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西北芯片搶跑！首條8英寸產(chǎn)線(xiàn)投產(chǎn)，國(guó)產(chǎn)化率超60%
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 09 日 14:25 | 分類(lèi) 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
近日，我國(guó)在西北地區(qū)布局建設(shè)的首條8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線(xiàn)，已正式通線(xiàn)投產(chǎn)。 該項(xiàng)目由陜西電子信息集團(tuán)投資建設(shè)，由旗下陜西電子芯業(yè)時(shí)代科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“芯業(yè)時(shí)代”）運(yùn)營(yíng)，項(xiàng)目位于西安高新綜合保稅區(qū)，總建筑面積17.39萬(wàn)平方米，由17棟單體組成，包括生產(chǎn)廠(chǎng)房、動(dòng)力站、特...  [詳內(nèi)文]

成功登陸/二次沖關(guān)，兩家功率半導(dǎo)體IPO進(jìn)展更新
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 09 日 14:19 | 分類(lèi) 企業(yè)
近日，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來(lái)兩起備受關(guān)注的資本事件：納芯微于12月8日在香港聯(lián)合交易所主板完成A+H雙平臺(tái)布局，實(shí)現(xiàn)首次港股上市；而同月2日，深圳市尚鼎芯科技股份有限公司重新遞交招股書(shū)，啟動(dòng)港交所IPO。 兩家公司均為無(wú)晶圓廠(chǎng)（fab?less）模式的功率器件供應(yīng)商，專(zhuān)注于車(chē)規(guī)級(jí)...  [詳內(nèi)文]

無(wú)錫半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)再獲數(shù)億元資金，年內(nèi)完成三輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 08 日 17:11 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
近日，研微（江蘇）半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“研微半導(dǎo)體”）完成數(shù)億元A輪融資，投資方包括永鑫方舟、金圓資本、合肥產(chǎn)投等知名投資機(jī)構(gòu)。該公司成立3年已有多臺(tái)設(shè)備通過(guò)Fab廠(chǎng)驗(yàn)證，募集資金將用于未來(lái)研發(fā)投入及擴(kuò)充團(tuán)隊(duì)。 公開(kāi)資料顯示，研微半導(dǎo)體成立于2022年，總部位于無(wú)錫，主要...  [詳內(nèi)文]

格力電器透露碳化硅芯片業(yè)務(wù)新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 08 日 17:08 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，格力電器在投資者關(guān)系平臺(tái)上透露了碳化硅業(yè)務(wù)最新進(jìn)展。 格力電器介紹，公司于2022年成立珠海格力電子元器件有限公司，全面負(fù)責(zé)第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)晶圓制造、功率器件封裝測(cè)試及半導(dǎo)體檢測(cè)服務(wù)。 目前，電子元器件公司已經(jīng)通過(guò)IATF16949車(chē)規(guī)級(jí)質(zhì)量體系認(rèn)證，并采用全自...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體、威世相繼推出SiC重磅新品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 08 日 17:06 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC
進(jìn)入12月，全球碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域迎來(lái)密集技術(shù)落地，頭部企業(yè)紛紛加碼高壓、高可靠性產(chǎn)品布局。納微半導(dǎo)體與威世（Vishay）相繼發(fā)布重磅SiC新品，分別聚焦超高壓場(chǎng)景突破與中功率市場(chǎng)適配。 1、納微半導(dǎo)體發(fā)布3300V/2300V超高壓SiC全系產(chǎn)品組合 12月1日，納...  [詳內(nèi)文]

華為、比亞迪押注！碳化硅外延“第一股”港股敲鐘，募資2.24億美元
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 08 日 17:00 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC
12月5日，廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“天域半導(dǎo)體”）正式在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。作為中國(guó)碳化硅（SiC）外延片領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，天域半導(dǎo)體的成功上市不僅打破了國(guó)內(nèi)同類(lèi)企業(yè)在港股的“零記錄”，也標(biāo)志著松山湖科學(xué)城在培育高科技上市梯隊(duì)方面取得了重要突破。 圖片來(lái)源：...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵入選浙江省重大科技成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 17:02 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氧化鎵
近期，浙江省科技廳公布2025年度重大科技成果，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司的氧化鎵系列成果入選。 圖片來(lái)源：鎵仁半導(dǎo)體 半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷經(jīng)數(shù)代更迭：從以硅、鍺為代表的第一代，到以砷化鎵等化合物為代表的第二代，再到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代。如今，被譽(yù)為“第四代半導(dǎo)體”的氧化鎵...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技與頭部車(chē)企達(dá)成長(zhǎng)期合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:57 | 分類(lèi) 企業(yè)
12月2日，揚(yáng)杰科技與奔馳正式簽署長(zhǎng)期合作協(xié)議，標(biāo)志著揚(yáng)杰科技在核心產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力與全球市場(chǎng)拓展方面取得積極進(jìn)展。 圖片來(lái)源：揚(yáng)杰科技 根據(jù)雙方披露的合作細(xì)節(jié)，早在協(xié)議簽署的兩年前，揚(yáng)杰科技便已啟動(dòng)與奔馳技術(shù)團(tuán)隊(duì)的深度對(duì)接。面對(duì)奔馳及其供應(yīng)鏈在應(yīng)用適配、可靠性驗(yàn)證等方面的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)，...  [詳內(nèi)文]

九峰山實(shí)驗(yàn)室氮化鎵新突破！即將中試驗(yàn)證
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:52 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN
2025年12月4日，九峰山實(shí)驗(yàn)室宣布了一項(xiàng)重大的科技突破——氮化鎵電源模塊的研發(fā)成功。該電源模塊只有拇指大小，100萬(wàn)個(gè)指甲蓋大小的“黑盒子”，裝入一座容量1吉瓦（10億瓦）的超大型AI算力中心機(jī)柜里，一年可省近3億度電，約合2.4億元電費(fèi)。 圖片來(lái)源：中國(guó)光谷 團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人李...  [詳內(nèi)文]

新微半導(dǎo)體：氮化鎵功率全工藝平臺(tái)年產(chǎn)能突破60,000片
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:40 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN
近期，由臨港新片區(qū)管理委員會(huì)指導(dǎo)，新微半導(dǎo)體主辦的“氮化鎵驅(qū)動(dòng)AI芯時(shí)代——臨港氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)鏈峰會(huì)”成功舉行。 會(huì)上，新微半導(dǎo)體宣布其100V-200V氮化鎵功率工藝平臺(tái)發(fā)布，同時(shí)該公司氮化鎵功率全工藝平臺(tái)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)能突破60,000片。 圖片來(lái)源：新微半導(dǎo)體 新微半導(dǎo)體指出...  [詳內(nèi)文]