Author Archives: KikiWang

煙山科技率先打通8英寸硅基氮化鎵MicroLED混合集成工藝
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 19 日 14:14 | 分類 氮化鎵GaN
近日，莫干山基金已投項(xiàng)目煙山科技在MicroLED核心制造工藝上取得了重大突破。該公司率先在8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）平臺(tái)上完成了混合集成（Hybrid Bonding）工藝的全流程打通，并成功點(diǎn)亮了大尺寸MicroLED面板。 與傳統(tǒng)鍵合集成工藝相比，Hybrid ...  [詳內(nèi)文]

華為碳化硅散熱技術(shù)專利曝光
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 19 日 14:10 | 分類 碳化硅SiC
華為近日公布了兩項(xiàng)涉及碳化硅散熱技術(shù)的專利，分別為《導(dǎo)熱組合物及其制備方法和應(yīng)用》和《一種導(dǎo)熱吸波組合物及其應(yīng)用》。 前者專利提供了一種導(dǎo)熱組合物及其制備方法和應(yīng)用。 圖片來源：國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利信息截圖 該導(dǎo)熱組合物包括基體材料和導(dǎo)熱填料；導(dǎo)熱填料包括大粒徑填料和小粒徑填料，...  [詳內(nèi)文]

珂瑪科技擴(kuò)建，年產(chǎn)11000件半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅陶瓷部件！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 19 日 14:03 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 碳化硅SiC
市場(chǎng)最新消息顯示，珂瑪科技半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅陶瓷部件的擴(kuò)建項(xiàng)目獲最新進(jìn)展。9月15日，滁州市人民政府發(fā)布了關(guān)于《安徽珂瑪材料技術(shù)有限公司半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅材料及部件項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告表》受理公示。 圖片來源：滁州市人民政府官網(wǎng)公示截圖 安徽珂瑪材料技術(shù)有限公司計(jì)劃在滁州市中新蘇滁...  [詳內(nèi)文]

羅姆：搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開始量產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 18 日 14:29 | 分類 碳化硅SiC
9月17日，據(jù)羅姆半導(dǎo)體官微宣布，搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開始量產(chǎn)。 據(jù)了解，作為電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)的核心部件，此次采用羅姆SiC MOSFET的逆變磚，對(duì)電動(dòng)汽車的效率和性能有十分顯著的作用。這款高性能逆變磚突破電動(dòng)汽車牽引逆變器領(lǐng)域通常支持的800V電壓，可支持...  [詳內(nèi)文]

中鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)6/8英寸GaN襯底制備
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 18 日 14:26 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“中鎵半導(dǎo)體”）宣布取得重大技術(shù)突破，成功攻克6英寸及8英寸氮化鎵（GaN）單晶襯底的制備技術(shù)。 圖片來源：中鎵半導(dǎo)體 這一成果依托于#中鎵半導(dǎo)體 自主研發(fā)的超大型氫化物氣相外延設(shè)備（HVPE），不僅填補(bǔ)了國際上HVPE工藝在6英寸及...  [詳內(nèi)文]

捷捷微電/三安光電披露，碳化硅取得新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 18 日 14:06 | 分類 碳化硅SiC
近日，捷捷微電和三安光電在碳化硅領(lǐng)域的最新研發(fā)進(jìn)展引發(fā)了行業(yè)關(guān)注。捷捷微電與中科院微電子研究所等合作研發(fā)碳化硅器件，目前處于小批量封測(cè)階段；三安光電熱沉散熱用碳化硅材料研發(fā)進(jìn)入送樣階段，其8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn)產(chǎn)品已進(jìn)入主流新能源汽車企業(yè)供應(yīng)鏈。 捷捷微電：攜手科研機(jī)構(gòu)，推進(jìn)碳化硅器件...  [詳內(nèi)文]

瞄準(zhǔn)碳化硅復(fù)合材料等領(lǐng)域，兩家公司簽署合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 17 日 15:27 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，京瓷與Kyoto Fusioneering簽署一項(xiàng)聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，共同為下一代聚變能源工廠研發(fā)先進(jìn)的陶瓷材料。 據(jù)悉，此次合作將聚焦三個(gè)領(lǐng)域： 其一，用于聚變能源工廠的先進(jìn)碳化硅復(fù)合材料，旨在增強(qiáng)其在極端條件下的耐用性和性能。資料顯示，碳化硅復(fù)合材料具有優(yōu)異的耐輻射性能，工作...  [詳內(nèi)文]

全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片獲工信部點(diǎn)名
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 17 日 15:24 | 分類 氮化鎵GaN
近期，國務(wù)院新聞辦公室在北京舉行“高質(zhì)量完成‘十四五’規(guī)劃”系列主題新聞發(fā)布會(huì)。 會(huì)上，工業(yè)和信息化部副部長辛國斌提到，“十四五”期間，國家高新區(qū)內(nèi)先后誕生了全球首臺(tái)超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)、全球首個(gè)通用人工智能系統(tǒng)原型等原創(chuàng)技術(shù)和產(chǎn)品。今年上半年，全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片在成都高新區(qū)正...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體新增兩起合作，揚(yáng)杰科技/芯邁半導(dǎo)體加碼汽車電子
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 17 日 15:19 | 分類 功率
近期，功率半導(dǎo)體行業(yè)合作頻頻，多家企業(yè)圍繞汽車電子領(lǐng)域展開深度合作，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同與技術(shù)突破。揚(yáng)杰科技與星宇股份、芯邁半導(dǎo)體與晶能光電相繼達(dá)成戰(zhàn)略合作，功率半導(dǎo)體企業(yè)在汽車電子領(lǐng)域的布局進(jìn)一步深化。 1、揚(yáng)杰科技與星宇股份正式簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議 據(jù)揚(yáng)杰科技官微消息，9月15日，揚(yáng)州...  [詳內(nèi)文]

中科愛畢賽思第三臺(tái)批產(chǎn)型MBE正式投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 16 日 14:33 | 分類 企業(yè)
9月16日，中科愛畢賽思（常州）光電科技有限公司宣布其第三臺(tái)批產(chǎn)型分子束外延（MBE）設(shè)備正式投產(chǎn)。這標(biāo)志著公司在半導(dǎo)體光電薄膜材料和器件的生產(chǎn)制造能力上取得了重大進(jìn)展。 圖片來源：中科愛畢賽思 中科愛畢賽思專注于III-V族化合物半導(dǎo)體光電薄膜材料和器件的研發(fā)與生產(chǎn)，其核心產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]