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英諾賽科第三代700V氮化鎵全面上市
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 20 日 14:56 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
8月18日，英諾賽科宣布其第三代(Gen3) 700V 增強(qiáng)型氮化鎵功率器件系列正式全面上市。 圖片來源：英諾賽科 相較Gen2.5，英諾賽科Gen3產(chǎn)品核心性能實(shí)現(xiàn)躍升，具體包括： 芯片面積縮減30%：通過先進(jìn)的工藝優(yōu)化與結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，顯著提升硅片利用率，助力實(shí)現(xiàn)更高功率密度設(shè)計(jì)...  [詳內(nèi)文]

敲鐘！天岳先進(jìn)正式登陸港交所
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 20 日 14:51 | 分類 企業(yè)
8月20日，山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱“天岳先進(jìn)”）正式在香港聯(lián)合交易所有限公司主板掛牌上市，成功開啟“A+H”雙平臺(tái)上市的新篇章。 圖片來源：華福國際香港 本次發(fā)行引入了國能環(huán)保、未來資產(chǎn)證券等5家基石投資者，認(rèn)購總金額達(dá)7.40億港元。天岳先進(jìn)計(jì)劃將募集資金的70%...  [詳內(nèi)文]

30億+55億，兩大碳化硅項(xiàng)目簽約
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 19 日 13:40 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)陜蒙能源發(fā)布消息，近日，內(nèi)蒙古自治區(qū)在碳化硅產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，準(zhǔn)格爾旗和通遼市庫倫旗分別簽約高純石英砂及碳化硅項(xiàng)目和碳化硅產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目，總投資額達(dá)85億元。這標(biāo)志著內(nèi)蒙古正持續(xù)依托自身資源優(yōu)勢(shì)，積極推動(dòng)硅基新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 內(nèi)蒙古發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)擁有得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)。首先是豐富的...  [詳內(nèi)文]

九峰山實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)6英寸磷化銦技術(shù)突破！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 19 日 13:40 | 分類 磷化銦
近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室宣布在磷化銦（InP）材料領(lǐng)域取得重大技術(shù)突破，成功開發(fā)出6英寸磷化銦基PIN結(jié)構(gòu)探測(cè)器和FP結(jié)構(gòu)激光器的外延生長工藝。 圖片來源：九峰山實(shí)驗(yàn)室（圖為九峰山實(shí)驗(yàn)室6英寸磷化銦PIN探測(cè)器外延片） 該成果不僅將關(guān)鍵性能指標(biāo)提升至國際領(lǐng)先水平，更是國內(nèi)首次在大尺寸...  [詳內(nèi)文]

華海清科投資一家化合物設(shè)備企業(yè)！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 19 日 13:38 | 分類 企業(yè)
據(jù)華海清科官微消息，近日華海清科股份有限公司（簡(jiǎn)稱“華海清科”）完成對(duì)蘇州博宏源設(shè)備股份有限公司（簡(jiǎn)稱“蘇州博宏源”）的戰(zhàn)略投資。 華海清科是一家半導(dǎo)體裝備制造商，成立于2013年，2022年在上交所科創(chuàng)板上市，主要產(chǎn)品包括CMP裝備、減薄裝備、劃切裝備等，其產(chǎn)品及服務(wù)已廣泛應(yīng)用...  [詳內(nèi)文]

印度首座化合物半導(dǎo)體晶圓廠獲批！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 18 日 14:26 | 分類 化合物半導(dǎo)體
近日，印度官方宣布，在印度半導(dǎo)體計(jì)劃（ISM）框架下，新增批準(zhǔn)4個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目，使ISM項(xiàng)目總數(shù)由6個(gè)增至10個(gè)。這4個(gè)項(xiàng)目涉及約460億盧比（約合37.77億元人民幣）投資。值得關(guān)注的是，這四個(gè)項(xiàng)目中包含印度首座商業(yè)化合物半導(dǎo)體晶圓廠。 據(jù)了解，該廠由印度SiCSem公司與英國C...  [詳內(nèi)文]

河南省碳化硅功能材料產(chǎn)業(yè)研究院揭牌
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 18 日 14:22 | 分類 碳化硅SiC
近期，河南省碳化硅功能材料產(chǎn)業(yè)研究院揭牌儀式在中宜創(chuàng)芯公司一樓廣場(chǎng)舉行。 資料顯示，該產(chǎn)業(yè)研究院于今年1月14日獲得河南省工業(yè)和信息化廳批復(fù)建設(shè)，建設(shè)期三年。由易成新材牽頭，中宜創(chuàng)芯和淅川三責(zé)公司共同建設(shè)，依托碳化硅微粉國家CNAS認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室、浙大-平煤神馬碳化硅半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室...  [詳內(nèi)文]

押注功率半導(dǎo)體，東芝核心子公司擬擴(kuò)產(chǎn)1.5倍
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 18 日 14:17 | 分類 企業(yè) , 功率
東芝（Toshiba）集團(tuán)在2023年底完成私有化并從公開市場(chǎng)退市后，其業(yè)務(wù)重組和戰(zhàn)略方向調(diào)整的具體舉措正逐步明晰。今年8月11日，據(jù)外媒最新消息，東芝核心半導(dǎo)體制造子公司“日本半導(dǎo)體公司”（Japan Semiconductor Corporation, JSC）計(jì)劃擴(kuò)大其8英...  [詳內(nèi)文]

湖南這家碳化硅設(shè)備廠商，1900℃高溫?zé)挸觥靶尽辈牧?/a>
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 15 日 14:28 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日媒體報(bào)道，在湖南艾科威半導(dǎo)體裝備有限公司（以下簡(jiǎn)稱“艾科威”）里，一臺(tái)制作半導(dǎo)體材料的碳化硅（SiC）高溫激活爐正在裝車，準(zhǔn)備發(fā)往外地某芯片公司。 艾科威研發(fā)總監(jiān)尹昊介紹，碳化硅高溫激活爐，通過在高溫環(huán)境下對(duì)碳化硅材料進(jìn)行表面改性處理，實(shí)現(xiàn)晶圓表面石墨層的制備，主要應(yīng)用于碳化...  [詳內(nèi)文]

超過碳化硅！新型氮化鎵晶體管已突破800℃高溫
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 15 日 14:27 | 分類 氮化鎵GaN
近日，由賓夕法尼亞州立大學(xué)電氣工程教授Rongming Chu領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)，設(shè)計(jì)出了一種可在800?℃下工作的氮化鎵晶體管——足以熔化食鹽的高溫。這項(xiàng)技術(shù)突破不僅挑戰(zhàn)了現(xiàn)有半導(dǎo)體材料的物理極限，更可能重塑極端環(huán)境下電子設(shè)備的設(shè)計(jì)邏輯。 傳統(tǒng)硅基晶體管因帶隙較窄（1.12eV），...  [詳內(nèi)文]