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日本巨頭追加投資33億日元，InP襯底產(chǎn)能激增50%
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 17 日 14:26 | 分類 企業(yè) , 磷化銦
日本半導(dǎo)體材料巨頭JX先進(jìn)金屬公司（JXAdvancedMetalsCorp.，以下簡稱“JX金屬”）近日宣布，將對旗下磯原工廠的磷化銦（InP）襯底生產(chǎn)設(shè)施進(jìn)行追加資本投資。 圖片來源：JX官網(wǎng)新聞稿截圖 此輪追加投資額與該公司7月份宣布的投資合并計(jì)算，總投資額約達(dá)33億日元...  [詳內(nèi)文]

又有兩家碳化硅廠商完成A+輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 17 日 14:20 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
在碳化硅市場前景廣闊、政策大力扶持以及國內(nèi)廠商技術(shù)不斷突破的當(dāng)下，資本對國內(nèi)碳化硅廠商的關(guān)注度與投資熱情持續(xù)高漲。近期，又有兩家國內(nèi)碳化硅廠商——卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體與科友半導(dǎo)體順利完成A+輪融資。 1、卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體：提速SiC研發(fā)與產(chǎn)能 近期，卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體完成A+輪融資交割，此次投資方為湖北...  [詳內(nèi)文]

與中國廠商抗衡？羅姆將加速開發(fā)碳化硅產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 17 日 10:43 | 分類 碳化硅SiC
日經(jīng)BP消息，羅姆取締役兼常務(wù)執(zhí)行董事、功率元器、件業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人伊野和英向外透露，羅姆正倍速開發(fā)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品，以增強(qiáng)競爭力，等待需求復(fù)蘇。 產(chǎn)品進(jìn)展上，羅姆計(jì)劃從第5代開始生產(chǎn)口徑8英寸（約200毫米）的SiC基板，第6代產(chǎn)品的生產(chǎn)計(jì)劃從2027年啟動。羅姆將同時(shí)推進(jìn)第7代、第...  [詳內(nèi)文]

垂直GaN新秀獲1100萬美元融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 17 日 10:40 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
硅谷AI硬件基礎(chǔ)設(shè)施迎來一家極具潛力的初創(chuàng)公司。由麻省理工學(xué)院（MIT）分拆成立的Vertical Semiconductor Inc.（以下簡稱“Vertical”）10月15日宣布，已成功完成1100萬美元種子輪融資。本輪融資由知名風(fēng)投機(jī)構(gòu)Playground Global領(lǐng)...  [詳內(nèi)文]

頭部SiC企業(yè)二次遞表港交所
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 17 日 10:32 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，港交所官網(wǎng)披露了瀚天天成電子科技(廈門)股份有限公司(以下簡稱“瀚天天成”)在港交所提交的上市申請，公司上市材料被正式受理，獨(dú)家保薦人為中金公司。 圖片來源：瀚天天成上市申請書截圖 資料顯示，瀚天天成成立于2011年，由碳化硅行業(yè)知名科學(xué)家趙建輝博士創(chuàng)立，是全球碳化硅外延...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 16 日 18:27 | 分類 氧化鎵
近日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布在氧化鎵同質(zhì)外延技術(shù)上取得重大突破，成功實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長。 此次鎵仁半導(dǎo)體 的6英寸氧化鎵同質(zhì)外延片表現(xiàn)優(yōu)異。外延層厚度超過10微米，厚度均勻性優(yōu)異，方差σ小于1%。高分辨XRD搖擺曲線半高寬小于40弧...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體大廠談氮化鎵前景
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 16 日 18:27 | 分類 氮化鎵GaN
10月13日，瑞薩電子官微發(fā)文，介紹了瑞薩及其GaN（氮化鎵）技術(shù)發(fā)展征程，氮化鎵應(yīng)用情況，以及未來氮化鎵面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)會。 2024年瑞薩電子收購GaN領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè)Transphorm，進(jìn)而完成了布局氮化鎵的關(guān)鍵一步。此次收購，瑞薩獲得了Transphorm的GaN知識產(chǎn)權(quán)、...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)12英寸SiC再傳捷報(bào)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 16 日 18:27 | 分類 碳化硅SiC
近日，天成半導(dǎo)體官微宣布，依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶設(shè)備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，12英寸N型碳化硅單晶材料晶體?有效厚度突破35mm厚。 據(jù)悉，天成半導(dǎo)體現(xiàn)已掌握12英寸高純半絕緣和N型單晶生長雙成熟工藝，且自研的長晶設(shè)備可產(chǎn)出直徑達(dá)到350mm的單晶材...  [詳內(nèi)文]

全碳化硅充電系統(tǒng)落地湖南，最快1秒1公里
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 14 日 18:00 | 分類 碳化硅SiC
近日，國網(wǎng)湖南電科院“全碳化硅構(gòu)網(wǎng)型10千伏直掛超級充電系統(tǒng)”通過國家能源局能源領(lǐng)域首臺（套）重大技術(shù)裝備評審，并在湖南湘江新區(qū)一處超級充電站試運(yùn)行，充電速度最快達(dá)1秒1公里。 該超級充電站配備了6個(gè)充電樁和11把充電槍，可同時(shí)滿足11輛車的充放電需求。其充電速度極快，最快可達(dá)1...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體與兆易創(chuàng)新成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，涉及碳化硅、氮化鎵領(lǐng)域
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 14 日 17:57 | 分類 碳化硅SiC
“納微芯球”官微消息，近期納微半導(dǎo)體與兆易創(chuàng)新GigaDevice共同設(shè)立的“數(shù)字能源聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”在合肥揭牌。 圖片來源：納微芯球 該實(shí)驗(yàn)室將納微半導(dǎo)體在高頻、高速、高集成度氮化鎵以及擁有溝槽輔助平面技術(shù)的GeneSiC碳化硅領(lǐng)域的產(chǎn)品優(yōu)勢與兆易創(chuàng)新在GD32 MCU領(lǐng)域的深厚...  [詳內(nèi)文]