相關(guān)資訊：碳化硅

總投資6.3億，順義第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體項(xiàng)目（二期）封頂
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 12 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
12月10日，據(jù)“投資順義”消息，由北京順義科技創(chuàng)新集團(tuán)投資建設(shè)的第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）主體結(jié)構(gòu)近日封頂。 source：投資順義 據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資6.3億元，占地60畝，總建筑面積6.47萬平方米，2023年8月開工建設(shè)，主要建設(shè)內(nèi)容包含2棟生產(chǎn)廠房、...  [詳內(nèi)文]

晶格領(lǐng)域建成一條液相法碳化硅襯底中試線
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 12 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月12日，據(jù)北青網(wǎng)-北京青年報(bào)消息，北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱：晶格領(lǐng)域）已在順義建成一條液相法碳化硅（SiC）襯底中試線，6至8英寸小規(guī)模產(chǎn)線也已初步建成并投入使用，產(chǎn)線涵蓋碳化硅長(zhǎng)晶、加工及檢測(cè)等完整襯底制備工藝環(huán)節(jié)。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)介紹，為滿足...  [詳內(nèi)文]

投資超10億，瑞福芯碳化硅模塊項(xiàng)目正式簽約
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 11 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
12月11日，據(jù)瑞福芯科技官微消息，12月6日，瑞福芯科技總經(jīng)理周旭光與中科院先進(jìn)研究院中科中孵總經(jīng)理涂樂平、深圳錦帛方激光科技有限公司總經(jīng)理助理胡澎一道到江蘇東臺(tái)市就瑞福芯科技“車規(guī)級(jí)SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”落地東臺(tái)高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，與東臺(tái)高新區(qū)正式簽署了《投資協(xié)議》、《...  [詳內(nèi)文]

增資10億，國(guó)家集成電路產(chǎn)投基金等入股中車時(shí)代半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 10 日 18:00 | 分類 企業(yè) , 功率
天眼查資料顯示，12月5日，株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱：中車時(shí)代半導(dǎo)體）發(fā)生工商變更，新增國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司等為股東，同時(shí)其注冊(cè)資本由45.68億元人民幣增加至56.48億元人民幣。 本次增資完成后，中車時(shí)代半導(dǎo)體仍為株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司...  [詳內(nèi)文]

超芯星將開啟8英寸碳化硅單晶襯底量產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 10 日 18:00 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
12月9日，據(jù)“南京江北新區(qū)”消息，江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱：超芯星）近日完成了新廠房的整體搬遷，接下來，超芯星將在南京江北新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)化基地全面開啟8英寸碳化硅（SiC）單晶襯底的批量化生產(chǎn)。 source：南京江北新區(qū) 資料顯示，超芯星成立于2019年4月，總...  [詳內(nèi)文]

8.33億，Qorvo碳化硅子公司被安森美收購(gòu)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 10 日 17:59 | 分類 企業(yè)
12月10日，安森美宣布與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元（折合人民幣約8.33億元）現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）技術(shù)業(yè)務(wù)，包括其子公司United Silicon Carbide（UnitedSiC）。該交易需滿足慣例成交條件，預(yù)計(jì)將于2025年第一...  [詳內(nèi)文]

X-fab碳化硅功率器件工廠獲5000萬美元補(bǔ)助
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 09 日 18:00 | 分類 企業(yè)
12月5日，據(jù)外媒報(bào)道，美國(guó)《CHIPS法案》最后階段繼續(xù)為半導(dǎo)體工廠提供補(bǔ)助，其中將向比利時(shí)X-fab公司運(yùn)營(yíng)的位于德克薩斯州拉伯克的碳化硅功率器件工廠提供5000萬美元（約3.64億人民幣）補(bǔ)助。 source：X-fab 據(jù)報(bào)道，對(duì)位于拉伯克的X-fab碳化硅功率器件工廠...  [詳內(nèi)文]

江蘇新增一個(gè)碳化硅模塊封裝設(shè)備項(xiàng)目
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 06 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 功率
據(jù)“江蘇姜堰”官微消息，堰才招商公司近日舉行項(xiàng)目對(duì)接會(huì)，會(huì)上成功簽約4個(gè)項(xiàng)目，涵蓋了新能源、新裝備、新基建等多個(gè)產(chǎn)業(yè)，計(jì)劃總投資近20億元，其中包括一個(gè)碳化硅項(xiàng)目。 source：江蘇姜堰 據(jù)悉，該項(xiàng)目由上海弗昂元科技有限公司投資建設(shè)，項(xiàng)目總投資1.15億元，租用廠房約9200...  [詳內(nèi)文]

電壓覆蓋700V，英飛凌發(fā)布全新一代氮化鎵產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 06 日 18:00 | 分類 企業(yè)
據(jù)“江蘇姜堰”官微消息12月5日，據(jù)英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體消息，英飛凌發(fā)布了全新一代氮化鎵產(chǎn)品CoolGaN? G3和CoolGaN? G5系列，采用英飛凌自主研發(fā)的高性能8英寸晶圓工藝制造，將氮化鎵的應(yīng)用范圍擴(kuò)大到40V至700V。 source：江蘇姜堰 其中，CoolGaN? ...  [詳內(nèi)文]

天岳先進(jìn)、超芯星公開碳化硅晶體相關(guān)專利
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 05 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
天眼查資料顯示，近日，天岳先進(jìn)、超芯星兩家廠商公開了多項(xiàng)碳化硅晶體相關(guān)專利。 天岳先進(jìn)公開2項(xiàng)碳化硅晶棒制備專利 天眼查資料顯示，12月3日，天岳先進(jìn)公開一項(xiàng)“一種曲率半徑大且分布均勻的4H碳化硅晶棒及制備方法和應(yīng)用”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119061481A，申請(qǐng)日期為2024...  [詳內(nèi)文]