8月6日，根據(jù)九峰山實驗室官微消息，九峰山實驗室（JFS Laboratory）推出新型碳化硅溝槽MOSFET科研級器件樣品，旨在滿足產(chǎn)業(yè)及科研機構(gòu)對具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的SiC溝槽新型器件的測試、分析及應(yīng)用探索需求，進一步推動下一代碳化硅溝槽型MOSFET功率器件的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
圖片來源：九峰山實驗室
據(jù)介紹，此次推出的科研樣品分為兩種IP結(jié)構(gòu)，一種是基于九峰山實驗室完全自主IP的SiC膠囊型溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，結(jié)合優(yōu)化設(shè)計的新型終端技術(shù)，提供高可靠性SiC Trench MOSFET。另一種是基于九峰山實驗室完全自主IP的SiC雙側(cè)深掩蔽溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，已通過HTGB、H3TRB，HTRB可靠性檢測。
第一種IP結(jié)構(gòu)的樣品規(guī)格是BV≥1400V，60~80mΩ，可為客戶提供bare die （有源區(qū)面積約3.35mm*3.35mm）或者TO-247 3 pin封裝形式的器件，適用于特定測試及應(yīng)用場景。10~40mΩ器件正在流片中，可接受定制化開發(fā)。
第二種IP結(jié)構(gòu)的樣品規(guī)格是BV≥1400V，20~80mΩ，Ronsp~2-2.4mOhm.cm2；可為客戶提供bare die（有源區(qū)面積約3.35mm*3.35mm）和TO-247 3 pin封裝形式的器件，適用于特定測試及應(yīng)用場景。16mΩ以下芯片（有源區(qū)面積約5mm*5mm）正在流片中，可接受定制化開發(fā)。
湖北九峰山實驗室是由湖北省人民政府批復(fù)組建，于2021年4月在武漢市東湖開發(fā)區(qū)注冊成立的化合物半導(dǎo)體研發(fā)創(chuàng)新中心。九峰山實驗室在碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)IP、模型仿真及溝槽關(guān)鍵工藝開發(fā)方面做了大量研究和儲備，系統(tǒng)性解決了一直困擾業(yè)界的溝槽型碳化硅MOSFET的多項工藝難題。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）
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