相關資訊：功率器件

聚焦功率器件測試設備等領域，聯(lián)訊儀器沖刺科創(chuàng)板
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 07 日 15:57 | 分類 功率
近期，蘇州聯(lián)訊儀器股份有限公司（以下簡稱“聯(lián)訊儀器”）科創(chuàng)板上市申請已被受理。 聯(lián)訊儀器是一家專注于電子測量儀器和半導體測試設備研發(fā)、制造與服務的企業(yè)，致力于提供高速率、高精度的測試儀表及系統(tǒng)，應用于光通信、半導體、新能源、人工智能等前沿科技領域。 聯(lián)訊儀器產(chǎn)品矩陣聚焦通信測試儀...  [詳內(nèi)文]

擬4億元，功率器件又一收購！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 04 日 14:22 | 分類 企業(yè) , 功率
8月3日，芯導科技發(fā)布公告稱，公司擬向盛鋒、李暉、黃松、王青松、瞬雷優(yōu)才發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債券及支付現(xiàn)金，購買上海吉瞬科技有限公司100%股權、上海瞬雷科技有限公司17.15%的股權，從而直接及間接持有瞬雷科技100%股權，實現(xiàn)對瞬雷科技的100%控制。本次交易預計構成重大資產(chǎn)重組。...  [詳內(nèi)文]

深圳大學寬禁帶半導體功率器件研究迎新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 19 日 13:36 | 分類 功率
“深圳大學材料學院”官微消息，在剛剛結束的第37屆功率半導體器件與集成電路國際會議（IEEE ISPSD 2025）上，深圳大學材料學院、射頻異質(zhì)異構集成全國重點實驗室劉新科研究員團隊的三項研究成果入選, 其中一篇為口頭報告，兩篇為海報。 三篇論文工作如下： 1、He離子注入終端...  [詳內(nèi)文]

芯片級印刷機 | 功率器件框架窄邊印刷，搭配芯上印刷技術
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 14 日 14:24 | 分類 企業(yè) , 功率
? 半導體行業(yè)首臺采用窄邊印刷的芯片級印刷機，能實現(xiàn)高精度3D臺階印刷。 ? 搭配芯上印刷技術，在高精度壓力控制下，使芯片上再印刷成為現(xiàn)實。 ? 應用產(chǎn)品包括：大功率二極管、MOS 管、DrMOS、多芯 Clip等等。 窄邊印刷 框架類產(chǎn)品通常比較薄且長寬比差異較大，容易產(chǎn)生彎...  [詳內(nèi)文]

涉及功率器件領域，英飛凌與美的集團深化合作！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 14 日 14:03 | 分類 企業(yè) , 功率
5月14日消息，英飛凌科技與美的集團近日簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將深度整合各自優(yōu)勢資源，在智能家電、新能源以及全球供應等多維度加深合作。 source：英飛凌 長期以來，英飛凌與美的集團緊密合作，技術協(xié)同的深度與廣度持續(xù)升級，合作領域不斷拓展，從最初聚焦于家電核心模塊，逐步向智能...  [詳內(nèi)文]

四款新品集體亮相，SiC與GaN齊發(fā)力
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 23 日 16:06 | 分類 企業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
近期，第三代半導體領域動作頻頻，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）兩大技術路線均有新品亮相，如英飛凌、英諾賽科、華潤微電子、派恩杰半導體不斷推出新產(chǎn)品，為功率器件市場注入新活力。 英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列 4月22日，英飛凌官微宣布推出Coo...  [詳內(nèi)文]

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:02 | 分類 功率
近日，安森美推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。與使用第7代場截止（FS7）IGBT技術相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而...  [詳內(nèi)文]

長城汽車取得驅(qū)動電路和驅(qū)動系統(tǒng)專利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 10 日 17:51 | 分類 功率
近期，國家知識產(chǎn)權局信息顯示，長城汽車股份有限公司取得一項名為“驅(qū)動電路和驅(qū)動系統(tǒng)”的專利。 專利摘要顯示，本實用新型公開了一種驅(qū)動電路和驅(qū)動系統(tǒng)，所述驅(qū)動電路包括： 第一驅(qū)動模塊，所述第一驅(qū)動模塊與功率器件連接；第二驅(qū)動模塊，所述第二驅(qū)動模塊與所述功率器件、所述第一驅(qū)動模塊連接...  [詳內(nèi)文]

元芯半導體、賽微電子等公司氮化鎵新動態(tài)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 10 日 17:12 | 分類 功率 , 射頻 , 氮化鎵GaN
氮化鎵作為第三代半導體材料的代表，以其高頻、高電子遷移率、強輻射抗性、低導通電阻以及無反向恢復損耗等顯著優(yōu)勢，在多個領域展現(xiàn)出極大的應用潛力，并吸引相關廠商持續(xù)布局。 近期，市場傳出元芯半導體、賽微電子等公司在氮化鎵領域的新動態(tài)。 元芯推出高性能氮化鎵功率器件 近日，元芯半導體正...  [詳內(nèi)文]

四川巴中經(jīng)開區(qū)功率器件封裝項目設備進場
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月18日，據(jù)“巴中經(jīng)開區(qū)”官微消息，位于四川巴中經(jīng)開區(qū)東西部協(xié)作產(chǎn)業(yè)園二期的功率器件封裝生產(chǎn)基地項目，首批58臺封裝設備于12月18日正式進場，標志著該項目進入投產(chǎn)前的沖刺階段。 source：巴中經(jīng)開區(qū) 據(jù)項目負責人介紹，第一批58臺設備主要是封裝前端固晶、共晶熱機設備，...  [詳內(nèi)文]