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氮化鎵大爆發(fā)，英諾賽科、羅姆披露最新動態(tài)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 03 日 12:00 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
全球半導(dǎo)體競爭進入材料革命的新階段，第三代半導(dǎo)體重要性日益突出，其中，氮化鎵正成為冉冉升起的新星，應(yīng)用范圍不斷擴展，車規(guī)級氮化鎵隱隱有爆發(fā)的態(tài)勢，推動英諾賽科等廠商業(yè)績上漲，也吸引相關(guān)廠商持續(xù)布局。 英諾賽科最新業(yè)績出爐，車規(guī)級氮化鎵交付量增長986.7% 近日，氮化鎵龍頭企業(yè)英...  [詳內(nèi)文]

天岳先進，扭虧為盈
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 03 日 10:26 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
3月27日，天岳先進公布的2024年年度報告顯示，公司實現(xiàn)營業(yè)收入17.68億元，同比增長41.37%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.79億元，實現(xiàn)扭虧為盈。 source：天岳先進2024年度報告 天岳先進表示，2024年公司立足全球市場，全面提升核心產(chǎn)品的產(chǎn)能產(chǎn)量。全年濟...  [詳內(nèi)文]

AI、機器人、氮化鎵等浪潮來襲，英飛凌四大新品亮劍
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 31 日 15:35 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月14日，英飛凌在2025英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會（ICIC 2025，以下同）上，就AI、機器人、邊緣計算、氮化鎵應(yīng)用等話題展開了深度探討，其首次在國內(nèi)展示了英飛凌的兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，引起行業(yè)諸多關(guān)注。 英飛凌...  [詳內(nèi)文]

新凱來、電科裝備、高測股份大動作，瞄準第三代半導(dǎo)體等發(fā)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 27 日 12:34 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
SEMICON China 2025正如火如荼在上海召開，半導(dǎo)體設(shè)備參展廠商活躍，吸引觀眾駐足。值得一提的是，本次展會上，圍繞第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域，包括新凱來、電科裝備、高測股份等在內(nèi)的多家半導(dǎo)體設(shè)備廠商拿出了最新產(chǎn)品與方案。 1、新凱來展示多款半導(dǎo)體設(shè)備，涉及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域！ ...  [詳內(nèi)文]

日本住友利用二英寸金剛石襯底制備出氮化鎵器件
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 27 日 12:02 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
日本住友電氣工業(yè)株式會社（Sumitomo Electric）近日宣布，其與大阪公立大學(xué)的研究團隊在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破——成功在直徑兩英寸的多晶金剛石（PCD）基板上研制出高性能氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管。 該創(chuàng)新成果通過革命性散熱架構(gòu)設(shè)計，將器件熱阻降至傳統(tǒng)硅基...  [詳內(nèi)文]

三家碳化硅廠商獲得新一輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 27 日 12:01 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，三家碳化硅相關(guān)公司獲得新一輪融資，分別是優(yōu)睿譜、科瑞爾與芯湛。 其中，優(yōu)睿譜新一輪融資由合肥產(chǎn)投獨家投資，該公司是一家半導(dǎo)體前道量測設(shè)備研發(fā)商，致力于打造高品質(zhì)的半導(dǎo)體前道量測設(shè)備。 碳化硅業(yè)務(wù)方面，優(yōu)睿譜SICD200設(shè)備已成功交付客戶，這是一款碳化硅襯底晶圓位錯及微管檢...  [詳內(nèi)文]

碳化硅和氮化鎵的專利井噴，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進階
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 26 日 13:52 | 分類 企業(yè)
近日，碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域頻傳專利突破喜訊，多家企業(yè)和研究機構(gòu)取得關(guān)鍵進展，為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入新動力。 這些專利成果聚焦于材料制備、器件制造以及應(yīng)用拓展等核心環(huán)節(jié)，有望推動相關(guān)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，提升產(chǎn)業(yè)競爭力。 1、材料制備革新 3 月 24 日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，成都天...  [詳內(nèi)文]

天岳先進、西湖儀器12英寸碳化硅領(lǐng)域新動態(tài)！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 26 日 13:47 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
在全球新能源汽車、光伏儲能、軌道交通等產(chǎn)業(yè)需求爆發(fā)的背景下，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）正成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的新主角。當(dāng)前，12英寸碳化硅領(lǐng)域的研發(fā)與量產(chǎn)能力，已成為衡量第三代半導(dǎo)體行業(yè)競爭力的重要標尺，吸引多家廠商布局。近期，西湖儀器、天岳先進傳出新動態(tài)。 1、西湖儀器率先實現(xiàn)...  [詳內(nèi)文]

涉及碳化硅，總投資3億元的半導(dǎo)體智能制造項目落戶湖北
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 26 日 13:43 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
3月24日上午，湖北陽新縣人民政府與江蘇卓遠半導(dǎo)體有限公司在江蘇省如皋市隆重舉行項目簽約儀式，總投資3億元的“卓遠半導(dǎo)體項目”正式簽約落戶陽新經(jīng)濟開發(fā)區(qū)。 根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，江蘇卓遠半導(dǎo)體將在陽新設(shè)立全資子公司，重點布局三代半導(dǎo)體核心裝備研發(fā)制造，涵蓋MPCVD金剛石長晶設(shè)備、碳化硅...  [詳內(nèi)文]

EV不振、產(chǎn)能過剩，日美歐功率半導(dǎo)體廠抑制投資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 25 日 13:38 | 分類 企業(yè) , 功率
近期，外媒報道，因電動汽車市場成長較預(yù)期放緩，功率半導(dǎo)體產(chǎn)能過剩，這一背景下，日美歐功率半導(dǎo)體廠抑制投資， 其中，日本瑞薩電子（Renesas Electronics）調(diào)降稼動率（產(chǎn)能利用率），上季（2024年10-12月）稼動率降至3成左右。而瑞薩原先計劃在2025年初期利用甲...  [詳內(nèi)文]