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珂瑪科技擴建，年產(chǎn)11000件半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅陶瓷部件！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 19 日 14:03 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 碳化硅SiC
市場最新消息顯示，珂瑪科技半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅陶瓷部件的擴建項目獲最新進展。9月15日，滁州市人民政府發(fā)布了關(guān)于《安徽珂瑪材料技術(shù)有限公司半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅材料及部件項目環(huán)境影響報告表》受理公示。 圖片來源：滁州市人民政府官網(wǎng)公示截圖 安徽珂瑪材料技術(shù)有限公司計劃在滁州市中新蘇滁...  [詳內(nèi)文]

羅姆：搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開始量產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 18 日 14:29 | 分類 碳化硅SiC
9月17日，據(jù)羅姆半導(dǎo)體官微宣布，搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開始量產(chǎn)。 據(jù)了解，作為電驅(qū)動總成系統(tǒng)的核心部件，此次采用羅姆SiC MOSFET的逆變磚，對電動汽車的效率和性能有十分顯著的作用。這款高性能逆變磚突破電動汽車牽引逆變器領(lǐng)域通常支持的800V電壓，可支持...  [詳內(nèi)文]

中鎵半導(dǎo)體實現(xiàn)6/8英寸GaN襯底制備
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 18 日 14:26 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“中鎵半導(dǎo)體”）宣布取得重大技術(shù)突破，成功攻克6英寸及8英寸氮化鎵（GaN）單晶襯底的制備技術(shù)。 圖片來源：中鎵半導(dǎo)體 這一成果依托于#中鎵半導(dǎo)體 自主研發(fā)的超大型氫化物氣相外延設(shè)備（HVPE），不僅填補了國際上HVPE工藝在6英寸及...  [詳內(nèi)文]

捷捷微電/三安光電披露，碳化硅取得新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 18 日 14:06 | 分類 碳化硅SiC
近日，捷捷微電和三安光電在碳化硅領(lǐng)域的最新研發(fā)進展引發(fā)了行業(yè)關(guān)注。捷捷微電與中科院微電子研究所等合作研發(fā)碳化硅器件，目前處于小批量封測階段；三安光電熱沉散熱用碳化硅材料研發(fā)進入送樣階段，其8英寸襯底準量產(chǎn)產(chǎn)品已進入主流新能源汽車企業(yè)供應(yīng)鏈。 捷捷微電：攜手科研機構(gòu)，推進碳化硅器件...  [詳內(nèi)文]

瞄準碳化硅復(fù)合材料等領(lǐng)域，兩家公司簽署合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 17 日 15:27 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，京瓷與Kyoto Fusioneering簽署一項聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，共同為下一代聚變能源工廠研發(fā)先進的陶瓷材料。 據(jù)悉，此次合作將聚焦三個領(lǐng)域： 其一，用于聚變能源工廠的先進碳化硅復(fù)合材料，旨在增強其在極端條件下的耐用性和性能。資料顯示，碳化硅復(fù)合材料具有優(yōu)異的耐輻射性能，工作...  [詳內(nèi)文]

全球首個氮化鎵量子光源芯片獲工信部點名
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 17 日 15:24 | 分類 氮化鎵GaN
近期，國務(wù)院新聞辦公室在北京舉行“高質(zhì)量完成‘十四五’規(guī)劃”系列主題新聞發(fā)布會。 會上，工業(yè)和信息化部副部長辛國斌提到，“十四五”期間，國家高新區(qū)內(nèi)先后誕生了全球首臺超導(dǎo)量子計算機、全球首個通用人工智能系統(tǒng)原型等原創(chuàng)技術(shù)和產(chǎn)品。今年上半年，全球首個氮化鎵量子光源芯片在成都高新區(qū)正...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體新增兩起合作，揚杰科技/芯邁半導(dǎo)體加碼汽車電子
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 17 日 15:19 | 分類 功率
近期，功率半導(dǎo)體行業(yè)合作頻頻，多家企業(yè)圍繞汽車電子領(lǐng)域展開深度合作，推動產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同與技術(shù)突破。揚杰科技與星宇股份、芯邁半導(dǎo)體與晶能光電相繼達成戰(zhàn)略合作，功率半導(dǎo)體企業(yè)在汽車電子領(lǐng)域的布局進一步深化。 1、揚杰科技與星宇股份正式簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議 據(jù)揚杰科技官微消息，9月15日，揚州...  [詳內(nèi)文]

中科愛畢賽思第三臺批產(chǎn)型MBE正式投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 16 日 14:33 | 分類 企業(yè)
9月16日，中科愛畢賽思（常州）光電科技有限公司宣布其第三臺批產(chǎn)型分子束外延（MBE）設(shè)備正式投產(chǎn)。這標志著公司在半導(dǎo)體光電薄膜材料和器件的生產(chǎn)制造能力上取得了重大進展。 圖片來源：中科愛畢賽思 中科愛畢賽思專注于III-V族化合物半導(dǎo)體光電薄膜材料和器件的研發(fā)與生產(chǎn)，其核心產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

比亞迪發(fā)布e-Bus平臺3.0，碳化硅助力電動客車 “電比油強”
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 16 日 14:31 | 分類 碳化硅SiC
9月15日，“比亞迪e-Bus平臺3.0發(fā)布暨全新客車上市” 發(fā)布會在杭州舉行，比亞迪正式發(fā)布了純電客車專用的e-Bus平臺3.0，并同步推出基于該平臺打造的全新電動客C11。 圖片來源：比亞迪商用車 據(jù)了解，該平臺構(gòu)建了全球首個量產(chǎn)的客車全域1000V高壓架構(gòu)，驅(qū)動、充配電、...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)第四代半導(dǎo)體氧化鎵技術(shù)取得重大進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 16 日 14:19 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 氧化鎵
氧化鎵作為極具潛力的第四代半導(dǎo)體材料，能承受超高電壓、成本低，在電動汽車、軌道交通、5G/6G基站、智能電網(wǎng)、航空航天等系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛，被譽為下一代高功率電子器件的“明星材料”。不過，作為新興材料，氧化鎵應(yīng)用仍有諸多技術(shù)瓶頸待克服。 近期，國內(nèi)氧化鎵領(lǐng)域頻頻傳出重大進展。 富加鎵...  [詳內(nèi)文]