文章分類： 碳化硅SiC

碳化硅大廠港股IPO通過聆訊

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 01 日 14:14 |
| 分類: 碳化硅SiC
2025年7月30日，碳化硅大廠天岳先進通過聆訊，擬在香港主板上市，聯(lián)席保薦人為中金公司、中信證券。 資料顯示，天岳先進是全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體材料行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)之一，長期以來專注高質(zhì)量碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，2022年1月12日天岳先進在A股科創(chuàng)板上市，2025年2月該公司正式遞表...  [詳內(nèi)文]

爍科晶體年產(chǎn)100萬毫米碳化硅單晶項目正式啟動

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 31 日 14:59 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
7月30日，中電科半導(dǎo)體材料有限公司所屬山西爍科晶體有限公司年產(chǎn)100萬毫米碳化硅單晶項目在山西太原正式啟動，該項目由中國電子科技集團有限公司與山西省人民政府戰(zhàn)略共建，旨在打造國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅單晶生長產(chǎn)業(yè)基地。 圖片來源：山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū) 項目投產(chǎn)后，將新增100萬毫米碳化硅...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)碳化硅設(shè)備新突破，山東力冠發(fā)布大尺寸PVT設(shè)備

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 30 日 14:23 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，山東力冠于正式發(fā)布其12英寸PVT電阻設(shè)備及8英寸多坩堝設(shè)備，為8-12英寸SiC晶圓的規(guī)?；?、穩(wěn)定化、低成本制備樹立了新的行業(yè)標桿。 山東力冠發(fā)布的12英寸PVT電阻設(shè)備及8英寸多坩堝設(shè)備，是碳化硅晶圓制備的核心工藝設(shè)備，可以決定了碳化硅晶錠的生長效率、質(zhì)量和成本，與碳化...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體龍頭加速中國、馬來西亞布局

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 30 日 14:13 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
功率半導(dǎo)體龍頭英飛凌近期加速中國與馬來西亞布局，推進戰(zhàn)略深化。中國方面，7月29日其分撥中心（中國）定制項目簽約，定位為全球三大物流樞紐之一，預(yù)計2027年8月投用，將通過智能化管理系統(tǒng)提升服務(wù)效率與可持續(xù)性；馬來西亞方面，已落實300億令吉額外投資，在吉打居林高科技工業(yè)園建設(shè)全...  [詳內(nèi)文]

全球新增一座SiC新工廠

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 30 日 14:07 |
| 分類: 碳化硅SiC
7月28日，美國半導(dǎo)體材料與光電元件大廠Coherent公司位于越南同奈省仁澤1號工業(yè)園區(qū)的Coherent越南工廠正式落成。這座投資1.27億美元的高科技制造工廠將主要生產(chǎn)碳化硅（SiC）半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃以及先進光電元件，廣泛應(yīng)用于智能手機、電動汽車等領(lǐng)域。 圖片來源：越通社...  [詳內(nèi)文]

天岳先進、廣州粵升披露碳化硅最新進展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 29 日 15:56 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)鏈迎來多重突破，國內(nèi)企業(yè)在市場拓展與技術(shù)研發(fā)上齊頭并進。天岳先進成功打開日本市場，開始批量供應(yīng)碳化硅襯底材料；廣州粵升在8英寸碳化硅外延設(shè)備研發(fā)上取得突破性進展。 7月29日，根據(jù)天岳先進官微消息，天岳先進宣布已經(jīng)開始向日本市場批量供應(yīng)碳化硅襯底材料。20...  [詳內(nèi)文]

強強聯(lián)合，雙巨頭碳化硅合作+1

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 28 日 17:06 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
7月24日，安森美（onsemi）在官網(wǎng)宣布與舍弗勒擴大合作，雙方簽署了一項新的設(shè)計協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，安森美的下一代EliteSiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線將為舍弗勒的牽引逆變器提供動力，該逆變器將應(yīng)用于某全球領(lǐng)先汽車制造商的高端插電式混合動力汽車（PHEV）平臺。 圖片來源：安...  [詳內(nèi)文]

華為海思進軍碳化硅領(lǐng)域，兩款工規(guī)SiC器件發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 25 日 15:03 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，華為旗下海思技術(shù)有限公司正式進軍碳化硅功率器件領(lǐng)域，推出了兩款1200V工規(guī)SiC單管產(chǎn)品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4，專門面向工業(yè)高溫、高壓場景場景。 圖片來源：海思官網(wǎng)截圖 海思此次推出的兩款1200V SiC單管均采用TO-247-...  [詳內(nèi)文]

總投資30億元，這一碳化硅相關(guān)項目將落戶內(nèi)蒙古

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 24 日 15:10 |
| 分類: 碳化硅SiC
“準格爾旗融媒體中心”消息，7月22日，準格爾旗人民政府與新疆陸鐵港投資集團、秦皇島遠東金控公司召開合作洽談會，就高純石英砂及碳化硅項目簽約落地準格爾旗事宜進行洽談，并簽署項目投資合作協(xié)議。 會上，準格爾旗人民政府、準格爾經(jīng)濟開發(fā)區(qū)、內(nèi)蒙古東?？萍加邢薰竞炇鹆隧椖客顿Y合作協(xié)議。...  [詳內(nèi)文]

兩家企業(yè)同步攻破，12英寸SiC襯底入局新玩家！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 24 日 13:51 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
7月23日，浙江晶越半導(dǎo)體有限公司宣布已成功研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠，這標志晶越成功進入12英寸SiC襯底梯隊。 圖片來源：浙江晶越半導(dǎo)體有限公司 2025年上半年，晶越半導(dǎo)體已經(jīng)成功量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底，后續(xù)持續(xù)投入并不斷加大研發(fā)力度，并在熱場設(shè)計、籽晶粘接、厚度提升以...  [詳內(nèi)文]