文章分類： 產(chǎn)業(yè)

美迪凱：第三代半導體封測已實現(xiàn)小批量生產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 20 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月18日，美迪凱在投資者互動平臺對業(yè)務(wù)進展情況進行了介紹，其中包括第三代半導體相關(guān)進展。 據(jù)介紹，美迪凱微電子的年產(chǎn)20億顆（件、套）半導體器件建設(shè)項目和美迪凱光學半導體的半導體晶圓制造及封測項目都在按計劃推進；公司射頻芯片主要為設(shè)計公司代工，Normal SAW、TC-SA...  [詳內(nèi)文]

機器人，氮化鎵下一個風口？

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 20 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
氮化鎵（GaN）材料具有寬禁帶、高電子遷移率、高熱導率、高擊穿電壓、化學穩(wěn)定性等特點，以及較強的抗輻射、抗高溫、抗高壓能力，這些特性使得氮化鎵在功率半導體器件、光電子器件以及射頻電子器件等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 目前，功率氮化鎵在消費電子領(lǐng)域應(yīng)用已漸入佳境，并正在逐步向各類應(yīng)用...  [詳內(nèi)文]

四川巴中經(jīng)開區(qū)功率器件封裝項目設(shè)備進場

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 20 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月18日，據(jù)“巴中經(jīng)開區(qū)”官微消息，位于四川巴中經(jīng)開區(qū)東西部協(xié)作產(chǎn)業(yè)園二期的功率器件封裝生產(chǎn)基地項目，首批58臺封裝設(shè)備于12月18日正式進場，標志著該項目進入投產(chǎn)前的沖刺階段。 source：巴中經(jīng)開區(qū) 據(jù)項目負責人介紹，第一批58臺設(shè)備主要是封裝前端固晶、共晶熱機設(shè)備，...  [詳內(nèi)文]

62億，美國企業(yè)投建金剛石晶圓廠

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 19 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月17日，據(jù)EEnews Europe報道，西班牙政府已獲得歐洲委員會批準，將向美國人造金剛石廠商Diamond Foundry的西班牙子公司Diamond Foundry Europe提供8100萬歐元（約6.13億人民幣）的補貼，以支持其在西班牙特魯希略建造一座總投資額8...  [詳內(nèi)文]

200億，長飛先進武漢碳化硅基地預計明年5月量產(chǎn)通線

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 19 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月18日，據(jù)長飛先進官微消息，長飛先進武漢基地項目首批設(shè)備搬入儀式于光谷科學島舉辦。 source：長飛先進 據(jù)介紹，長飛先進武漢基地項目本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等。目前，長飛先進武漢基地項目正推進建設(shè)并對設(shè)備進行安裝調(diào)試，預計...  [詳內(nèi)文]

碳化硅器件封裝企業(yè)清連科技完成新一輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 17 日 16:56 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè) , 功率
12月16日，據(jù)“清連科技QLSEMI”消息，北京清連科技有限公司（以下簡稱：清連科技）宣布已完成數(shù)千萬元新一輪融資，本輪融資新增股東馮源資本、哈勃科技以及元禾控股，老股東光速光合持續(xù)追投。 官微資料顯示，清連科技致力于提供高性能功率器件高可靠封裝解決方案，團隊依托納米金屬燒結(jié)...  [詳內(nèi)文]

晶盛機電成立日本材料研究所

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 17 日 16:56 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月16日，據(jù)晶盛機電官微消息，晶盛機電日本材料研究所舉行了成立儀式。 source：晶盛機電 據(jù)介紹，晶盛機電圍繞硅、藍寶石、碳化硅三大主要半導體襯底材料開發(fā)了一系列關(guān)鍵設(shè)備并延伸至化合物襯底材料領(lǐng)域，賦能全球半導體及光伏等產(chǎn)業(yè)。此前，晶盛機電已于2016年成立晶盛機電日本...  [詳內(nèi)文]

博世將在2026年開始生產(chǎn)8英寸碳化硅芯片

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 16 日 16:20 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 功率
在新能源汽車、光儲充、軌道交通、高壓電網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的推動下，碳化硅（SiC）功率器件市場需求呈現(xiàn)持續(xù)增長態(tài)勢。TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，預估2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達到91.7億美金（約668億人...  [詳內(nèi)文]

碳化硅設(shè)備相關(guān)廠商鐳赫技術(shù)完成數(shù)千萬融資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 16 日 16:20 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè)
12月13日，據(jù)“國中資本”消息，深圳鐳赫技術(shù)有限公司（以下簡稱：鐳赫技術(shù)）近日完成數(shù)千萬元Pre-A輪融資，由國中資本投資。本輪融資資金將主要用于設(shè)備市場化量產(chǎn)做準備以及補充運營資金。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 此前，鐳赫技術(shù)曾在2023年12月完成千萬級人民幣天使輪融資，由...  [詳內(nèi)文]

總投資6.3億，順義第三代等先進半導體項目（二期）封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 12 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè)
12月10日，據(jù)“投資順義”消息，由北京順義科技創(chuàng)新集團投資建設(shè)的第三代等先進半導體產(chǎn)業(yè)標準化廠房項目（二期）主體結(jié)構(gòu)近日封頂。 source：投資順義 據(jù)悉，該項目總投資6.3億元，占地60畝，總建筑面積6.47萬平方米，2023年8月開工建設(shè)，主要建設(shè)內(nèi)容包含2棟生產(chǎn)廠房、...  [詳內(nèi)文]