相關(guān)資訊：國(guó)博電子

芯聯(lián)集成、國(guó)博電子發(fā)布最新財(cái)報(bào)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 27 日 11:10 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新發(fā)展的浪潮中，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，正逐漸成為行業(yè)焦點(diǎn)。近期，芯聯(lián)集成與南京國(guó)博電子發(fā)布的最新財(cái)報(bào)，芯聯(lián)集成在碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)上實(shí)現(xiàn)高速增長(zhǎng)，營(yíng)收大幅提升且減虧明顯；南京國(guó)博電子雖業(yè)績(jī)承壓，但在氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)方...  [詳內(nèi)文]

?時(shí)代電氣、國(guó)博電子等3企發(fā)布2024半年報(bào)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 26 日 17:58 | 分類 企業(yè)
近日，時(shí)代電氣、國(guó)博電子和燕東微披露了2024年上半年業(yè)績(jī)。其中，時(shí)代電氣實(shí)現(xiàn)營(yíng)收凈利雙增長(zhǎng)。 時(shí)代電氣：營(yíng)收破百億，凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)30% 2024年上半年，時(shí)代電氣實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入人民幣102.84億元，同比增長(zhǎng)19.99%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)人民幣15.07...  [詳內(nèi)文]

總投資10億，國(guó)博射頻二期項(xiàng)目預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 29 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日，江蘇南京江寧開(kāi)發(fā)區(qū)總投資10億元的國(guó)博射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化二期項(xiàng)目正在進(jìn)行地下室主體結(jié)構(gòu)施工，預(yù)計(jì)明年7月份主體封頂，2026年正式投產(chǎn)。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 據(jù)悉，國(guó)博射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目由南京國(guó)博電子有限公司投資建設(shè)，占地面積約203畝，總投資30億元，新建廠房...  [詳內(nèi)文]

這個(gè)國(guó)產(chǎn)射頻芯片龍頭二期項(xiàng)目正式開(kāi)工
作者 |發(fā)布日期 2023 年 09 月 13 日 11:34 | 分類 射頻
9月10日上午，國(guó)博電子射頻集成產(chǎn)業(yè)化（二期）項(xiàng)目在江寧開(kāi)發(fā)區(qū)開(kāi)工建設(shè)。南京市委常委、江寧區(qū)委書(shū)記林濤，市科技局、市工信局相關(guān)負(fù)責(zé)人，江寧區(qū)代區(qū)長(zhǎng)黃成文，江寧開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)主任王愛(ài)軍，江寧區(qū)副區(qū)長(zhǎng)周強(qiáng)，中鐵建工集團(tuán)副總經(jīng)理嚴(yán)峰，國(guó)基南方董事長(zhǎng)、黨委書(shū)記、55所所長(zhǎng)梅濱，國(guó)基南方總經(jīng)...  [詳內(nèi)文]

6.98億，國(guó)產(chǎn)射頻芯片龍頭國(guó)博電子擬開(kāi)展二期項(xiàng)目
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 14 日 16:30 | 分類 射頻
昨（22）日，國(guó)產(chǎn)射頻芯片龍頭國(guó)博電子宣布，根據(jù)射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目整體規(guī)劃，擬使用自有或自籌資金購(gòu)買位于南京市江寧區(qū)金鑫西路以東、鳳礦路以西地塊的土地使用權(quán)（最終購(gòu)買金額和面積以實(shí)際出讓文件為準(zhǔn)），并開(kāi)展射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目二期建設(shè)。 項(xiàng)目與公司已建設(shè)的項(xiàng)目一期地塊為相鄰區(qū)...  [詳內(nèi)文]

6.98億，國(guó)產(chǎn)射頻芯片龍頭國(guó)博電子擬開(kāi)展二期項(xiàng)目
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 23 日 17:22 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨（22）日，國(guó)產(chǎn)射頻芯片龍頭國(guó)博電子宣布，根據(jù)射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目整體規(guī)劃，擬使用自有或自籌資金購(gòu)買位于南京市江寧區(qū)金鑫西路以東、鳳礦路以西地塊的土地使用權(quán)（最終購(gòu)買金額和面積以實(shí)際出讓文件為準(zhǔn)），并開(kāi)展射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目二期建設(shè)。 項(xiàng)目與公司已建設(shè)的項(xiàng)目一期地塊為相鄰區(qū)...  [詳內(nèi)文]