最新文章

云南鍺業(yè)披露化合物半導體新進展！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 02 日 15:13 | 分類 化合物半導體
9月1日，云南鍺業(yè)在互動平臺回答投資者提問時表示，公司控股子公司云南鑫耀半導體材料有限公司生產(chǎn)的半絕緣砷化鎵晶片（襯底）可用于生產(chǎn)射頻器件，相關器件運用場景包括手機等多個領域。 此外，云南鍺業(yè)同步披露，其化合物半導體材料已成功向國內(nèi)外多家客戶供貨，客戶反饋使用情況良好。公司正積極...  [詳內(nèi)文]

武漢光谷化合物半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新街區(qū)迎兩大新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 02 日 15:11 | 分類 化合物半導體
近期，湖北武漢光谷化合物半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新街區(qū)（以下簡稱“創(chuàng)新街區(qū)”）迎來兩大新進展。 圖片來源：中國光谷 圖為光谷化合物半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新街區(qū)結構規(guī)劃 其一，湖北九峰山創(chuàng)新街區(qū)投資有限公司揭牌成立，該公司將作為實施主體，全面負責創(chuàng)新街區(qū)的規(guī)劃、建設、投資、運營、服務等工作，這標志著...  [詳內(nèi)文]

漢磊投控啟動SiC產(chǎn)能倍增計劃！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 02 日 14:58 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
中國臺灣化合物半導體代表廠商漢磊先進投資控股在八月召開業(yè)績說明會時披露，已正式啟動新一輪的產(chǎn)能倍增與技術深化計劃。 圖片：漢磊控股 漢磊投控董事長黃民奇表示，我們的目標不僅是擴大產(chǎn)能，更是要透過深度的垂直整合，為全球頂尖客戶提供一個兼具彈性、質(zhì)量與成本優(yōu)勢的非IDM（整合元件制...  [詳內(nèi)文]

清華系射頻前端芯片企業(yè)，正式赴港IPO
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 01 日 14:09 | 分類 企業(yè)
8月29日，飛驤科技正式向香港聯(lián)合交易所遞交主板上市申請，啟動赴港IPO進程，國信證券（香港）為其獨家保薦人。 圖片來源：飛驤科技上市申請書截圖 飛驤科技是一家總部位于中國的無晶圓廠半導體公司，成立于2015年，專注于設計、研發(fā)和銷售射頻前端芯片，下游應用領域包括移動智能設備、...  [詳內(nèi)文]

功率半導體領域再現(xiàn)一起重磅合作！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 01 日 14:04 | 分類 企業(yè) , 功率
8月29日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社宣布，已與深圳基本半導體股份有限公司（以下簡稱：基本半導體）就功率模塊產(chǎn)品正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。 圖片來源：基本半導體 通過將東芝電子元件擁有的先進SiC及IGBT芯片技術，與基本半導體擁有的高性能、高可靠性模塊技術相結合，致力于在全球...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科聯(lián)手英偉達，數(shù)據(jù)中心業(yè)務飆升180%
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 01 日 13:59 | 分類 企業(yè)
近日，英諾賽科（Innoscience）公布了其2025年上半年的財務及運營報告。報告顯示，在全球對高能效功率解決方案需求增長的背景下，公司在營收和盈利能力方面均取得了顯著進展。 圖片來源：英諾賽科公告截圖 在截至2025年6月30日的六個月內(nèi)，英諾賽科實現(xiàn)銷售收入人民幣5....  [詳內(nèi)文]

觀展指南︱倒計時7天! CSEAC 2025展位圖、展商名單公布
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 29 日 15:32 | 分類 展會
第13屆中國電子專用設備工業(yè)協(xié)會半導體設備年會、第13屆半導體設備與核心部件及材料展 將于9月4日-6日在無錫太湖國際博覽中心舉行。 大會將開展包括展覽展示、主旨論壇、專題論壇、圓桌對話、產(chǎn)業(yè)上下游對接會、人才招聘會、高?？蒲谐晒?、企業(yè)人力資源宣講會等活動。20+場論壇、20...  [詳內(nèi)文]

國科測試完成數(shù)千萬元融資，系第三代半導體測試廠商
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 29 日 14:23 | 分類 企業(yè)
近日，第三代半導體檢測設備企業(yè)蘇州國科測試科技有限公司（簡稱“國科測試”）完成數(shù)千萬元A+輪融資，由濟南高新科創(chuàng)投資集團獨家投資。 本輪融資將用于第三代半導體及新能源測試設備產(chǎn)線擴建、晶圓級檢測設備研發(fā)攻堅，高端飛針測試機批量交付，并加速推進全球化戰(zhàn)略布局。 據(jù)介紹，國科測試成立...  [詳內(nèi)文]

湖南三安碳化硅器件領域實現(xiàn)新突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 29 日 14:21 | 分類 碳化硅SiC
近日媒體報道，湖南三安半導體（以下簡稱“湖南三安”）于今年8月正式推出首代高性能Trench MOSFET技術平臺，在碳化硅功率器件領域實現(xiàn)重大技術突破。 湖南三安Trench MOSFET技術平臺導通電阻最低達1.75 mΩ·cm2，擊穿電壓超過1400V，核心靜態(tài)性能處于行業(yè)...  [詳內(nèi)文]

斯達、晶盛機電半年報公布：第三代半導體業(yè)務強勁增長
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 29 日 14:13 | 分類 企業(yè)
近期，斯達半導體、晶盛機電兩家公司相繼發(fā)布2025年半年報。報告期內(nèi)，兩家公司均實現(xiàn)營收增長，并在第三代半導體業(yè)務方面表現(xiàn)強勁。 1、晶盛機電：12 英寸碳化硅技術突破 2025年上半年，晶盛機電實現(xiàn)營業(yè)收入57.99 億元，歸屬于上市公司股東的凈利潤6.39億元。 圖片來源：...  [詳內(nèi)文]