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華為最新披露，1200V全垂直GaN技術(shù)進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 25 日 13:38 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
華為公司與山東大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近日聯(lián)合宣布，他們在高壓電力電子器件領(lǐng)域取得了重大突破。雙方成功開發(fā)出一種1200V全垂直GaN-on-Si溝槽MOSFET，其核心技術(shù)創(chuàng)新——氟注入終端（FIT-MOS）技術(shù)——顯著提升了器件的性能，使其達(dá)到了與成本高昂的GaN襯底器件相當(dāng)?shù)乃?。這...  [詳內(nèi)文]

天岳先進(jìn)x東芝電子元件，碳化硅強(qiáng)強(qiáng)合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 25 日 13:38 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱”東芝電子元件”）與山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司（以下簡稱”天岳先進(jìn)”）就天岳先進(jìn)開發(fā)制造的SiC功率半導(dǎo)體用襯底達(dá)成基本協(xié)議。 圖片來源：山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司 天岳先進(jìn)表示，...  [詳內(nèi)文]

韓國650V氮化鎵功率半導(dǎo)體，實(shí)現(xiàn)首次量產(chǎn)！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 25 日 13:38 | 分類 氮化鎵GaN
近日，韓國半導(dǎo)體公司ChipScale宣布，已經(jīng)成功量產(chǎn)650V氮化鎵功率半導(dǎo)體，成為韓國首家實(shí)現(xiàn)這一技術(shù)的公司。 ChipScale是一家韓國無晶圓廠（Fabless）半導(dǎo)體公司，位于京畿道，專注于氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的設(shè)計與開發(fā)。據(jù)悉該公司的核心技術(shù)人員來自于韓國電子通...  [詳內(nèi)文]

宏微科技子公司芯動能獲新能源車企SiC MOSFET項(xiàng)目定點(diǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 22 日 14:36 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
8月20日，宏微科技發(fā)布公告稱，其控股子公司常州芯動能半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“芯動能”）于近日收到國內(nèi)某新能源汽車頭部企業(yè)客戶發(fā)送的定點(diǎn)通知書，確定芯動能作為該車企客戶SiC MOSFET器件項(xiàng)目的供應(yīng)商。 圖片來源：上海證券報截圖 宏微科技表示，此次項(xiàng)目定點(diǎn)體現(xiàn)了車企客戶對...  [詳內(nèi)文]

芯能發(fā)布半橋SIC產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 22 日 14:31 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
“芯能半導(dǎo)體”官微消息，近期芯能發(fā)布新一代高效、高功率密度、高可靠性的電力電子核心功率轉(zhuǎn)換解決方案?；谙冗M(jìn)的寬禁帶半導(dǎo)體材料——碳化硅 (SiC)，集成SiC MOSFET并內(nèi)置優(yōu)化的驅(qū)動與過流保護(hù)電路，功率在300W以下支持無散熱器應(yīng)用。 圖片來源：芯能半導(dǎo)體 相比傳統(tǒng)硅基...  [詳內(nèi)文]

一周兩家新公司！國內(nèi)兩家碳化硅大廠出手
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 22 日 14:26 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
隨著新能源汽車、風(fēng)光儲能等新興產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體作為核心元器件迎來新的發(fā)展機(jī)遇。在這一賽道上，國內(nèi)頭部企業(yè)動作頻頻，近期多家碳化硅企業(yè)設(shè)立新公司以強(qiáng)化戰(zhàn)略版圖。8月18日，基本半導(dǎo)體在杭州注冊基本半導(dǎo)體(杭州)有限公司；斯達(dá)半導(dǎo)體也于8月21日出手設(shè)立全資子公司上海斯達(dá)集...  [詳內(nèi)文]

正式動工！這一功率半導(dǎo)體項(xiàng)目計劃明年底建成
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 21 日 14:18 | 分類 化合物半導(dǎo)體
據(jù)“南閘發(fā)布”消息，近日賽英電子功率半導(dǎo)體模塊散熱基板新建生產(chǎn)基地及產(chǎn)能提升項(xiàng)目正式開工。 公開資料顯示，賽英電子成立于2002年，專業(yè)從事陶瓷管殼、封裝散熱基板等功率半導(dǎo)體器件關(guān)鍵部件研發(fā)、制造和銷售，為半導(dǎo)體廠商提供用于晶閘管、IGBT和IGCT等功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵部件產(chǎn)品...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技發(fā)布半年報，整體訂單出貨量同比快速提升
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 21 日 14:15 | 分類 企業(yè)
8月19日，揚(yáng)杰科技披露半年度報告，該公司2025年上半年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入34.55億元，同比增長20.58%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤6.01億元，同比增長41.55%；實(shí)現(xiàn)扣非后歸母凈利潤5.59億元，同比增長32.33%；實(shí)現(xiàn)基本每股收益1.12元，同比增長43.59%。...  [詳內(nèi)文]

SiC邁向800V時代，特斯拉、小鵬、理想、深藍(lán)誰是贏家？
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 21 日 13:57 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
隨著新能源汽車全面邁向800V高壓時代，作為其核心支撐技術(shù)的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體，正成為決定未來市場勝負(fù)的關(guān)鍵戰(zhàn)場。在這場競賽中，特斯拉、小鵬、理想等先行者早已通過自研或深度合作搶先布局。而現(xiàn)在，這場牌局又迎來一位剛剛“亮牌”的重量級玩家。 8月19日，長安汽車旗下新能源品...  [詳內(nèi)文]

龍泉首條無壓燒結(jié)碳化硅陶瓷生產(chǎn)線試生產(chǎn)！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 20 日 15:01 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)龍泉發(fā)布消息，近日，浙江晶陶科技有限公司投資建設(shè)的年產(chǎn)600噸無壓燒結(jié)碳化硅陶瓷生產(chǎn)線技改項(xiàng)目，近期已順利進(jìn)入試生產(chǎn)階段。 圖片來源：龍泉發(fā)布 無壓燒結(jié)是一種先進(jìn)的陶瓷燒結(jié)工藝，通過在高溫下使陶瓷粉末顆粒之間發(fā)生擴(kuò)散和重結(jié)晶，從而實(shí)現(xiàn)陶瓷的致密化。與傳統(tǒng)的有壓燒結(jié)相比，無壓燒...  [詳內(nèi)文]