯示，2023年，廣州共有647個重點建設正式項目，年度計劃投資3588億元；重點建設預備項目共153個，年度投資計劃197億元。 其中，在重點建設正式項目計劃中，多...  [詳內文]

鋮昌科技：目前可支撐5G毫米波相控陣T/R芯片國產化

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 10 日 17:32 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，鋮昌科技在接受機構調研時表示，目前我國的 5G 網絡部署主要采用的是 Sub6GHz，即頻率在 6GHz 以下的電磁波，而要發(fā)揮 5G 最大的性能，毫米波是重要的技術之一。毫米波頻段的基站具有體積小，布設簡單，可以深度覆蓋困難區(qū)域和人口熱點區(qū)域等特點，能有效解決信號盲點。 ...  [詳內文]

華潤微變更23億募資用途為12英寸項目

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 10 日 17:32 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月8日，華潤微電子召開董事會并通過了《關于變更部分募投項目并將部分募集資金投入新項目的議案》，擬將23億元募資變更用于華潤微電子深圳300mm集成電路生產線項目。 根據(jù)公告，華潤微電子董事會將向特定對象發(fā)行A股股票募集資金投資項目“華潤微功率半導體封測基地項目”的募集資金23億...  [詳內文]

江蘇省2023年重大項目名單出爐，化合物半導體在列

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 10 日 17:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，《2023年江蘇省重大項目清單》正式出爐。全省共安排實施項目220個，儲備項目45個，力爭今年上半年開工率達到75%，9月底前全部開工。重大項目年度擬投資5670億元，包括產業(yè)項目180個、創(chuàng)新載體項目5個、民生保障項目6個、生態(tài)環(huán)保項目7個、基礎設施項目22個。 半導體相...  [詳內文]

GaN，迎來新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 09 日 17:16 |
| 分類: 氮化鎵GaN
如今，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”新型材料為基礎的功率半導體的研發(fā)技術頗受關注?；谌毡经h(huán)境省的“為進一步實現(xiàn)碳中和，加速推進應用和普及材料（氮化鎵）、CNF（碳納米纖維）”的方針，日本大阪大學森勇介教...  [詳內文]

氮化鎵企業(yè)晶通半導體一年獲兩輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 09 日 17:10 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，氮化鎵功率器件和功率器件驅動芯片廠商晶通半導體（深圳）有限公司（以下簡稱“晶通半導體”）宣布完成數(shù)千萬元人民幣天使+輪融資，投資方為半導體專業(yè)投資機構富華資本（GRC）。據(jù)悉，本輪融資將用于產品研發(fā)、市場團隊的擴張以及部分核心產品出貨。 僅一年內，晶通半導體就獲得了兩輪融資...  [詳內文]

涉及顯示、三代半等，兩部門公布2022年度重點產品方向

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 01 日 17:14 |
| 分類: 氮化鎵GaN
1月30日消息，工業(yè)和信息化部、國務院國資委近日印發(fā)通知，公布2022年度重點產品、工藝“一條龍”應用示范方向和推進機構名單，涉及顯示、第三代半導體等相關領域。 其中，顯示器件曝光機重點方向，參與單位包括上海微電子裝備（集團）股份有限公司、京東方科技集團股份有限公司、TCL華星...  [詳內文]

百思特達氮化鎵項目進入產品試生產階段

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 30 日 9:57 |
| 分類: 氮化鎵GaN
日前，遼寧百思特達半導體科技有限公司（以下簡稱“百思特達”）氮化鎵半導體芯片項目已進入產品試生產階段。 據(jù)此前披露消息，項目于2019年11月開工建設，總投資3億元，占地面積125畝，總建筑面積5萬余平方米。其中包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產車間、1棟芯片封裝及應用產品生產制造車...  [詳內文]