相關資訊：CGD

納微半導體、CGD兩家公司氮化鎵新突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 16:28 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
第三代半導體產(chǎn)業(yè)中，氮化鎵憑借出色的電子遷移率和更高的開關速度，在高頻應用領域中展現(xiàn)出優(yōu)勢，吸引業(yè)界關注。近期，市場傳來納微半導體、CGD兩家公司氮化鎵新動態(tài)，涉及電動汽車、車載充電以及光伏逆變器等領域。 01 納微半導體全球首發(fā)雙向氮化鎵開關 3月12日，納微半導體發(fā)布全球首款...  [詳內(nèi)文]

CGD官宣突破性技術
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 9:49 | 分類 氮化鎵GaN
近日，CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主驅逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術，目標瞄準規(guī)模超百億美元的電動汽車市場。革命性的 Combo ICeGaN? 方案通過將智能化的ICeGaN? HEMT與傳統(tǒng)IGBT 組合并封裝于同...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵廠商獲得3200萬美元C輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 11:10 | 分類 氮化鎵GaN
近日，氮化鎵廠商Cambridge GaN Devices (CGD)宣布 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國企業(yè)發(fā)展基金（BGF）、劍橋創(chuàng)新資本公司（CIC）、英國展望集團（Foresi...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科、CGD推出多款GaN新品
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 04 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近期，GaN產(chǎn)業(yè)熱度持續(xù)上漲，技術進展、新品發(fā)布、項目建設、融資并購、廠商合作等各類動態(tài)讓人目不暇接，而在近日，英諾賽科、CGD兩家廠商接連發(fā)布了多款GaN新品，在一定程度上顯示了終端應用需求正在持續(xù)增長。 英諾賽科發(fā)布三款GaN驅動器產(chǎn)品 5月30日，據(jù)英諾賽科官微消息，其宣布...  [詳內(nèi)文]

GaN廠商合作案+2
作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 30 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近期，GaN產(chǎn)業(yè)各類動態(tài)讓人目不暇接，涉及技術進展、新品發(fā)布、項目建設、融資并購、廠商合作等方方面面，而在近日，GaN產(chǎn)業(yè)鏈又新增兩起合作案例，這在一定程度上顯示了GaN產(chǎn)業(yè)熱度正在持續(xù)上漲。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 CGD與ITRI簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄 5月30日，...  [詳內(nèi)文]