在近期召開的國際碳化硅及相關(guān)材料會(huì)議(ICSCRM) 上,國內(nèi)廠商天科合達(dá)全球首次公開發(fā)布了8英寸低電阻碳化硅襯底。
圖片來源:天科合達(dá)
據(jù)悉,該低電阻襯底可將電阻率控制在7-12mΩ·cm范圍內(nèi),僅為常規(guī)N型襯底電阻率的一半。層錯(cuò)缺陷控制是低電阻產(chǎn)品研發(fā)中的關(guān)鍵挑戰(zhàn),天科合達(dá)...  [詳內(nèi)文]
這家廠商全球首發(fā)8英寸低電阻碳化硅襯底 |
作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 09 月 25 日 13:05 | 分類 碳化硅SiC |