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小批量出貨+戰(zhàn)略合作，又一氮化鎵廠商沖刺機(jī)器人賽道！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 31 日 17:12 | 分類 氮化鎵GaN
近期，國內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)宏微科技在氮化鎵（GaN）領(lǐng)域動(dòng)作頻頻，先是披露自主研發(fā)的氮化鎵產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)小規(guī)模出貨，隨后又與國內(nèi)傳動(dòng)領(lǐng)域頭部企業(yè)達(dá)成戰(zhàn)略合作，聚焦氮化鎵器件聯(lián)合共研及多領(lǐng)域應(yīng)用拓展。 與國內(nèi)傳動(dòng)領(lǐng)域頭部企業(yè)達(dá)成戰(zhàn)略合作 12月29日，宏微科技公告稱，公司與一家國內(nèi)傳動(dòng)領(lǐng)...  [詳內(nèi)文]

25.7億元，新微集團(tuán)完成戰(zhàn)略融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 31 日 16:34 | 分類 企業(yè)
12月30日， 新微集團(tuán)宣布完成第二輪融資，資金規(guī)模共計(jì)25.7億元人民幣。 本輪融資中，原股東混改基金、工銀投資、交銀投資繼續(xù)增持，合計(jì)出資11億元；國家綠色發(fā)展基金、上海國際集團(tuán)、中電科投資、深投控資本、廣西產(chǎn)投、臨港新片區(qū)及臨港策源七家“新面孔”同步入局，股東結(jié)構(gòu)首次實(shí)現(xiàn)國...  [詳內(nèi)文]

深圳首個(gè)聚焦化合物半導(dǎo)體光電子領(lǐng)域公共服務(wù)平臺(tái)落成！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 30 日 15:14 | 分類 化合物半導(dǎo)體
近期，深圳技術(shù)大學(xué)半導(dǎo)體微納加工中心與測試平臺(tái)正式落成。 深技大副校長鄧元龍代表學(xué)校，分別與清華大學(xué)深圳國際研究生院、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、深圳國際量子研究院、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院、深圳光峰科技股份有限公司、藍(lán)河科技(紹興)有限公司、騰璞顯示技術(shù)（深圳）有限公司、深圳市中科米格實(shí)...  [詳內(nèi)文]

這家設(shè)備廠實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅單晶爐小批量發(fā)貨
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 30 日 15:09 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
2025年12月，晶升股份在碳化硅單晶爐領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步：公司自主研發(fā)的12英寸碳化硅單晶爐已于12月29日完成小批量發(fā)貨，正式交付客戶投入應(yīng)用。這一進(jìn)展不僅填補(bǔ)了國產(chǎn)300mm SiC長晶設(shè)備的空白，也為12英寸碳化硅襯底在先進(jìn)封裝、AR眼鏡等新興場景的落地奠定了“材料之基”。...  [詳內(nèi)文]

紫光國微公告，收購功率半導(dǎo)體大廠
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 30 日 15:01 | 分類 企業(yè)
12月29日，紫光國芯微電子股份有限公司（簡稱“紫光國微”）發(fā)布公告，宣布正籌劃以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式，收購南昌建恩半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資中心（有限合伙）、北京廣盟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資中心（有限合伙）、天津瑞芯半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資中心（有限合伙）等交易對方持有的瑞能半導(dǎo)體體科技股份有限公司（簡稱...  [詳內(nèi)文]

這家公司水導(dǎo)激光技術(shù)成功實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅晶錠一次性高效精密加工
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 29 日 15:53 | 分類 碳化硅SiC
近期，晟光硅研成功應(yīng)用水導(dǎo)激光加工技術(shù)，對12英寸超大尺寸碳化硅晶錠實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量、高效率的精密加工，具備應(yīng)對超厚材料能力強(qiáng)、加工質(zhì)量卓越、適用于大尺寸工件、環(huán)保與高效等特點(diǎn)，未來有望提升襯底制備能力、降低綜合成本，為我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控與高質(zhì)量發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)能。 圖片...  [詳內(nèi)文]

我國實(shí)現(xiàn)8英寸氧化鎵晶體制備突破！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 29 日 15:48 | 分類 氧化鎵
據(jù)“上?？萍肌眻?bào)道，12月27日，在上海市科委第四代半導(dǎo)體戰(zhàn)略前沿專項(xiàng)支持下，中國科學(xué)院上海光機(jī)所（以下簡稱“上海光機(jī)所”）聯(lián)合杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡稱“富加鎵業(yè)”），在國際上首次采用垂直布里奇曼法（VB法）制備出8英寸氧化鎵晶體。 圖片來源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司...  [詳內(nèi)文]

比亞迪半導(dǎo)體、株洲中車等3家企業(yè)披露最新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 29 日 15:38 | 分類 企業(yè) , 功率
近期，國產(chǎn)功率半導(dǎo)體“三線”齊傳捷報(bào)：株洲中車53億元8英寸SiC晶圓線正式通線，年增36萬片產(chǎn)能；寧波比亞迪24萬片SiC芯片技改項(xiàng)目通過驗(yàn)收，1200V溝槽柵MOSFET量產(chǎn)在即；東臺(tái)富樂華10億元高導(dǎo)熱陶瓷基板項(xiàng)目主體封頂，180萬片/年封裝材料產(chǎn)線落地。 中車中低壓功率器...  [詳內(nèi)文]

晶盛機(jī)電12英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備順利交付
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 26 日 16:38 | 分類 碳化硅SiC
近日，晶盛機(jī)電在碳化硅（SiC）核心裝備領(lǐng)域取得重大突破，12英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備順利交付全球頭部SiC外延晶片生產(chǎn)商#瀚天天成。 新設(shè)備采用獨(dú)創(chuàng)“垂直分流進(jìn)氣”結(jié)構(gòu)，可在同一平臺(tái)兼容8/12英寸工藝，實(shí)現(xiàn)晶圓表面溫度≤±0.5℃的高精度閉環(huán)控制、工藝氣體多區(qū)獨(dú)立控制、全...  [詳內(nèi)文]

產(chǎn)學(xué)簽約！聯(lián)合攻關(guān)8英寸液相法SiC制備
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 26 日 16:33 | 分類 碳化硅SiC
近日，常州臻晶半導(dǎo)體有限公司與南昌大學(xué)國際材料創(chuàng)新研究院正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將聚焦“8英寸厚SiC單晶的低成本制備”這一產(chǎn)業(yè)核心課題，依托臻晶半導(dǎo)體自主研發(fā)的液相法碳化硅長晶爐及全套工藝技術(shù)支持，開展深度聯(lián)合攻關(guān)。 圖片來源：江西省公共資源交易平臺(tái)截圖 臻晶半導(dǎo)體成立于2...  [詳內(nèi)文]