華為公司與山東大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近日聯(lián)合宣布,他們?cè)诟邏弘娏﹄娮悠骷I(lǐng)域取得了重大突破。雙方成功開(kāi)發(fā)出一種1200V全垂直GaN-on-Si溝槽MOSFET,其核心技術(shù)創(chuàng)新——氟注入終端(FIT-MOS)技術(shù)——顯著提升了器件的性能,使其達(dá)到了與成本高昂的GaN襯底器件相當(dāng)?shù)乃?。這...  [詳內(nèi)文]
華為最新披露,1200V全垂直GaN技術(shù)進(jìn)展 |
作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2025 年 08 月 25 日 13:38
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關(guān)鍵字:
氮化鎵
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