文章分類： 氮化鎵GaN

GaN中高壓應用蓄勢待發(fā)，外延結(jié)構(gòu)扮演重要角色

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 28 日 17:26 |
| 分類: 氮化鎵GaN
GaN開始為人所知是在光電LED市場，廣為人知則是在功率半導體的消費電子快充市場。但實際上，GaN最初在功率半導體領域的目標據(jù)說是新能源汽車市場，而非消費電子市場。 “在新能源汽車領域，SiC發(fā)展得早，而GaN并不是發(fā)展得不早，只是一開始應用在LED上，抑制了GaN的技術(shù)開發(fā)演進...  [詳內(nèi)文]

三星，入局八英寸氮化鎵代工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 28 日 17:14 |
| 分類: 氮化鎵GaN
在今日舉辦的代工論壇上，三星表示，將從 2025 年起，三星將開始針對消費、數(shù)據(jù)中心和汽車應用的 8 英寸氮化鎵 (GaN) 功率半導體代工服務。 隨著寬禁帶材料開始在功率電子領域取代硅，氮化鎵在消費市場站穩(wěn)腳跟，這將在今后幾年里帶來這類材料在功率器件市場的大幅增長，尤其是在中國...  [詳內(nèi)文]

納微X重力星球，全球首款變形金剛聯(lián)名65W氮化鎵充電器來了

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 27 日 17:40 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，納微半導體宣布其最新GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片獲重力星球最新產(chǎn)品——“狗氮” 65W 變形金剛聯(lián)名款氮化鎵充電器采用。 圖片來源：納微半導體 該65W充電器配備雙Type-C接口和單Type-A接口，可同時為三臺不同的設備如筆記本電腦、智能手機、...  [詳內(nèi)文]

重磅！Wolfspeed公布三件大事

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 26 日 17:40 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據(jù)外媒報道，以阿波羅全球資產(chǎn)管理公司（Apollo Global Management Inc.）為首的一組投資人，決定以私募融資的方式向Wolfspeed提供最多20億美元的資金，這筆資金主要用來支持Wolfspeed在美國的擴張。 Source：Wolfspeed 根據(jù)彭...  [詳內(nèi)文]

國星光電：氮化鎵SIP封裝引領驅(qū)動電源發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 26 日 17:40 |
| 分類: 氮化鎵GaN
隨著半導體工藝的進一步發(fā)展，先進封裝成為了下一階段半導體技術(shù)的重要發(fā)展方向。其中，SIP（System in Package）系統(tǒng)級封裝技術(shù)因可幫助芯片成品增加集成度、減小體積并降低功耗，成為了半導體封裝的關(guān)鍵方案之一。 同時，以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體則因高頻、高能效...  [詳內(nèi)文]

全球前十大IC設計廠商第一季營收持平前季

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 25 日 17:10 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢表示，第一季供應鏈庫存消化不如預期，且適逢傳統(tǒng)淡季，整體需求清淡。 不過，由于部分新品拉動，加上特殊規(guī)格急單帶動，第一季全球前十大IC設計公司營收為338.6億美元，持平去年第四季營收，環(huán)比增長0.1%。Cirrus Logic（思...  [詳內(nèi)文]

供貨泉州三安，化合物半導體企業(yè)株洲科能加速IPO進程

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 25 日 17:09 |
| 分類: 氮化鎵GaN
6月21日，上交所受理了株洲科能新材料股份有限公司（簡稱：株洲科能）科創(chuàng)板上市申請。 招股書顯示，株洲科能此次IPO擬募資5.88億元，投建于年產(chǎn)500噸半導體高純材料項目及回收項目、稀散金屬先進材料研發(fā)中心建設項目，以及補充流動資金。 株洲科能長期致力于Ⅲ-Ⅴ族化學元素材料提純...  [詳內(nèi)文]

18億募資，科創(chuàng)板或?qū)⒃僭鲆患一衔镌O備廠

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 21 日 16:40 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
6月19日，上交所正式受理了拉普拉斯新能源科技股份有限公司（簡稱：拉普拉斯）科創(chuàng)板上市申請。 拉普拉斯此次IPO擬募資18億元，投建于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項目、半導體及光伏高端設備研發(fā)制造基地項目，以及補充流動資金。 2020-2022年（簡稱：報告期內(nèi)），拉普拉斯實現(xiàn)營...  [詳內(nèi)文]

斯達半導體、同濟大學等化合物半導體項目獲新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 21 日 16:38 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，斯達半導體重慶車規(guī)級模塊生產(chǎn)基地項目宣布開工，同濟大學第四代半導體氧化鎵材料項目簽約無錫高新區(qū)。 斯達半導體 6月20日，西部科學城重慶高新區(qū)舉行重點產(chǎn)業(yè)項目集中開工活動，本次開工10個重大項目，總投資185億元， 其中，斯達半導體重慶車規(guī)級模塊生產(chǎn)基地項目總投資4億元，由...  [詳內(nèi)文]

意法半導體和空客達成合作，SiC和GaN將登上飛機

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 21 日 16:37 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據(jù)外媒消息，空客已同意與意法半導體簽署了一項協(xié)議，旨在探索寬禁帶半導體材料對飛機電氣化的好處，雙方將專注于開發(fā)適用于空客航空航天應用的SiC和GaN器件、封裝和模塊。 空中客車首席技術(shù)官Sabine Klauke表示：意法半導體的電力電子專業(yè)知識與空中客車的飛機和VTOL電氣化...  [詳內(nèi)文]