近日，印度官方宣布，在印度半導體計劃（ISM）框架下，新增批準4個半導體項目，使ISM項目總數(shù)由6個增至10個。這4個項目涉及約460億盧比（約合37.77億元人民幣）投資。值得關注的是，這四個項目中包含印度首座商業(yè)化合物半導體晶圓廠。
據(jù)了解，該廠由印度SiCSem公司與英國Clas-SiC合作建設，位于奧里薩邦首府布巴內斯瓦爾的 “信息谷”。該工廠專注于碳化硅（SiC）晶圓及器件生產(chǎn)，年產(chǎn)能達6萬片晶圓和9600萬個器件，產(chǎn)品將應用于電動汽車、國防裝備、鐵路、快充樁及光伏逆變器等領域。
除此之外，還包括一座先進封裝與玻璃基板工廠，同樣位于奧里薩邦的3D Glass Solutions工廠，投資194.3億盧比，引入全球尖端的3D異構集成（3DHI）技術和玻璃中介層工藝。其年產(chǎn)能規(guī)劃為69,600片玻璃基板、13,200個3DHI模塊及5000萬個組裝單元，產(chǎn)品將服務于國防、人工智能、射頻通信及光子集成等高端領域。
此次印度政府批準使ISM框架下的項目總數(shù)增至10個，累計投資突破1.6萬億盧比（約192億美元），覆蓋半導體制造、封裝測試、化合物半導體等多個領域。印度政府通過生產(chǎn)關聯(lián)激勵（PLI）計劃提供資金支持，旨在吸引國際技術合作并培育本土產(chǎn)業(yè)鏈。
第三代半導體方面，印度當前90%的芯片依賴進口，此次項目聚焦碳化硅、先進封裝等關鍵領域，旨在降低對海外地區(qū)的依賴，增強自身供應鏈韌性。首座碳化硅晶圓廠的建設也有望將推動印度進入第三代半導體制造，使其在人工智能、5G通信等新興市場中具備競爭力。
（集邦化合物半導體整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。