相關資訊：功率器件

深圳大學寬禁帶半導體功率器件研究迎新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 19 日 13:36 | 分類 功率
“深圳大學材料學院”官微消息，在剛剛結束的第37屆功率半導體器件與集成電路國際會議（IEEE ISPSD 2025）上，深圳大學材料學院、射頻異質異構集成全國重點實驗室劉新科研究員團隊的三項研究成果入選, 其中一篇為口頭報告，兩篇為海報。 三篇論文工作如下： 1、He離子注入終端...  [詳內文]

芯片級印刷機 | 功率器件框架窄邊印刷，搭配芯上印刷技術
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 14 日 14:24 | 分類 企業(yè) , 功率
? 半導體行業(yè)首臺采用窄邊印刷的芯片級印刷機，能實現(xiàn)高精度3D臺階印刷。 ? 搭配芯上印刷技術，在高精度壓力控制下，使芯片上再印刷成為現(xiàn)實。 ? 應用產(chǎn)品包括：大功率二極管、MOS 管、DrMOS、多芯 Clip等等。 窄邊印刷 框架類產(chǎn)品通常比較薄且長寬比差異較大，容易產(chǎn)生彎...  [詳內文]

涉及功率器件領域，英飛凌與美的集團深化合作！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 14 日 14:03 | 分類 企業(yè) , 功率
5月14日消息，英飛凌科技與美的集團近日簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將深度整合各自優(yōu)勢資源，在智能家電、新能源以及全球供應等多維度加深合作。 source：英飛凌 長期以來，英飛凌與美的集團緊密合作，技術協(xié)同的深度與廣度持續(xù)升級，合作領域不斷拓展，從最初聚焦于家電核心模塊，逐步向智能...  [詳內文]

四款新品集體亮相，SiC與GaN齊發(fā)力
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 23 日 16:06 | 分類 企業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
近期，第三代半導體領域動作頻頻，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）兩大技術路線均有新品亮相，如英飛凌、英諾賽科、華潤微電子、派恩杰半導體不斷推出新產(chǎn)品，為功率器件市場注入新活力。 英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列 4月22日，英飛凌官微宣布推出Coo...  [詳內文]

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:02 | 分類 功率
近日，安森美推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。與使用第7代場截止（FS7）IGBT技術相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而...  [詳內文]

長城汽車取得驅動電路和驅動系統(tǒng)專利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 10 日 17:51 | 分類 功率
近期，國家知識產(chǎn)權局信息顯示，長城汽車股份有限公司取得一項名為“驅動電路和驅動系統(tǒng)”的專利。 專利摘要顯示，本實用新型公開了一種驅動電路和驅動系統(tǒng)，所述驅動電路包括： 第一驅動模塊，所述第一驅動模塊與功率器件連接；第二驅動模塊，所述第二驅動模塊與所述功率器件、所述第一驅動模塊連接...  [詳內文]

元芯半導體、賽微電子等公司氮化鎵新動態(tài)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 10 日 17:12 | 分類 功率 , 射頻 , 氮化鎵GaN
氮化鎵作為第三代半導體材料的代表，以其高頻、高電子遷移率、強輻射抗性、低導通電阻以及無反向恢復損耗等顯著優(yōu)勢，在多個領域展現(xiàn)出極大的應用潛力，并吸引相關廠商持續(xù)布局。 近期，市場傳出元芯半導體、賽微電子等公司在氮化鎵領域的新動態(tài)。 元芯推出高性能氮化鎵功率器件 近日，元芯半導體正...  [詳內文]

四川巴中經(jīng)開區(qū)功率器件封裝項目設備進場
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月18日，據(jù)“巴中經(jīng)開區(qū)”官微消息，位于四川巴中經(jīng)開區(qū)東西部協(xié)作產(chǎn)業(yè)園二期的功率器件封裝生產(chǎn)基地項目，首批58臺封裝設備于12月18日正式進場，標志著該項目進入投產(chǎn)前的沖刺階段。 source：巴中經(jīng)開區(qū) 據(jù)項目負責人介紹，第一批58臺設備主要是封裝前端固晶、共晶熱機設備，...  [詳內文]

長飛先進武漢基地主體樓全面封頂
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 11 日 15:40 | 分類 功率
9月10號晚，長飛先進宣布，公司武漢基地主體樓已全面封頂。 source：長飛先進 據(jù)悉，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，致力于打造一個集芯片設計、制造及先進技術研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導體制造基地。項目總投資預計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，...  [詳內文]

捷捷微電8英寸功率器件芯片項目簽約
作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 17 日 17:38 | 分類 企業(yè)
5月16日，捷捷微電8英寸功率半導體器件芯片項目和通富微電先進封裝項目簽約落戶蘇錫通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)。據(jù)悉，通富微電與捷捷微電已在園區(qū)完成累計總投資近150億元。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 項目方面，捷捷微電另外一個功率器件項目近期也傳出新進展。上個月?lián)蹎|消息，捷捷微電功率半導...  [詳內文]