文章分類： 碳化硅SiC

11.2億，這家遼寧碳化硅企業(yè)正式被收購！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 15 日 14:21 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
8月13日，正帆科技宣布以11.2億元現(xiàn)金收購遼寧漢京半導(dǎo)體材料有限公司62.23%的股權(quán)，此次交易完成后，漢京半導(dǎo)體將成為正帆科技的控股子公司。 圖片來源：正帆科技公告 此次收購的定價基于#漢京半導(dǎo)體?100%股權(quán)估值18億元，資金來源包括#正帆科技?自有資金及銀行貸款。支付...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)首套！全國產(chǎn)碳化硅器件雙向超充樁面世

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 14 日 14:06 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)“南方電網(wǎng)報”報道，近日由廣東電網(wǎng)公司佛山供電局生產(chǎn)指揮中心技術(shù)團(tuán)隊研發(fā)的全國首套“基于全國產(chǎn)化碳化硅器件的360千瓦/800伏特雙向超充樁”通過新產(chǎn)品技術(shù)鑒定。 據(jù)介紹，該成果實現(xiàn)了三大突破：全國產(chǎn)化替代、充電效率躍升至98%、充電速度高達(dá)“5分鐘續(xù)航200公里”，填補(bǔ)了國產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

臺積電宣布退出/調(diào)整6、8英寸產(chǎn)能，SiC、GaN受關(guān)注！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 13 日 14:09 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月12日，全球晶圓代工龍頭臺積電（TSMC）披露，董事會已決定在未來兩年內(nèi)逐步退出6英寸晶圓制造業(yè)務(wù)，并持續(xù)整并8英寸晶圓產(chǎn)能。此舉對第三代半導(dǎo)體的碳化硅和氮化鎵產(chǎn)生了不同程度的影響。 臺積電在聲明中指出，此項決定不會影響公司先前公布的財務(wù)目標(biāo)，即2025年美元營收將增長約30...  [詳內(nèi)文]

深圳在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 12 日 13:49 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
“深圳國資”官微消息，近期由市屬國企深重投集團(tuán)與深圳市科技創(chuàng)新局聯(lián)合打造的國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。 國創(chuàng)中心首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量氮化鋁鎵/氮化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延。這一成果...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed、英諾賽科動態(tài)，涉及碳化硅、氮化鎵新品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 17:05 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，Wolfspeed與英諾賽科近日推出創(chuàng)新產(chǎn)品——Wolfspeed發(fā)布第四代1200V車規(guī)級碳化硅MOSFET，英諾賽科推出全球首款100V氮化鎵低邊驅(qū)動IC，雙雙發(fā)力，為新能源汽車動力系統(tǒng)與電池管理生態(tài)注入新動能。 1、Wolfspeed推出第四代1200V車...  [詳內(nèi)文]

國際首次突破！深圳平湖實驗室攻克GaN/SiC單片集成技術(shù)瓶頸

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:52 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，深圳平湖實驗室官微宣布，深圳平湖實驗室近日在GaN/SiC集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，在國際上首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延。 據(jù)了解，該成果打破了大尺寸GaN與SiC材料單片集成的技術(shù)瓶頸，為GaN/SiC混合器件的發(fā)...  [詳內(nèi)文]

中芯國際：未來將配合建立SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:42 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍在業(yè)績會上表示，公司未來將根據(jù)國際客戶的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能。 這一戰(zhàn)略舉措標(biāo)志著中芯國際在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)一步拓展，旨在滿足國內(nèi)市場對高端半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，...  [詳內(nèi)文]

英國這家初創(chuàng)公司，憑兩大新專利進(jìn)軍GaN與SiC市場

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:01 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
隨著寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域部分核心專利陸續(xù)到期，一場技術(shù)創(chuàng)新的浪潮正悄然興起。英國初創(chuàng)公司#柵源漏半導(dǎo)體（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住這一歷史機(jī)遇，正專注于研發(fā)新一代的專利保護(hù)型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件。該公司計劃在未來2-3年內(nèi)，推出垂直...  [詳內(nèi)文]

應(yīng)對中國廠商競爭，羅姆加速SiC研發(fā)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 07 日 17:12 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，羅姆半導(dǎo)體公布了2025財年一季度財報（2025年4月-6月）。該季，羅姆半導(dǎo)體實現(xiàn)營收1162億日元，同比下滑1.8%，凈利潤為29億日元，同比下滑14.3%。 圖片來源：羅姆半導(dǎo)體 羅姆半導(dǎo)體表示，該季車用碳化硅器件銷售保持穩(wěn)健，但受客戶調(diào)整因素影響，對外銷售的SiC...  [詳內(nèi)文]

九峰山實驗室宣布，碳化硅獲得新突破！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 07 日 17:09 |
| 分類: 碳化硅SiC
8月6日，根據(jù)九峰山實驗室官微消息，九峰山實驗室（JFS Laboratory）推出新型碳化硅溝槽MOSFET科研級器件樣品，旨在滿足產(chǎn)業(yè)及科研機(jī)構(gòu)對具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的SiC溝槽新型器件的測試、分析及應(yīng)用探索需求，進(jìn)一步推動下一代碳化硅溝槽型MOSFET功率器件的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 ...  [詳內(nèi)文]