1月2日，珠海市工業(yè)和信息化局公開征求《珠海市電子化學品產(chǎn)業(yè)發(fā)展三年行動方案（2025—2027年）（征求意見稿）》意見，涉及到第三代半導體相關(guān)內(nèi)容。
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其中提到，重點發(fā)展8英寸、12英寸硅片，碳化硅、氮化鎵、磷化銦等新一代化合物半導體襯底材料及外延片；前瞻布局氧化鎵、銻化鎵、銻化銦等第四代半導體材料。
在碳化硅領(lǐng)域，總投資約100億元的珠海奕源半導體材料產(chǎn)業(yè)基地項目于2024年11月14日在金灣區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)園開工建設(shè)。
該項目整體規(guī)劃面積267畝，計劃分兩期建設(shè)，一期計劃2026年2月實現(xiàn)投產(chǎn)。項目核心產(chǎn)品包括合成石英部件、碳化硅功率模組載板等半導體關(guān)鍵材料。其中，碳化硅功率模組載板是碳化硅模組封裝的核心組件，是解決碳化硅高功率模塊散熱和提升可靠性的關(guān)鍵材料。
在氮化鎵領(lǐng)域，珠海聚焦于英諾賽科8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線。2017年11月9日，英諾賽科自主研發(fā)的中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線在珠海正式通線投產(chǎn)。
珠海2020年發(fā)布的《珠海市大力支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見》也提出，支持8英寸硅基氮化鎵外延與芯片大規(guī)模量產(chǎn)生產(chǎn)線增資擴產(chǎn)，迅速形成規(guī)模生產(chǎn)能力。（集邦化合物半導體Zac整理）
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