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踐行綠色使命，天科合達(dá)獲ISO14067碳足跡認(rèn)證
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 29 日 15:25 | 分類 企業(yè)
在全球“雙碳”目標(biāo)不斷推進(jìn)的今天，科技企業(yè)不僅肩負(fù)技術(shù)創(chuàng)新的使命，更需以實(shí)際行動(dòng)回應(yīng)環(huán)保責(zé)任。作為第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底領(lǐng)域的核心材料供應(yīng)商，天科合達(dá)始終深知，產(chǎn)品的高效與節(jié)能特性本身就是對(duì)環(huán)境保護(hù)的重要貢獻(xiàn)。但我們并未止步于此——我們更希望清晰衡量并管理產(chǎn)品全生命周期的碳足跡，...  [詳內(nèi)文]

5家企業(yè)SiC新品集中亮相
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 29 日 15:20 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
9月，碳化硅（SiC）領(lǐng)域新品動(dòng)態(tài)頻繁，英飛凌、羅姆半導(dǎo)體、方正微電子、茂睿芯、Wolfspeed等企業(yè)紛紛發(fā)力，陸續(xù)推出多款產(chǎn)品，覆蓋功率器件、模塊、材料等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，應(yīng)用場(chǎng)景涵蓋光伏、儲(chǔ)能、新能源汽車、工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域。 1、茂睿芯 9月22日，茂睿芯官微宣布，正式推出國(guó)內(nèi)首款直...  [詳內(nèi)文]

美國(guó)能源部啟動(dòng)TRACE-Ga計(jì)劃，助力構(gòu)建本土鎵供應(yīng)鏈
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 19:13 | 分類 化合物半導(dǎo)體
近日，美國(guó)能源部（DOE）化石能源和碳管理辦公室正式宣布啟動(dòng)鎵回收和先進(jìn)關(guān)鍵材料提取技術(shù)（TRACE-Ga）計(jì)劃。 鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的核心原料，在新能源汽車、5G通信、光伏設(shè)備以及軍事裝備等眾多關(guān)鍵領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。隨著全球?qū)Φ谌雽?dǎo)體產(chǎn)品需求的持續(xù)攀升，鎵的戰(zhàn)略...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域再增兩起重磅合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 19:06 | 分類 功率
近期，功率半導(dǎo)體領(lǐng)域合作動(dòng)態(tài)不斷，英飛凌與羅姆在碳化硅領(lǐng)域簽署合作備忘錄，就SiC功率器件封裝展開(kāi)合作并計(jì)劃擴(kuò)大合作范圍；與此同時(shí)，爍科晶體與韓國(guó)EYEQ Lab、NAMUGA達(dá)成戰(zhàn)略合作，在SiC襯底方面深度綁定。 英飛凌與羅姆達(dá)成碳化硅領(lǐng)域合作 近期，英飛凌宣布與羅姆就建立S...  [詳內(nèi)文]

這條12英寸SiC中試線正式通線！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 19:02 | 分類 碳化硅SiC
9月26日，據(jù)晶盛機(jī)電官微宣布，其旗下子公司浙江晶瑞SuperSiC首條12英寸碳化硅（SiC）襯底加工中試線正式通線。浙江晶瑞SuperSiC真正實(shí)現(xiàn)了從晶體生長(zhǎng)、加工到檢測(cè)環(huán)節(jié)的全線設(shè)備自主研發(fā)，100%國(guó)產(chǎn)化。 圖片來(lái)源：晶盛機(jī)電 據(jù)晶盛機(jī)電介紹，該中試線覆蓋了晶體加工，...  [詳內(nèi)文]

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所：氮化物片上光通信獲突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 18:54 | 分類 化合物半導(dǎo)體
近日，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所#寬禁帶半導(dǎo)體 研發(fā)中心王軍喜、魏同波研究員團(tuán)隊(duì)，與復(fù)旦大學(xué)沈超研究員、沙特國(guó)王科技大學(xué)李曉航副教授合作，制備出氮化物片上日盲光通信集成器件，并搭建了可以實(shí)時(shí)傳輸視頻信號(hào)的片上光通信集成系統(tǒng)。 該研究成果以“III-Nitride Micro-Arra...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科亮相PCIM Asia，集中呈現(xiàn)國(guó)內(nèi)氮化鎵最新成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 18:48 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
9月24日至26日，PCIM Asia展會(huì)（上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)暨研討會(huì)）如火如荼召開(kāi)，全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)英諾賽科（Innoscience）呈現(xiàn)了其最新的InnoGaN產(chǎn)品系列與多行業(yè)應(yīng)用方案，吸引眾多業(yè)內(nèi)人士駐足交流。 PCIM Asia作為亞太地...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵產(chǎn)能進(jìn)一步釋放，兩家廠商迎重大進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 18:39 | 分類 氮化鎵GaN
近期，氮化鎵半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁，山東鎵數(shù)智能科技有限公司與東部高科DB HiTek分別傳來(lái)重要消息。山東鎵數(shù)氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目全面達(dá)產(chǎn)，在產(chǎn)能建設(shè)與市場(chǎng)拓展方面成果顯著；與此同時(shí)，東部高科650V GaN HEMT工藝開(kāi)發(fā)進(jìn)入最終階段，并計(jì)劃推出專屬氮化鎵多項(xiàng)目晶圓項(xiàng)目，同時(shí)...  [詳內(nèi)文]

這家廠商全球首發(fā)8英寸低電阻碳化硅襯底
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 25 日 13:05 | 分類 碳化硅SiC
在近期召開(kāi)的國(guó)際碳化硅及相關(guān)材料會(huì)議（ICSCRM） 上，國(guó)內(nèi)廠商天科合達(dá)全球首次公開(kāi)發(fā)布了8英寸低電阻碳化硅襯底。 圖片來(lái)源：天科合達(dá) 據(jù)悉，該低電阻襯底可將電阻率控制在7-12mΩ·cm范圍內(nèi)，僅為常規(guī)N型襯底電阻率的一半。層錯(cuò)缺陷控制是低電阻產(chǎn)品研發(fā)中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，天科合達(dá)...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體大廠將進(jìn)軍氮化鎵市場(chǎng)！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 25 日 13:04 | 分類 功率 , 氮化鎵GaN
在全球科技加速向清潔能源與智能化轉(zhuǎn)型的浪潮中，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正迎來(lái)新一輪技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)變革。作為行業(yè)領(lǐng)軍者，東芝電子元件近期動(dòng)作頻頻，在碳化硅（SiC）、IGBT等領(lǐng)域持續(xù)深耕并取得顯著成果后，又將戰(zhàn)略目光投向了氮化鎵（GaN）這一極具潛力的新興領(lǐng)域。 東芝電子元件將進(jìn)軍氮化鎵市...  [詳內(nèi)文]